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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序） sic可编程
IR20153STRPBF Infineon Technologies IR20153STRPBF -
RFQ
 ECAD 1666年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR20153 反转 未行业行业经验证 5v〜20V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.4V，3V 1.5a，1.5a 200NS，100NS 150 v
IRS2127STRPBF Infineon Technologies IRS2127STRPBF 2.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2127 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 80n，40n 600 v
IR21364STRPBF Infineon Technologies IR21364STRPBF 7.1800
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR21364 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
PM8834TR STMicroelectronics PM8834TR 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PM8834 不转变 未行业行业经验证 5v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 4a，4a 45ns，35ns
NCP3420MNR2G onsemi NCP3420MNR2G -
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP3420 不转变 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 16ns，11ns 35 v
ISL6612CRZR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6612CRZR5238 -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
ISL6613IRZR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6613IRZR5214 -
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 10.8v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V 未行业行业经验证
PX3511ADDG Renesas Electronics America Inc PX3511ADDG -
RFQ
 ECAD 5898 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 PX3511 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
ISL83204AIBZ Renesas Electronics America Inc ISL83204AIBZ -
RFQ
 ECAD 1499年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） ISL83204 反转，无变形 未行业行业经验证 9.5V〜15V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 -isl83204aibz Ear99 8542.39.0001 38 同步 半桥 4 n通道MOSFET 1V，2.5V 2.6a，2.4a 10n，10n 75 v
VLA503-01 Powerex Inc. VLA503-01 -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 过时的 -20°C〜60°C（TA） 通过洞 12-sip VLA503 不转变 未行业行业经验证 14V〜15V 模块 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 16 单身的 低侧 1 IGBT - 5a，5a 300NS，300NS
LM5112Q1SD/NOPB Texas Instruments LM5112Q1SD/NOPB 1.7500
RFQ
 ECAD 1732年 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 LM5112 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 6-wson（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，2.3V 3a，7a 14ns，12ns
IXDD604SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDD604SIA 2.1500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDD604 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CLA333 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 4a，4a 9NS，8NS
UCC27322QDGNRQ1 Texas Instruments UCC27322QDGNRQ1 0.7785
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.1V，2.7V 9a，9a 20N，20N
IR11662STRPBF Infineon Technologies IR11662STRPBF 2.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 高级智能整流器™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -25°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR11662 不转变 未行业行业经验证 11.4v〜18v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V，2.15V 1A，4A 21ns，10ns
IRS21962SPBF Infineon Technologies IRS21962SPBF -
RFQ
 ECAD 6896 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS21962 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001548824 Ear99 8542.39.0001 45 独立的 高方向 2 IGBT，N通道MOSFET 0.6V，3.5V 500mA，500mA 25n，25n 600 v
IRS4426STRPBF Infineon Technologies IRS4426STRPBF 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS4426 反转 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 2.3a，3.3a 25n，25n
IRS4428SPBF Infineon Technologies IRS4428SPBF -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS4428 反转，无变形 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 2.3a，3.3a 25n，25n
IRS210614STRPBF Infineon Technologies IRS210614STRPBF -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS210614 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001542612 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
IRS21850STRPBF Infineon Technologies IRS21850STRPBF -
RFQ
 ECAD 8741 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS21850 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001548758 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 4a，4a 15ns，15ns 600 v
IRS21858STRPBF Infineon Technologies IRS21858STRPBF -
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS21858 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001542838 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方向 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3.5V 290mA，600mA 60ns，20ns 600 v
IRS2607DSPBF Infineon Technologies IRS2607DSPBF -
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2607 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001547148 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 200mA，350mA 150NS，50NS 600 v
MAX15012AASA+T ADI/Maxim Integrated max15012aasa+t 7.1700
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Max15012 不转变 未行业行业经验证 8v〜12.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 2a，2a 65ns，65ns 175 v
MAX15013AASA+ ADI/Maxim Integrated max15013aasa+ 8.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Max15013 不转变 未行业行业经验证 8v〜12.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -4941-MAX15013AASA+ Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，2a 65ns，65ns 175 v
NCP3418ADR2 onsemi NCP3418ADR2 -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCP3418 不转变 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 18NS，10NS 30 V
NCP3418ADR2G onsemi ncp3418adr2g -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCP3418 不转变 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 18NS，10NS 30 V
NCP3488DR2G onsemi NCP3488DR2G -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCP3488 不转变 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 16ns，11ns 30 V
NCP5351MNR2G onsemi NCP5351MNR2G -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 NCP5351 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜6.5V 10-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 4a，4a 8NS，14NS 25 v
NCP5355D onsemi NCP5355D -
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCP5355 反转，无变形 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，2a 15ns，15ns 26 V
MAX620CWN+ ADI/Maxim Integrated max620cwn+ 11.2100
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） Max620 不转变 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V 18-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 40 独立的 高方向 4 n通道MOSFET 0.8V，2.4V - 1.7µs，2.5µs
IX6R11P7 IXYS IX6R11P7 -
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TA） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 14-PDIP 下载 不适用 到达不受影响 Q3231395 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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