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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
UC2714DP	0.7100	RFQ	2	单位树	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IRS2330JTRPBF	3.7000	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS2330	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
EL7242CNZ-INT	-	RFQ	4202	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7242	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
IR21064SPBF-INF	-	RFQ	8606	Infineon技术	*	大部分	积极的				IR21064		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
adp3415lrmz-reel-ad	1.0000	RFQ	3121	模拟设备公司	*	大部分	积极的				ADP3415					-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,198
adp3118Jrz-ad	-	RFQ	6615	模拟设备公司	*	大部分	积极的				ADP3118					-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	2156-ADP3118JRZ-AD	Ear99	8542.39.0001	1									未行业行业经验证
IR7304STRPBF-IR	-	RFQ	5242	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR7304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	60mA，130mA	200NS，100NS	700 v
FAN3122TMX-F085	-	RFQ	9511	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3122	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	10.6a，11.4a	23ns，19ns
UC2715DP	1.5300	RFQ	3	单位树	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IRS21962SPBF	3.6100	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21962	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
ICL7667MJA	79.3600	RFQ	2	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的				ICL7667		未行业行业经验证			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IR21363SPBF	3.8600	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
FAN7390AMX1	-	RFQ	4590	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7390	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
IRS2332SPBF	3.3500	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2332	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
FAN7382N	0.5500	RFQ	107	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
IR2131pbf	3.9600	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
ISL7844444Vavez	2.9726	RFQ	3482	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78444	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-isl784444444vavez	Ear99	8542.39.0001	960	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
ISL78434VAVEZ-T	2.9726	RFQ	3664	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78434	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-ISL78434VAVEZ-TTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
ISL78424Vavez	2.9726	RFQ	8833	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78424	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-isl78424avez	Ear99	8542.39.0001	960	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
LM5111-1M	-	RFQ	9754	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
FAN3229TMX-F085	-	RFQ	9157	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3229	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
IR21364SPBF	-	RFQ	7411	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
FAN3226CMX-F085	1.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
IRS2609DSPBF	1.1900	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2609	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR21091pbf	1.0500	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
EL7154CN	5.9600	RFQ	3	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
IR2301SPBF.1	1.0600	RFQ	300	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高侧和低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
LTC7000MPMSE	-	RFQ	1272	模拟设备公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	-		（1 （无限）		161-LTC7000MPMSE	过时的		37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
LTC7000MPMSE-1	-	RFQ	4060	模拟设备公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	-		（1 （无限）		161-LTC7000MPMSE-1	过时的		37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
ADUM4221-1BRIZ	8.2700	RFQ	94	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²