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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
LTC1154CN8 ＃PBF	4.5681	RFQ	5604	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
IRS2608DSPBF	-	RFQ	6921	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2608	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001544114	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
UCC27322MDEP	8.7300	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	9a，9a	20N，20N
MIC4421ACM-TR	-	RFQ	1843年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
EL7222CS-T7	-	RFQ	1609年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形		4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS		未行业行业经验证
IHD260IT1	-	RFQ	7059	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD260	反转	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载				1810-IHD260IT1	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
LM5113SD/NOPB	6.0000	RFQ	332	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5113	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.76V，1.89V	1.2a，5a	7NS，1.5NS	107 v
IR2108pbf	-	RFQ	5247	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR1176STR	-	RFQ	8130	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20ssop （0.209英寸，5.30mm宽度）	IR1176	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.25V	20ssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	20N，20N
2ED24427N01FXUMA1	3.9500	RFQ	883	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED24427	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	PG-DSO-8-900	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	10a，10a	-
IRS2304STRPBF	1.5600	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
ISL6605IRZ	-	RFQ	6561	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
max5063casa-t	-	RFQ	9327	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
IR2102PBF	-	RFQ	6752	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2102	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
ADP3415LRM-REEL	-	RFQ	6051	模拟设备公司	-	大部分	过时的	0°C〜100°C（TA）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）		不转变		7V	10-msop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-ADP3415LRM-REEL-505			1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，25n	30 V
MP1921HS-A-LF-Z	0.8400	RFQ	8216	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP1921	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
ISL6594ACR-T	-	RFQ	2366	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
6EDL04N02PRXUMA1	4.3700	RFQ	8	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	6EDL04	不转变	未行业行业经验证	10v〜17.5V	PG-TSSOP-28	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	60ns，26ns	200 v
EL7222CS-T13	-	RFQ	3589	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
MC34151p	-	RFQ	5506	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
UCC27423PE4	-	RFQ	9289	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
EL7158ISZ-T7	7.8991	RFQ	8624	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
EL7457CLZ-T13	4.4923	RFQ	2315	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
TC1426COA713	1.4900	RFQ	766	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
IR2112PBF	5.9100	RFQ	261	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001539968	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
ISL6605CRZA-T	-	RFQ	1634年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6594ACBZ-T	-	RFQ	8035	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
DGD0506AFN-7	0.8700	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0506	CMOS/TTL	未行业行业经验证	8v〜14V	W-DFN3030-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	17ns，12ns	50 V
2EDL05N06PJXUMA1	2.5600	RFQ	1475	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	2EDL05	不转变	未行业行业经验证	10v〜25V	PG-DSO-14-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	48ns，24ns	600 v
FAN3224TMX	1.3300	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²