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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
LM5106SDX	-	RFQ	4943	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5106	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.2a，1.8a	15ns，10ns	118 v
MCP14A0602-E/SN	1.5200	RFQ	5841	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	10n，10n
TC4427AEOA713	1.7800	RFQ	8843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ISL6613ECB-T	-	RFQ	1202	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC27201ADDAR	2.0600	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
IR2153DPBF	2.8700	RFQ	5	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
UCC27201DR	2.3600	RFQ	7	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
LM2726M	-	RFQ	4780	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2726	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.25V，2.4V	3a，3.2a	17ns，12ns	42 v
UCC37325DGNG4	-	RFQ	4055	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37325	反转，无变形		4.5V〜15V	8-msop-powerpad	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n		未行业行业经验证
MCP1407T-E/SN	1.3700	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1407	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
UCC27221PWP	-	RFQ	6148	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27221	反转	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
LM5101ASD-1/NOPB	4.2000	RFQ	4930	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
MAX5056AASA	-	RFQ	2106	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5056	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
UCC27210DDA	-	RFQ	5148	单位树	-	大部分	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27210	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.4V，5.9V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
UCC27324D	1.4900	RFQ	224	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
2SP0320V2A0-12	201.4000	RFQ	8	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0320	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1051	Ear99	8473.30.1180	3	独立的	半桥	2	IGBT	-	20a，20a	7ns，25ns	1200 v
IXDE514D1T/r。	-	RFQ	8047	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDE514	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
FAN3225CMX	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3225	反转，无变形		4.5V〜18V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	12ns，9ns		未行业行业经验证
UCC27528D	1.5360	RFQ	1889年	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27528	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	-	5a，5a	7NS，6NS
MCP14E4-E/SL	-	RFQ	3586	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
LM5114BSD/NOPB	1.7300	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	LM5114	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	6-wson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
ZL1505ALNFT6	-	RFQ	4709	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ZL1505	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜7.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.7V，3.4V	3.2a，3.2a	5.3NS，4.8NS	30 V
IXDN604SIA	2.1500	RFQ	32	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN604	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA337	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
ISL6615AFRZ-T	-	RFQ	2239	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
max17604asa+t	1.2450	RFQ	2510	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17604	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ADP3414JR-REEL	-	RFQ	3329	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3414					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
MC33395TEW	-	RFQ	7290	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MC33395	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜24V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	42	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	-	350n，250n
SIP41104DY-T1-E3	-	RFQ	2166	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SIP41104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，4V	900mA，1.1a	32ns，36ns	50 V
LM5109ASD/NOPB	1.7900	RFQ	7	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
MCP14E6T-E/SN	1.8900	RFQ	1348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E6	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²