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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ICL7667CBA	-	RFQ	4935	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	ICL7667CBAIS	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
TPS2819MDBVREP	6.0300	RFQ	3421	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2819	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
LM5101AMX	-	RFQ	8857	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
L6498D	2.6700	RFQ	398	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
UCC27322MDREP	4.5855	RFQ	6647	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
IR2213	-	RFQ	4337	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
ISL6612BCR	-	RFQ	6298	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
Max17600asa+t	1.2450	RFQ	5619	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17600	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
UCC37323DR	1.5200	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
IRS21956SPBF	1.7900	RFQ	16	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	IRS21956	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3.5V	500mA，500mA	25ns，15ns	600 v
tps2811pwle	0.5400	RFQ	5	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2811	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	-	2a，2a	14ns，15ns
ISL6596IRZ-T	3.0561	RFQ	7724	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6596	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IR2154S	-	RFQ	6953	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2154	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
UCC27282DRMR	2.0500	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		5.5V〜16V	8-VSON （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	3a，3a	12n，10n	120 v
L6569AD	-	RFQ	9199	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6569	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
SC1301AISTRT	-	RFQ	2613	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	SC1301	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	SOT-23-5	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
2ED020I12FA	-	RFQ	2049	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	36-Bessop （0.433英寸，11.00mm宽度）	2ED020	反转，无变形	未行业行业经验证	13v〜20V	PG-DSO-36	-						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.5V，3.5V	2.4a，2.4a	30ns，50ns	1200 v
1SP0635S2M1R-XXXX （2）（3）（4）（4）	465.8000	RFQ	8998	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0635S2M1R-XXXX（2）（3）（4）（4）			6
ADP3630ARZ-R7	3.0300	RFQ	1	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3630	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	10n，10n
ixdi514siat/r	-	RFQ	9456	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI514	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
IXE611P1	-	RFQ	1323	ixys	-	盒子	过时的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXE611	-	未行业行业经验证	-	8点	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
max8552etb+	3.0100	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	*	条	积极的				MAX8552		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX8552ETB+	Ear99	8542.39.0001	1
ISL6612BCBZ	-	RFQ	6804	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC428MJA	-	RFQ	9046	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
LM5101AMRX/NOPB	1.9800	RFQ	6555	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IR2102STRPBF	3.5300	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2102	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TC4427ACOA	1.5400	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427ACOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2SD315AI-25	-	RFQ	8719	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	2SD315	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	18a，18a	-
MIC4607-2YML-T5	-	RFQ	4167	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	MIC4607	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	28-qfn （4x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
ISL6622AIBZ-T	-	RFQ	8322	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²