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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2001PBF-INF | 1.7900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2001 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 200V | |||
![]() | 风扇8811MNTXG | 3.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WDFN 裸露焊盘 | 风扇8811 | 非反相 | 未验证 | 7.5V~16V | 10-WDFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 2V、1.8V | 3A、6A | 6纳秒、4纳秒 | 100伏 | |||
![]() | 风扇7385MX | 0.8479 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7385 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.3V、2.5V | 350毫安、650毫安 | 50纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||
![]() | 风扇7083CM | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7083 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 8V、12.6V | 200毫安、400毫安 | 200纳秒、25纳秒 | 600伏 | |||
![]() | NCP4423P | 0.7300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | NCP4423 | 未验证 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
ADP3650JCPZ-RL | 2.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-VFDFN裸露焊盘,CSP | ADP3650 | 非反相 | 未验证 | 4.15V~13.2V | 8-LFCSP-VD (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒、16纳秒 | |||||
![]() | IR2132JPBF | 8.9000 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | IR2132 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,134 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||
![]() | MIC4423BWM TR | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 麦克风4423 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 16-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3A | 28纳秒、32纳秒 | ||||
![]() | IHD660IT1 | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 36-DIP模块,24引脚 | IHD660 | 反相 | 未验证 | 14V~16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD660IT1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | - | - | 100纳秒、80纳秒 | ||||||
![]() | IRS2890DSPBF | 1.5577 | ![]() | 9794 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2890 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 55 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 220毫安、480毫安 | 85纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||
![]() | RT7020GN | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | 立锜美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | RT7020 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-DIP | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 300毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||
![]() | EB01-FS225R12KE3 | - | ![]() | 2606 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | EB01-FS225 | - | 未验证 | - | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | IGBT | - | - | - | 800V | ||||||
2SP0320V2A0-17 | 190.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 模块 | 2SP0320 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1052 | EAR99 | 8473.30.1180 | 3 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 20A、20A | 7纳秒、25纳秒 | 1700伏 | ||||
![]() | 1SP0635D2S1-17 | 150.4100 | ![]() | 9832 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 模块 | 1SP0635 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1015 | EAR99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 1700伏 | |||
![]() | NCP5304PG | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | NCP5304 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.3V | 250毫安、500毫安 | 85纳秒、35纳秒 | 600伏 | ||||
![]() | IRS2807DSPBF | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2807 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | PG-DSO-8-903 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||||||
ISL6625ACRZ-T | 3.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-VFDFN 裸露焊盘 | ISL6625 | 非反相 | 未验证 | 5.5V~13.2V | 8-DFN (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | -, 3A | 31纳秒、18纳秒 | 36V | ||||
![]() | IRS2609DSPBF | 1.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2609 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | |||
![]() | 2SD300C17A4C | 136.9075 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | - | 14V~16V | 模块 | - | 596-2SD300C17A4C | 12 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 30A、30A | - | 1700伏 | |||||||||
![]() | RAA228926GNP#HA0 | 7.9002 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 20-RAA228926GNP#HA0TR | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | SG1626T-883B | - | ![]() | 3135 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | TO-99-8 金属罐 | SG1626 | 反相 | 未验证 | 22V | TO-99 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-SG1626T-883B | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、2V | 3A | 30纳秒、30纳秒 | ||||
![]() | MCP14A0455-E/SN | 1.5500 | ![]() | 245 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A0455 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT | 0.8V、2V | 4.5A、4.5A | 12纳秒, 12纳秒 | ||||
![]() | IR2109SPBF | 1.6700 | ![]() | 405 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR2109 | 非反相 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 180 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.9V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | 未验证 | ||||||
![]() | IRS21851SPBF | - | ![]() | 1735 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局21851 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 15纳秒,15纳秒 | 600伏 | |||
![]() | IR21363STRPBF | 3.2000年 | ![]() | 第768章 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR21363 | 反相 | 12V~20V | 28-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、3V | 200毫安、350毫安 | 125纳秒、50纳秒 | 600伏 | 未验证 | ||||||
![]() | IRS2302STRPBF | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2302 | 非反相 | 未验证 | 5V~20V | 8-SOIC | - | 0000.00.0000 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、350毫安 | 130纳秒、50纳秒 | 600伏 | |||||||
![]() | IRS26072DSPBF | - | ![]() | 6103 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局26072 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | |||||
![]() | IR2131PBF | 3.9600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) | IR2131 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | |||
![]() | UCC27525DGNR | 1.2500 | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | UCC27525 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-HVSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、2.3V | 5A、5A | 7纳秒、6纳秒 | ||||
![]() | HIP2101IRZ | 2.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | HIP2101 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 16-QFN (5x5) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V |
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