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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
max4429csa	3.8300	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL6612AIBZ-T	-	RFQ	2088	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR25602SPBF	-	RFQ	1918年	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25602	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TND508S-R-TL-E	-	RFQ	2685	Onmi	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-TND508S-R-TL-E-488			1
IR2301SPBF	-	RFQ	5161	国际整流器	*	大部分	积极的				IR2301					下载		2（1年）	到达不受影响	2156-IR2301SPBF-600047	Ear99	8542.39.0001	1									未行业行业经验证
IR2233STRPBF	9.3500	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
1SD312F2-CM600HB-90H	-	RFQ	3798	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD312F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	12a，12a	100NS，100NS
IRS2127pbf	1.8861	RFQ	1736年	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2127	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
UCC27424PE4	0.8600	RFQ	5358	单位树	*	大部分	积极的		通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27424		未行业行业经验证		8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
max17603asa+	1.6600	RFQ	5902	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17603	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17603ASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
IRS21956STRPBF	-	RFQ	6348	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	IRS21956	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001546510	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3.5V	500mA，500mA	25ns，15ns	600 v
IR1169STRPBF	-	RFQ	9256	国际整流器	高级智能整流器™	大部分	积极的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1169	反转	未行业行业经验证	11V〜19V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.25V	1A，4A	20N，10N
ADP3633ACPZ-RL	-	RFQ	5614	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	-	ADP3633	-	未行业行业经验证	-	8-LFCSP	-		3（168））			Ear99	8542.39.0001	1	-	-		-	-	-	-
LTC4440ES6-5＃trpbf	6.0400	RFQ	1	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
2SP0115T2C0-06	105.0000	RFQ	12	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0115	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1043	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8a，15a	5n，10ns	600 v
FAN3216TMX-F085	0.7400	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8542.39.0001	408									未行业行业经验证
UCC27614DR	2.3900	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27614	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜26V	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10a，10a	4.5NS，4NS
ISL83204AIPZ	4.1100	RFQ	7664	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	20 DIP（0.300英寸，7.62mm）	ISL83204	反转，无变形	未行业行业经验证	9.5V〜15V	20-pdip	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，2.5V	2.6a，2.4a	10n，10n	75 v
FAN7382N	-	RFQ	8308	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
1Sp0335v2m1-xxxx（2）（3）（3）（4）	217.0933	RFQ	7301	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0335V2M1-XXXX （2）（3）（4））			6
MCZ33198EFR2	-	RFQ	9475	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCZ33198	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.5V，3.5V	-	10µs，280µs
IR2131JPBF	4.0900	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MIC4605-1YM-TRVAO	-	RFQ	2251	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4605	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	8-SOIC	下载			到达不受影响	150-MIC4605-1YM-TRVAOTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
DGD2101S8-13	-	RFQ	5874	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
NCP3420DR2G	0.6500	RFQ	6121	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3420	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	16ns，11ns	35 v
TC1411NEUA713	1.6100	RFQ	8982	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
TC4423EOE713	2.6900	RFQ	2203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423EOE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
98-0231	-	RFQ	2514	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR2155pbf	-	RFQ	6415	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2155	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	80ns，45ns	600 v
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P	-	RFQ	6936	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MPQ18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-soice	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ18021HN-AA-AA-AEC1-LF-PTR	Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	115 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²