SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
DGD2118S8-13 Diodes Incorporated DGD2118S8-13 1.0012
RFQ
ECAD 3790 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DGD2118 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 290mA,600mA 75ns,35ns 600 v
IR21368SPBF International Rectifier IR21368SPBF 3.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR21368 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
1EDN7512BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7512BXTSA1 1.0700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 1EDN7512 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-SOT23-5-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a,8a 6.5NS,4.5NS
MAX4429EPA+ ADI/Maxim Integrated max4429epa+ 5.3500
RFQ
ECAD 90 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) Max4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX4429EPA+ Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
5962-0051401VPA Texas Instruments 5962-0051401VPA 255.3100
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 5962-0051401 未行业行业经验证 下载 Ear99 8542.39.0001 1
NCV5703ADR2G onsemi NCV5703ADR2G 2.3300
RFQ
ECAD 360 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCV5703 不转变 未行业行业经验证 20V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 半桥 1 IGBT 0.75V,4.3V 1a,1a 9.2NS,7.9NS
FAN3224CMX Fairchild Semiconductor FAN3224CMX 1.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3224 不转变 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 285 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a,5a 12ns,9ns 未行业行业经验证
TC1411NCOA Microchip Technology TC1411NCOA 1.4500
RFQ
ECAD 168 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1411 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1411NCOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 25n,25n
IRS21834PBF International Rectifier IRS21834pbf 3.3400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IRS21834 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
ISL89162FRTBZ Intersil ISL89162FRTBZ 3.2600
RFQ
ECAD 723 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89162 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V,3.15V 6a,6a 20N,20N
SG1644T-DESC Microchip Technology SG1644T-DESC -
RFQ
ECAD 1883年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-99-8金属罐 SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 到99 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644T-DESC Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 500mA,500mA 35ns,30ns
ISL89400ABZ Intersil ISL89400ABZ 2.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89400 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V,7.4V 1.25a,1.25a 16ns,16ns 100 v
IR2213S Infineon Technologies IR2213S -
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2213 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2213S Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 2a,2.5a 25ns,17ns 1200 v
TPS2818DBVT Texas Instruments TPS2818DBVT 0.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 TPS2818 未行业行业经验证 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-TPS2818DBVT-296 1
MAX15025DATB+ ADI/Maxim Integrated Max15025Datb+ 2.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 Max15025 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜28V 10-TDFN-EP(3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 2a,4a 3NS,3NS
IR25606SPBF International Rectifier IR25606SPBF -
RFQ
ECAD 3530 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25606 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
MAX4429CSA ADI/Maxim Integrated max4429csa 3.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
ISL6612AIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612AIBZ-T -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IR25602SPBF International Rectifier IR25602SPBF -
RFQ
ECAD 1918年 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25602 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC - 不适用 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
TND508S-R-TL-E onsemi TND508S-R-TL-E -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-TND508S-R-TL-E-488 1
IR2301SPBF International Rectifier IR2301SPBF -
RFQ
ECAD 5161 0.00000000 国际整流器 * 大部分 积极的 IR2301 下载 2(1年) 到达不受影响 2156-IR2301SPBF-600047 Ear99 8542.39.0001 1 未行业行业经验证
IR2233STRPBF Infineon Technologies IR2233STRPBF 9.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2233 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
1SD312F2-CM600HB-90H Power Integrations 1SD312F2-CM600HB-90H -
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 电源集成 Scale™-1 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 1SD312F2 - 未行业行业经验证 15.5v〜16.8V 模块 下载 不适用 Ear99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - 12a,12a 100NS,100NS
IRS2127PBF Infineon Technologies IRS2127pbf 1.8861
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IRS2127 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 80n,40n 600 v
UCC27424PE4 Unitrode UCC27424PE4 0.8600
RFQ
ECAD 5358 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC27424 未行业行业经验证 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
MAX17603ASA+ ADI/Maxim Integrated max17603asa+ 1.6600
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max17603 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX17603ASA+ Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 4a,4a 40ns,25ns
IRS21956STRPBF Infineon Technologies IRS21956STRPBF -
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) IRS21956 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 20-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001546510 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3.5V 500mA,500mA 25ns,15ns 600 v
IR1169STRPBF International Rectifier IR1169STRPBF -
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 国际整流器 高级智能整流器™ 大部分 积极的 -25°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR1169 反转 未行业行业经验证 11V〜19V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V,2.25V 1A,4A 20N,10N
ADP3633ACPZ-RL ADI ADP3633ACPZ-RL -
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 - ADP3633 - 未行业行业经验证 - 8-LFCSP - 3(168)) Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - -
LTC4440ES6-5#TRPBF ADI LTC4440ES6-5#trpbf 6.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 LTC4440 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.3V,1.6V 2.4a,2.4a 10n,7ns 80 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库