感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6612IBZ-T	-	询价	2000年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL66223大众	-	询价	第1574章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的				ISL66223		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	20-ISL66223VW	过时的		100
BS2101F-E2	1.6000	询价	145	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	BS2101	非反相	未验证	10V~18V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.6V	60毫安、130毫安	60纳秒、20纳秒	600伏
HV9901NG-G	4.8900	询价	2575	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽），14个引脚	HV9901	非反相	未验证	10V～450V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	45	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	-	30纳秒、30纳秒
IR2106S	-	询价	8353	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2106	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
风扇7382N	0.5500	询价	107	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	风扇7382	非反相	未验证	10V～20V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	350毫安、650毫安	60纳秒、30纳秒	600伏
2EDF5215GXUMA1	1.6387	询价	2751	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极						未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				5,000
NCP5901BMNTBG	0.6000	询价	47	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP5901	非反相	未验证	4.5V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-	16纳秒、11纳秒	35V
ISL6612CR	0.8900	询价	7259	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
SM72482/NOPB	-	询价	6721	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SM72482	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
MAX5048BAUT+	-	询价	1073	ADI/Maxim 集成	-	条	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6		反相、同相		4V～12.6V	SOT-6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	175-MAX5048BAUT+	EAR99	8542.39.0001	150	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.3A、7.6A	8纳秒、3.2纳秒
IR2102SPBF	4.4600	询价	第538章	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2102	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
SG1626Y-883B	-	询价	4828	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	SG1626	反相	未验证	22V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1626Y-883B	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	3A	30纳秒、30纳秒
IXDF402SI	-	询价	4127	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF402	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q2687800	EAR99	8541.29.0095	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒
MIC5013BM-TR	-	询价	4669	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风5013	非反相	未验证	7V~32V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.5V	-	-
MAX4426CSA+	5.9300	询价	404	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4426CSA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
LM5111-3M	-	询价	5380	Texas Instruments	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5111	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
MAX4426C/D	-	询价	9484	ADI/Maxim 集成	-	大部分	过时的				MAX4426		未验证			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	140
DRV8300NIPWR	1.6900	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	DRV8300	非反相	未验证	5V~20V	20-TSSOP	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300NIPWRTR	EAR99	8542.39.0001	3,000	土耳其	高侧和低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	750毫安，1.5安	12纳秒, 12纳秒	105V
1SD418F2-5SNA1200E250100	-	询价	7313	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
ISL6614IRZ	-	询价	9933	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MP1925HR-LF-Z	1.1382	询价	4577	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		非反相		8V~15V	8-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1925HR-LF-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5.9A	15纳秒、10纳秒	115V
MAX4420ESA+	5.9100	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4420ESA+	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MIC5016YWM	-	询价	1194	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风5016	非反相	未验证	2.75V～30V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1237	EAR99	8542.39.0001	47	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
ISL89162FRTAZ	-	询价	5482	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
LF21904NTR	2.3700	询价	31	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LF21904	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	212-LF21904NTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
V62/11601-02YE	4.5855	询价	9982	Texas Instruments	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准			296-V62/11601-02YETR			2,500人
LM5101ASDX-1/NOPB	1.9800	询价	3666	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
FAN3229TMX-F085	-	询价	9157	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3229	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
UCC27221PWP	2.1500	询价	180	尤尼罗德	-	管子	过时的	-55°C ~ 115°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCC27221	反相	未验证	3.7V～20V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	90	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.6V	4A, 4A	17纳秒, 17纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²