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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UC2714D	2.8275	RFQ	2261	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
EL7155CSZ-T13	5.7615	RFQ	6355	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
LTC4442IMS8E ＃PBF	4.8000	RFQ	1	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4442	不转变	未行业行业经验证	6v〜9.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4442IMS8E ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.4a，2.4a	12n，8ns	42 v
NCV51513AAMNTWG	0.7212	RFQ	7819	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	10-vfdfn暴露垫		不转变	未行业行业经验证	8v〜19v	10-dfnw（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NCV51513AAMNTWGTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	2a，3a	7n，7ns	150 v
IRS23364DSTRPBF	7.0100	RFQ	85	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
LM5110-3SD/NOPB	1.4760	RFQ	6130	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MIC4480ME-T5	-	RFQ	8466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
ISL6594ACRZ	-	RFQ	4351	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3707NG4	-	RFQ	4945	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
ISL6614IBZ-TR5238	-	RFQ	5042	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2132SPBF	11.9200	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
LM5114BMF/NOPB	1.7300	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	LM5114	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
MIC4420Y	2.0600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
UC3715NG4	-	RFQ	8341	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
2SP0115T2E0-17	104.6683	RFQ	1566年	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块		-		14.5v〜15.5V	模块	-				596-2SP0115T2E0-17			12	独立的	-	2	IGBT	-	15a，15a	5n，10ns	1700 v
2EDN7523GXTMA1	0.6683	RFQ	9885	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	2EDN7523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
2SP0115T2A0-12	90.0500	RFQ	47	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0115	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1038	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8a，15a	5n，10ns	1200 v
MIC4468YWM-TR	5.0800	RFQ	3881	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
SM72482MAX-4/NOPB	1.1760	RFQ	3239	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SM72482	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P	-	RFQ	6936	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MPQ18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-soice	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ18021HN-AA-AA-AEC1-LF-PTR	Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	115 v
UCC27321D	1.5600	RFQ	8605	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
MCP1406-E/p	1.4700	RFQ	396	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
MAX4426MJA/883B	-	RFQ	5467	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	Max4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IR2010SPBF	4.6000	RFQ	2182	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2010	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	3a，3a	10n，15ns	200 v
ix2127ntr	-	RFQ	4068	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IX2127	不转变	未行业行业经验证	9v〜12v	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	23ns，20ns	600 v
UC2707NG4	-	RFQ	2614	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
IX2D11S7T/r。	-	RFQ	5077	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IX2D11	-	未行业行业经验证	-	14-Soic	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
IR2131JPBF	4.0900	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR1167BSTRPBF	-	RFQ	9327	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
tps2832dr	1.5180	RFQ	2114	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2832	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²