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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LTC1255IS8#trpbf | 7.5000 | ![]() | 6043 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1255 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜24V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | ||||
NCP5181DR2G | 2.3200 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCP5181 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 1.4a,2.2a | 40NS,20NS | 600 v | ||||
![]() | EL7252CSZ-T7 | 2.5384 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7252 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,10n | ||||
![]() | ISL6614IBZ-TR5238 | - | ![]() | 5042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | IR2118STR | - | ![]() | 2640 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2118 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | |||
![]() | NCV81071BZR2G | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | ixdi404pi | - | ![]() | 2250 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDI404 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | IXDI404PI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 16ns,13ns | ||||
![]() | auirs2124str | 1.5106 | ![]() | 5400 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2124 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 500mA,500mA | 80n,80n | 600 v | |||
![]() | IRS2110STRPBF | 3.3600 | ![]() | 870 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2.5a,2.5a | 25ns,17ns | 500 v | |||
![]() | ix4426mtr | 0.5608 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | IX4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 10n,8ns | ||||
![]() | MP1911GTL-P | - | ![]() | 5903 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MP1911GTL-PTR | 500 | ||||||||||||||||||||
![]() | UCC27523DR | 1.6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27523 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.3V | 5a,5a | 7NS,6NS | ||||
![]() | TPS2835PWP | 2.3587 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) | TPS2835 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2.7a,2.4a | 50n,40n | 28 V | |||
![]() | EL7154CN | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.6V,2.4V | 4a,4a | 4NS,4NS | ||||
![]() | IR2153DPBF | 2.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2153 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 80ns,45ns | 600 v | |||
![]() | UCC37325DGNG4 | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | UCC37325 | 反转,无变形 | 4.5V〜15V | 8-msop-powerpad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MCP1407T-E/SN | 1.3700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP1407 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 20N,20N | ||||
![]() | max626cpa+ | 9.8300 | ![]() | 7199 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | Max626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-MAX626CPA+ | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 25NS,20NS | |||
![]() | UCC27201DR | 2.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27201 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 3a,3a | 8NS,7NS | 120 v | |||
![]() | LM2726M | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM2726 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜7V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.25V,2.4V | 3a,3.2a | 17ns,12ns | 42 v | |||
![]() | EL7202CN | - | ![]() | 5719 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7202 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||||
![]() | ZXGD3009DYTA | 0.4200 | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | ZXGD3009 | 不转变 | 未行业行业经验证 | (40V)) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 210NS,240NS | ||||
![]() | TC428IJA | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TC428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC428IJA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | |||
![]() | max4420epa | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | Max4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||||
![]() | IRS2336DSPBF | - | ![]() | 3260 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||||||
![]() | RT9624DGQWA | 0.2614 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | RT9624 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-WDFN-SL(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 25ns,12ns | 15 v | |||
![]() | MCP14E3-E/SN | 2.3500 | ![]() | 3381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E3 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4a,4a | 15NS,18NS | ||||
![]() | IRS2011STSTRPBF | 2.8200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2011 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2.5V | 1a,1a | 25ns,15ns | 200 v | |||
![]() | ISL6612AIR-T | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | LM2724AMX/NOPB | 1.6275 | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM2724 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.3V〜6.8V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,3.2a | 17ns,12ns | 28 V |
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