SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
IRS2001PBF-INF Infineon Technologies IRS2001PBF-INF 1.7900
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ECAD 20 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局2001 非反相 未验证 10V~20V 8-DIP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 200V
FAN8811MNTXG onsemi 风扇8811MNTXG 3.1400
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 风扇8811 非反相 未验证 7.5V~16V 10-WDFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET 2V、1.8V 3A、6A 6纳秒、4纳秒 100伏
FAN7385MX onsemi 风扇7385MX 0.8479
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ECAD 8175 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7385 非反相 未验证 10V~20V 14-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 高侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.3V、2.5V 350毫安、650毫安 50纳秒、30纳秒 600伏
FAN7083CM Fairchild Semiconductor 风扇7083CM -
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ECAD 7666 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7083 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 8V、12.6V 200毫安、400毫安 200纳秒、25纳秒 600伏
NCP4423P onsemi NCP4423P 0.7300
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ECAD 19 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 NCP4423 未验证 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1
ADP3650JCPZ-RL ADI ADP3650JCPZ-RL 2.8100
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ECAD 4 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-VFDFN裸露焊盘,CSP ADP3650 非反相 未验证 4.15V~13.2V 8-LFCSP-VD (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒、16纳秒
IR2132JPBF Infineon Technologies IR2132JPBF 8.9000
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ECAD 3541 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 44-LCC(J 引脚),32 引脚 IR2132 反相 未验证 10V~20V 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,134 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、35纳秒 600伏
MIC4423BWM TR Microchip Technology MIC4423BWM TR -
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ECAD 9539 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) 麦克风4423 反相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 28纳秒、32纳秒
IHD660IT1 Power Integrations IHD660IT1 -
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ECAD 1198 0.00000000 电源集成 规模™-1 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 36-DIP模块,24引脚 IHD660 反相 未验证 14V~16V 模块 下载 1810-IHD660IT1 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET - - 100纳秒、80纳秒
IRS2890DSPBF Infineon Technologies IRS2890DSPBF 1.5577
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ECAD 9794 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2890 非反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 220毫安、480毫安 85纳秒、30纳秒 600伏
RT7020GN Richtek USA Inc. RT7020GN -
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ECAD 7963 0.00000000 立锜美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) RT7020 非反相 未验证 10V~20V 8-DIP - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 300毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
EB01-FS225R12KE3 Power Integrations EB01-FS225R12KE3 -
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ECAD 2606 0.00000000 电源集成 规模™-1 大部分 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 EB01-FS225 - 未验证 - 模块 下载 1(无限制) EAR99 8473.30.1180 1 - - IGBT - - - 800V
2SP0320V2A0-17 Power Integrations 2SP0320V2A0-17 190.0000
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ECAD 10 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 2SP0320 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1810-1052 EAR99 8473.30.1180 3 独立的 半桥 2 IGBT - 20A、20A 7纳秒、25纳秒 1700伏
1SP0635D2S1-17 Power Integrations 1SP0635D2S1-17 150.4100
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ECAD 9832 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 1SP0635 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1810-1015 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 1700伏
NCP5304PG onsemi NCP5304PG -
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ECAD 1840年 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) NCP5304 非反相 未验证 10V~20V 8-PDIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.3V 250毫安、500毫安 85纳秒、35纳秒 600伏
IRS2807DSPBF International Rectifier IRS2807DSPBF -
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ECAD 8812 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2807 非反相 未验证 10V~20V PG-DSO-8-903 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
ISL6625ACRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6625ACRZ-T 3.1200
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 ISL6625 非反相 未验证 5.5V~13.2V 8-DFN (2x2) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - -, 3A 31纳秒、18纳秒 36V
IRS2609DSPBF International Rectifier IRS2609DSPBF 1.1900
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ECAD 2 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2609 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
2SD300C17A4C Power Integrations 2SD300C17A4C 136.9075
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ECAD 4989 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 - 14V~16V 模块 - 596-2SD300C17A4C 12 独立的 半桥 2 IGBT - 30A、30A - 1700伏
RAA228926GNP#HA0 Renesas Electronics America Inc RAA228926GNP#HA0 7.9002
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ECAD 2880 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 3(168小时) 20-RAA228926GNP#HA0TR 1
SG1626T-883B Microchip Technology SG1626T-883B -
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ECAD 3135 0.00000000 微芯片 军事,MIL-STD-883 托盘 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-99-8 金属罐 SG1626 反相 未验证 22V TO-99 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-SG1626T-883B EAR99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.7V、2V 3A 30纳秒、30纳秒
MCP14A0455-E/SN Microchip Technology MCP14A0455-E/SN 1.5500
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ECAD 245 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A0455 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V、2V 4.5A、4.5A 12纳秒, 12纳秒
IR2109SPBF International Rectifier IR2109SPBF 1.6700
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ECAD 405 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2109 非反相 10V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 180 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏 未验证
IRS21851SPBF International Rectifier IRS21851SPBF -
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ECAD 1735 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局21851 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 15纳秒,15纳秒 600伏
IR21363STRPBF International Rectifier IR21363STRPBF 3.2000年
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ECAD 第768章 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IR21363 反相 12V~20V 28-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 94 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏 未验证
IRS2302STRPBF International Rectifier IRS2302STRPBF -
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ECAD 7877 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2302 非反相 未验证 5V~20V 8-SOIC - 0000.00.0000 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 130纳秒、50纳秒 600伏
IRS26072DSPBF International Rectifier IRS26072DSPBF -
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ECAD 6103 0.00000000 国际校正器公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局26072 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
IR2131PBF International Rectifier IR2131PBF 3.9600
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ECAD 6 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) IR2131 反相 未验证 10V~20V 28-PDIP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
UCC27525DGNR Texas Instruments UCC27525DGNR 1.2500
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ECAD 1904年 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 UCC27525 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1V、2.3V 5A、5A 7纳秒、6纳秒
HIP2101IRZ Intersil HIP2101IRZ 2.4200
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ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 HIP2101 非反相 未验证 9V~14V 16-QFN (5x5) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库