SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IR21141SSTRPBF Infineon Technologies IR21141SSTRPBF -
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) IR21141 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 24 SSOP 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V,2V 2a,3a 24ns,7ns 600 v
IR22141SSTRPBF Infineon Technologies IR22141SSTRPBF -
RFQ
ECAD 6629 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) IR22141 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 24 SSOP 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001547322 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V,2V 2a,3a 24ns,7ns 1200 v
IR21844PBF Infineon Technologies IR21844pbf 6.2200
RFQ
ECAD 795 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
IR21366SPBF Infineon Technologies IR21366SPBF -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR21366 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 28-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2118PBF Infineon Technologies IR2118pbf 4.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2118 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001533142 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
IRS23364DSPBF Infineon Technologies IRS23364DSPBF 4.4846
RFQ
ECAD 3555 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IRS23364 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2132JPBF Infineon Technologies IR2132JPBF 8.9000
RFQ
ECAD 3541 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2132 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,134 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
IR2112PBF Infineon Technologies IR2112PBF 5.9100
RFQ
ECAD 261 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001539968 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
IR2233PBF Infineon Technologies IR2233pbf 22.7000
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 125°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2233 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 494 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
IR4426PBF Infineon Technologies IR4426pbf -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR4426 反转 未行业行业经验证 6v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 2.3a,3.3a 15ns,10ns
IR2113PBF Infineon Technologies IR2113PBF 4.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR2113 不转变 未行业行业经验证 3.3v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001539158 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 2a,2a 25ns,17ns 600 v
IR2131PBF Infineon Technologies IR2131pbf -
RFQ
ECAD 6235 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001547340 Ear99 8542.39.0001 494 独立的 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
IR2130PBF Infineon Technologies IR2130pbf 12.4625
RFQ
ECAD 7274 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2130 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001547666 Ear99 8542.39.0001 13 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
IR2235SPBF Infineon Technologies IR2235SPBF -
RFQ
ECAD 9507 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2235 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 SP001540026 Ear99 8542.39.0001 2,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
IRS2608DSPBF Infineon Technologies IRS2608DSPBF -
RFQ
ECAD 6921 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2608 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 SP001544114 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS2608DSTRPBF Infineon Technologies IRS2608DSTRPBF -
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2608 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS26302DJTRPBF Infineon Technologies IRS26302DJTRPBF 8.3335
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS26302 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IRS26310DJTRPBF Infineon Technologies IRS26310DJTRPBF -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS26310 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IRS2336JTRPBF Infineon Technologies IRS2336JTRPBF -
RFQ
ECAD 5449 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2336 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR21363JTRPBF Infineon Technologies IR21363JTRPBF 8.5700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR21363 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2010STRPBF Infineon Technologies IR2010STRPBF 4.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2010 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 3a,3a 10n,15ns 200 v
IRS2118STRPBF Infineon Technologies IRS2118STRPBF 2.0900
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2118 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 290mA,600mA 75ns,35ns 600 v
IR2304STRPBF Infineon Technologies IR2304STRPBF 1.8900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2304 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.3V 60mA,130mA 200NS,100NS 600 v
IRS2304STRPBF Infineon Technologies IRS2304STRPBF 1.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2304 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.7V,2.3V 290mA,600mA 70ns,35ns 600 v
IR2130JTRPBF Infineon Technologies IR2130JTRPBF 9.5711
RFQ
ECAD 8466 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2130 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
IR2135JTRPBF Infineon Technologies IR2135JTRPBF 13.5800
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2135 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 90NS,40NS 600 v
IR2308STRPBF Infineon Technologies IR2308STRPBF 1.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2308 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS2109STRPBF Infineon Technologies IRS2109STRPBF 2.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2109 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 100NS,35NS 600 v
IR2184STRPBF Infineon Technologies IR2184STRPBF 4.2000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
IRS2184STRPBF Infineon Technologies IRS2184STRPBF 3.1100
RFQ
ECAD 6480 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库