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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
2SC0108T2D0C-12	90.0273	RFQ	9177	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2SC0108	-		14.5v〜15.5V	模块	-				596-2SC0108T2D0C-12			30	独立的	-	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1200 v
ISL89411IPZ	-	RFQ	6124	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ISL89411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
MIC4225YM	2.7800	RFQ	1789年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3551-5	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
1SP0335V2M1-CM600HG-130H	202.2083	RFQ	6222	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SP0335V2M1-CM600HG-130H	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	6500 v
UCC27423MDREP	12.0700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
MIC4100YM-TR	2.0550	RFQ	3364	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4100	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
FAN7888MX	1.5284	RFQ	9791	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	Fan7888	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	200 v
2SC0108T2G0-17	53.1800	RFQ	109	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1023	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1700 v
MIC4480ME-T5	-	RFQ	8466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
UCC27425p	1.6000	RFQ	46	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27425	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
FAN7842MX	1.3700	RFQ	5496	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7842	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	350mA，650mA	60n，30ns	200 v
AUIR2085STR	4.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIR2085	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15V	PG-DSO-8-904	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1a，1a	40NS，20NS	100 v
max4427epa	-	RFQ	4094	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
TC4428AEJA	34.0800	RFQ	1689年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428AEJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
FAN3182MX	0.7300	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-			FAN3182	-	未行业行业经验证	-		-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
IR2133pbf	-	RFQ	2129	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001538230	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
UCC37322DR	0.6600	RFQ	4707	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
IR2133J	-	RFQ	9862	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2133J	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
LM5101BMA/NOPB	4.2000	RFQ	762	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
TC4423VMF	1.9350	RFQ	7831	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
2EDN8524GXTMA1	0.6683	RFQ	9937	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	2EDN8524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.1V，1.98V	5a，5a	5.3NS，4.5NS
MC33152DR2G	1.4800	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
LM5112MMYX	-	RFQ	5927	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
IXRFD615	-	RFQ	6946	ixys-rf	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	IXRFD615	不转变	未行业行业经验证	8v〜18V	6-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	30	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3.5V	15a，15a	4NS，4NS
1SP0635D2S1C-XXXX （2）（3）（3）（4）	215.3067	RFQ	9151	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0635D2S1C-XXXX（2）（3）（3）（4）			6
MC33395DWB	-	RFQ	6534	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MC33395	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜24V	32-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	42	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	-	350n，250n
ICL7667MTV	7.2900	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-99-8金属罐	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	TO-99-8	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
UCC37324DGN	-	RFQ	8482	单位树	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UCC37324DGN-600018			1
EL7202CS	-	RFQ	8644	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
IR3535MTRPBF	-	RFQ	1091	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	16-VFQFN暴露垫	IR3535	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜7V	16-MLPQ （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001531252	Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，4A	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²