RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2102STRPBF	3.5300	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2102	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TC4427ACOA	1.5400	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427ACOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2SD315AI-25	-	RFQ	8719	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	2SD315	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	18a，18a	-
MIC4607-2YML-T5	-	RFQ	4167	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	MIC4607	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	28-qfn （4x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
ISL6622AIBZ-T	-	RFQ	8322	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
L6384	-	RFQ	3367	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-45°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6384	反转	未行业行业经验证	14.6v〜16.6v	8微米浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
ZL1505ALNNT6	-	RFQ	7138	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ZL1505	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜7.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.7V，3.4V	3.2a，3.2a	5.3NS，4.8NS	30 V
EL7156CSZ-T13	5.7615	RFQ	6905	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
ISL6613BIBZ	-	RFQ	9880	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6610CBZ-T	-	RFQ	1762年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IRS21814pbf	-	RFQ	2934	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
TC4428VMF713	1.1700	RFQ	3607	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MIC4607-1YTS-TR	-	RFQ	3689	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	MIC4607	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	28-tssop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MIC46071YTSTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	85 v
max17603aua+	2.9200	RFQ	215	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17603	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17603AUA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
DGD21844S14-13	-	RFQ	8363	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.4a，1.8a	40NS，20NS	600 v
LM5113SDX/NOPB	5.2000	RFQ	4	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5113	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.76V，1.89V	1.2a，5a	7NS，1.5NS	107 v
UCD7201PWPR	3.8900	RFQ	3704	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCD7201	不转变	未行业行业经验证	4.25V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.16V，2.08V	4a，4a	10n，10n
SM72482/nopb	-	RFQ	6721	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SM72482	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
EL7202CSZ	3.8200	RFQ	73	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
MIC4428YM	1.4500	RFQ	6737	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
LTC444444EMS8E ＃PBF	5.8100	RFQ	3408	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
IR21094	-	RFQ	2477	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21094	Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
adp3417jr	-	RFQ	5419	Onmi	-	管子	过时的				ADP3417					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98
ISL6615AIBZ-T	2.9726	RFQ	3054	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
UC1710SP	69.8200	RFQ	87	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC1710		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
Auirs2128S	-	RFQ	7637	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2128	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511742	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
tps2819dbvt	2.1700	RFQ	971	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2819	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
麦克风5014亿	-	RFQ	7529	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
UC3708NE	11.7600	RFQ	127	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
MP6539BGF-P	2.0176	RFQ	9021	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）		不转变		8.5V〜14V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响	1589-MP6539BGF-PTR			500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	800mA，1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²