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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MC33153D	-	RFQ	9865	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC33153DOS	Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
TC4427AVOA-VAO	-	RFQ	9297	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2EDN7523FXTMA1	1.4500	RFQ	5	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2EDN7523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
EL7457CLZ-T7A	-	RFQ	2344	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
EL7158ISZ-T7A	10.8717	RFQ	6540	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
max5078batt+t	14.0500	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
LM5107MA	-	RFQ	1342	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
LTC7000HMSE＃trpbf	9.9900	RFQ	6413	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
TD310ID	-	RFQ	6706	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD310	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜16V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
UC2705D	9.3200	RFQ	5171	Texas Instruments	-	管子	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n
LM5134BMF/NOPB	2.1500	RFQ	563	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	LM5134	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，7.6a	3n，2ns
MCP14A0304T-E/SN	1.1400	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
TSC428EPA	-	RFQ	2309	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TSC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IR21014S	-	RFQ	3352	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21014	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IRS21814MTRPBF	4.9000	RFQ	9451	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫，14个线索	IRS21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
ISL6208CBZ-T	2.1300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6208CHRZ-TR5675	-	RFQ	3260	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL89164FRTAZ-T	2.9559	RFQ	8838	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89164	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
Auirs2336str	-	RFQ	1947年	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2336	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TC4405EPA	3.1600	RFQ	2902	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
FAN7888MX	1.5284	RFQ	9791	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	Fan7888	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	200 v
NCP81062MNTWG	0.6500	RFQ	506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81062	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
IR1175STR	-	RFQ	5554	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20ssop （0.209英寸，5.30mm宽度）	IR1175	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	20ssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	20N，20N
IR21362STR	-	RFQ	5167	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR21364JTRPBF	-	RFQ	1927年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IX4R11P7	-	RFQ	6154	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IX4R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	225	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	4a，4a	23ns，22ns	650 v
LM5110-1SDX/NOPB	1.2300	RFQ	1146	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MIC4468BWM TR	-	RFQ	8610	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
ISL6610IRZ-T	-	RFQ	1009	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IR2135STR	-	RFQ	3338	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²