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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
2EDN7523GXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7523GXTMA1 0.6683
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 2EDN7523 反转 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-WSON-8-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a，5a 5.3NS，4.5NS
2SP0115T2A0-12 Power Integrations 2SP0115T2A0-12 90.0500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 表面安装 模块 2SP0115 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1810-1038 Ear99 8473.30.1180 12 独立的 半桥 2 IGBT - 8a，15a 5n，10ns 1200 v
MIC4468YWM-TR Microchip Technology MIC4468YWM-TR 5.0800
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） MIC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.2a，1.2a 14ns，13ns
SM72482MAX-4/NOPB Texas Instruments SM72482MAX-4/NOPB 1.1760
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SM72482 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MPQ18021 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-soice - rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 1589-MPQ18021HN-AA-AA-AEC1-LF-PTR Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 2.5a，2.5a 12ns，9ns 115 v
UCC27321D Texas Instruments UCC27321D 1.5600
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27321 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.1V，2.7V 9a，9a 20N，20N
MCP1406-E/P Microchip Technology MCP1406-E/p 1.4700
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MCP1406 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 6a，6a 20N，20N
MAX4426MJA/883B ADI/Maxim Integrated MAX4426MJA/883B -
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事，MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C（TA） 通过洞 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） Max4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 20N，20N
IR2010SPBF Infineon Technologies IR2010SPBF 4.6000
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2010 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 3a，3a 10n，15ns 200 v
L6384ED013TR STMicroelectronics L6384ED013TR 1.8700
RFQ
 ECAD 1719年 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -45°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） L6384 反转 未行业行业经验证 14.6v〜16.6v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1.5V，3.6V 400mA，650mA 50ns，30ns 600 v
IX2127NTR IXYS Integrated Circuits Division ix2127ntr -
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX2127 不转变 未行业行业经验证 9v〜12v 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 250mA，500mA 23ns，20ns 600 v
UC2707NG4 Texas Instruments UC2707NG4 -
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -25°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） UC2707 反转，无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1.5a 40n，40n
IX2D11S7T/R IXYS IX2D11S7T/r。 -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IX2D11 - 未行业行业经验证 - 14-Soic - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IR2131JPBF International Rectifier IR2131JPBF 4.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
IR1167BSTRPBF Infineon Technologies IR1167BSTRPBF -
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 Infineon技术 SmarTrectifier™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -25°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR1167 不转变 未行业行业经验证 12v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V，2.15V 2a，7a 18NS，10NS
TPS2832DR Texas Instruments tps2832dr 1.5180
RFQ
 ECAD 2114 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPS2832 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.7a，2.4a 50n，50n 28 V
MC33883DW NXP USA Inc. MC33883DW -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） MC33883 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜28V 20-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 38 独立的 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V，2V 1a，1a 80n，80n 55 v
IR2213S Infineon Technologies IR2213S -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2213 不转变 未行业行业经验证 12v〜20V 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2213S Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 2a，2.5a 25ns，17ns 1200 v
L6498LD STMicroelectronics L6498LD 2.7800
RFQ
 ECAD 4798 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） L6498 CMOS/TTL 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 1.45V，2V 2a，2.5a 25n，25n 500 v
MIC4604YM-TR Microchip Technology MIC4604YM-TR 0.9500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4604 不转变 未行业行业经验证 5.25V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1a 20N，20N
MAX15025AATB+T ADI/Maxim Integrated max15025aatb+t 12.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ADI/MAXIM集成 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 Max15025 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜28V 10-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，4a 42ns，30ns
TC4423MJA Microchip Technology TC4423MJA 42.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4423MJA-NDR Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 3a，3a 23ns，25ns
IR1176 Infineon Technologies IR1176 -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） IR1176 不转变 未行业行业经验证 4v〜5.25V 20-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 18 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a，4a 20N，20N
LM5101CMA Texas Instruments LM5101CMA -
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
IXDI630MYI IXYS Integrated Circuits Division IXDI630MYI 6.9702
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA IXDI630 反转 未行业行业经验证 9V〜35V TO-263-5 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 30a，30a 11n，11ns
MP1921HQ-A-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1921HQ-A-LF-P 1.5211
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 MP1921 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-qfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 2.5a，2.5a 12ns，9ns 120 v
IR4428S Infineon Technologies IR4428S -
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR4428 反转，无变形 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR4428S Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 2.3a，3.3a 15ns，10ns
TPIC46L03DB Texas Instruments TPIC46L03DB -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm） TPIC46L03 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 6 n通道MOSFET - 1.2mA，1.2mA 3.5µs，3µs
TC4427VOA Microchip Technology TC4427VOA 1.7800
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4427VOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 19NS，19NS
2ED4820EMXUMA2 Infineon Technologies 2ED4820EMXUMA2 6.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 24-tssop （0.154英寸，3.90mm宽度） 2ED4820 不转变 未行业行业经验证 20V〜70V PG-TSDSO-24 下载 rohs3符合条件 2a （4周） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.4V，2.6V 300mA，1.3a 3µs，3µs （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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