RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
EL7202CN	3.9300	RFQ	1	Elantec	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
UCC37324DGN	2.0300	RFQ	155	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
MIC4606-2YML-T5	-	RFQ	4791	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	同步	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
tps2811d	3.5000	RFQ	200	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2811	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
UC2708DWTR	7.0470	RFQ	3782	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
RAA228006GNP＃ha0	6.2643	RFQ	3501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228006GNP＃ha0tr			1
LT1162ISW ＃PBF	16.2900	RFQ	5239	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	32	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
MIC4428BM-TR	-	RFQ	2721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
DGD2103MS8-13	1.1600	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
TC428EOA	1.9000	RFQ	1977年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IXDN602SIA	1.6600	RFQ	27	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA340	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
auirs2123str	1.5106	RFQ	5713	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2123	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001512098	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	500mA，500mA	80n，80n	600 v
ISL95808IRZ-T	2.2879	RFQ	2728	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	33 V
4DUC51016CFA1	157.9100	RFQ	60	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	4DUC51016	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	-	Rohs符合条件	不适用		132-4DUC51016CFA1	Ear99	8543.70.9860	20	同步	半桥	4	IGBT	-	-	-	1200 v
IR2110pbf	3.3000	RFQ	7	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
TC4421AVOA713-VAO	-	RFQ	7206	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
IRS2117pbf	2.1903	RFQ	4151	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
LM5107MA	-	RFQ	1342	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
MAX5057BASA	-	RFQ	7423	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5057	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
TC4421ESM713	3.3900	RFQ	7045	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
LM5109MA	-	RFQ	5822	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
MP6539GF-P	2.0518	RFQ	3607	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）		不转变		8v〜100V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响	1589-MP6539GF-PTR			500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2V	800mA，1a	-	120 v
IXDI402SIA	-	RFQ	9960	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI402	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	8ns，8ns
AUIRS2003S	-	RFQ	6063	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auiirs2003	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001514376	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
ISL89410IBZ-T13	1.6366	RFQ	8011	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
ISL6612BCR	-	RFQ	8456	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR21834STR	-	RFQ	9539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
TC4426VPA	1.5100	RFQ	5701	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MP1921HQ-A-LF-P	1.5211	RFQ	5902	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MP1921	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
UCC37324PE4	-	RFQ	2287	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UCC37324		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²