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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR21141SSTRPBF | - | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | IR21141 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 24 SSOP | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 2a,3a | 24ns,7ns | 600 v | |||
![]() | IR22141SSTRPBF | - | ![]() | 6629 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | IR22141 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 24 SSOP | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001547322 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 2a,3a | 24ns,7ns | 1200 v | ||
![]() | IR21844pbf | 6.2200 | ![]() | 795 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | IR21366SPBF | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR21366 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 28-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | |||
![]() | IR2118pbf | 4.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2118 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001533142 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |
![]() | IRS23364DSPBF | 4.4846 | ![]() | 3555 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS23364 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IR2132JPBF | 8.9000 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IR2132 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,134 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | ||
![]() | IR2112PBF | 5.9100 | ![]() | 261 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR2112 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539968 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |
![]() | IR2233pbf | 22.7000 | ![]() | 9433 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 125°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2233 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 494 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 1200 v | ||
![]() | IR4426pbf | - | ![]() | 4604 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | |||
![]() | IR2113PBF | 4.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR2113 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.3v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539158 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2a,2a | 25ns,17ns | 600 v | |
![]() | IR2131pbf | - | ![]() | 6235 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2131 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001547340 | Ear99 | 8542.39.0001 | 494 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |
![]() | IR2130pbf | 12.4625 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2130 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001547666 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | |
![]() | IR2235SPBF | - | ![]() | 9507 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2235 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001540026 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 1200 v | |
![]() | IRS2608DSPBF | - | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2608 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | SP001544114 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||
![]() | IRS2608DSTRPBF | - | ![]() | 8663 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2608 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | IRS26302DJTRPBF | 8.3335 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS26302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IRS26310DJTRPBF | - | ![]() | 1494 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS26310 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | |||
![]() | IRS2336JTRPBF | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | |||
![]() | IR21363JTRPBF | 8.5700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IR21363 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IR2010STRPBF | 4.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2010 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 3a,3a | 10n,15ns | 200 v | ||
![]() | IRS2118STRPBF | 2.0900 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2118 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||
![]() | IR2304STRPBF | 1.8900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 60mA,130mA | 200NS,100NS | 600 v | ||
![]() | IRS2304STRPBF | 1.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.7V,2.3V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 600 v | ||
![]() | IR2130JTRPBF | 9.5711 | ![]() | 8466 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IR2130 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | ||
![]() | IR2135JTRPBF | 13.5800 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IR2135 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 600 v | ||
![]() | IR2308STRPBF | 1.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2308 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||
![]() | IRS2109STRPBF | 2.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||
![]() | IR2184STRPBF | 4.2000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2184 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | IRS2184STRPBF | 3.1100 | ![]() | 6480 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2184 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v |
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