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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
ISL89164FRTCZ Renesas Electronics America Inc ISL89164FRTCZ -
RFQ
 ECAD 9028 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 ISL89164 反转 未行业行业经验证 7.5V〜16V 8-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2.4V，9.6V 6a，6a 20N，20N
ISL89165FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89165FBEAZ-T 4.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89165 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
NCP5901BMNTBG onsemi NCP5901BMNTBG 0.6000
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP5901 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2V - 16ns，11ns 35 v
LM5060MMX/NOPB Texas Instruments LM5060MMX/NOPB 2.0200
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5060 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜65V 10-VSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.8V，2V 24µA，2.2mA -
IXDI604SIATR IXYS Integrated Circuits Division IXDI604SIATR 2.2100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDI604 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 4a，4a 9NS，8NS
IXDN609CI IXYS Integrated Circuits Division IXDN609CI 3.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDN609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 9a，9a 22ns，15ns
MIC4225YM-TR Microchip Technology MIC4225YM-TR 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4225 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.4V 4a，4a 15ns，15ns
UCC27322TDGKREP Texas Instruments UCC27322TDGKREP 4.5855
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-vssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.1V，2.7V 9a，9a 20N，20N
IXDF602PI IXYS Integrated Circuits Division IXDF602PI 0.7753
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDF602 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IXDF602SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDF602SITR 1.2617
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF602 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IXDF602SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDF602SIA 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF602 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IXDD614PI IXYS Integrated Circuits Division ixdd614pi 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDD614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDD614SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDD614SITR 4.9300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDD614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDI614CI IXYS Integrated Circuits Division IXDI614CI 6.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDI614 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDN614PI IXYS Integrated Circuits Division ixdn614pi 2.8000
RFQ
 ECAD 864 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDN614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
LM5101ASDX-1/NOPB Texas Instruments LM5101ASDX-1/NOPB 1.9800
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-wson（4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 3a，3a 430ns，260ns 118 v
LM5101MX/NOPB Texas Instruments LM5101MX/NOPB 2.1855
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.6a，1.6a 600NS，600NS 118 v
ZL1505ALNNT6 Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNNT6 -
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ZL1505 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜7.5V 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.7V，3.4V 3.2a，3.2a 5.3NS，4.8NS 30 V
ISL6611ACRZ Renesas Electronics America Inc ISL6611ACRZ -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6611 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V，2V - ，4A 8ns，8ns 36 V
ISL6611AIRZ Renesas Electronics America Inc ISL6611AIRZ -
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6611 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 -isl6611Airz Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V，2V - ，4A 8ns，8ns 36 V
ISL89162FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89162FBEAZ -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89162 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -isl89162fbeaz Ear99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
ISL89162FRTAZ Renesas Electronics America Inc ISL89162FRTAZ -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89162 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
BS2100F-E2 Rohm Semiconductor BS2100F-E2 0.6420
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） BS2100 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.6V 60mA，130mA 200NS，100NS 600 v
IX4340UE IXYS Integrated Circuits Division IX4340UE 1.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） IX4340 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 212-ix4340ue Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.5V 5a，5a 7n，7ns
6ED2230S12TXUMA1 Infineon Technologies 6ED2230S12TXUMA1 13.5700
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，7.50mm宽度），24个线索 6ED2230 反转 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-24 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 高方面或低侧 6 IGBT，N通道MOSFET 0.7V，2.3V 350mA，650mA 35NS，20NS 1200 v
IRS2008MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies IRS2008MTRPBFAUMA1 1.3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14-VFQFN暴露垫 IRS2008 CMOS 未行业行业经验证 10v〜20V 14-MLPQ （4x4） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 70NS，30NS 200 v
UCC27322MDEP Texas Instruments UCC27322MDEP 8.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1V，2V 9a，9a 20N，20N
MCP14A1201T-E/SNVAO Microchip Technology MCP14A1201T-E/SNVAO -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 微芯片技术 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14A1201 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 同步 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2V 12a，12a 25n，25n
MAX5048AATT+T ADI/Maxim Integrated max5048aatt+t 3.7500
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 Max5048 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500
IR2132C Infineon Technologies IR2132C -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 Infineon技术 * 管子 过时的 IR2132 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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