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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14E4T-E/SNVAO	-	RFQ	7707	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
max627esa+t	3.7650	RFQ	5839	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
TPS28226D	1.7100	RFQ	259	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS28226	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜8.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	10n，10n	33 V
IXDD509PI	-	RFQ	5143	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDD509	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
IR2118pbf	4.4500	RFQ	4	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533142	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
UCC27532QDBVRQ1	0.7020	RFQ	8974	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27532	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	7.9V，8.8V	2.5a，5a	15ns，7ns
MCP14A0455-E/MNY	1.6200	RFQ	477	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0455	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	150	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
adp3120ajrz-rl	0.8000	RFQ	7593	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3120	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，11n	35 v
LM5100AMRX/NOPB	1.4595	RFQ	4070	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
A89503KLPTR-5	4.1100	RFQ	3613	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm）	A89503	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜80V	24-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	620-A89503KLPTR-5TR	Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	235ns，97ns
2DM150606CM	-	RFQ	2529	塔穆拉	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TA）	通过洞	34浸模块，31条线索	2DM150606	-	未行业行业经验证	15V〜24V	0502	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	-	-
LM5109AMAX/NOPB	0.7500	RFQ	410	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
R2J20658BNP ＃G0	7.0100	RFQ	170	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				R2J20658		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
ISL6700IR-T	0.6800	RFQ	5	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-VQFN暴露垫	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	12-qfn （4x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
LM5104MX	-	RFQ	5785	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IXK611S1T/r	-	RFQ	6102	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXK611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
EL7242CNZ-INT	-	RFQ	4202	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7242	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
LM5109MA/NOPB	-	RFQ	7951	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
AOZ7270DI	3.6200	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	12-powertdfn	AOZ7270	不转变	未行业行业经验证	16V	12-DFN-EP（5x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	全桥	2	n通道MOSFET	-	-	-	600 v
UC2715DP	1.5300	RFQ	3	单位树	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
max4429esa+t	3.2100	RFQ	8642	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MC34151DR2	-	RFQ	1442	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
2EDL8124G3CXTMA1	1.9000	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8124	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，5a	45ns，45ns	120 v
ISL89164FBEBZ-T	2.9559	RFQ	6126	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89164	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
IXE611S1T/r。	-	RFQ	1504	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXE611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
DRV8300NIPWR	1.6900	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	20-tssop	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300NIPWRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
ISL89160FRTBZ	3.2600	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89160	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
stsr3cd	-	RFQ	8874	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR3	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
BS2132F-E2	3.3700	RFQ	21	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	BS2132	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	高方向	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.6V	-	125ns，50ns	600 v
max627csa+t	5.8700	RFQ	12	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²