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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
TPS28225D Texas Instruments TPS28225D 1.9600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPS28225 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜8.8V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 10n，10n 33 V
TPS28225DRBT Texas Instruments TPS28225DRBT 1.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPS28225 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜8.8V 8-son （3x3） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 10n，10n 33 V
TC4423AVMF713 Microchip Technology TC4423AVMF713 2.0100
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S（ 6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 4.5a，4.5a 12n，12ns
TC4425AVMF Microchip Technology TC4425AVMF 2.4500
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4425 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S（ 6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 4.5a，4.5a 12n，12ns
TC4425AVMF713 Microchip Technology TC4425AVMF713 2.0100
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4425 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S（ 6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 4.5a，4.5a 12n，12ns
TC4426AVUA Microchip Technology TC4426AVUA 2.0500
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） TC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 25n，25n
TC4428AVUA713 Microchip Technology TC4428AVUA713 2.0500
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） TC4428 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 25n，25n
TC4451VMF713 Microchip Technology TC4451VMF713 3.3600
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4451 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S（ 6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 13a，13a 30ns，32ns
TC4452VOA713 Microchip Technology TC4452VOA713 2.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC4452 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 13a，13a 30ns，32ns
UBA2033TS/N2,118 NXP USA Inc. UBA2033TS/N2,118 -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm） UBA2033 RC输入电路 未行业行业经验证 10.5v〜13.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET 2V，4V; 3V，6V 180mA，200mA - 550 v
PHD45NQ15T,118 NXP USA Inc. PHD45NQ15T，118 -
RFQ
 ECAD 1098 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 38-TFSOP （0.173“，4.40mm宽度） PHD45 - 未行业行业经验证 - 38-TSSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - - - - -
MC33395EW NXP USA Inc. MC33395EW -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） MC33395 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜24V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 42 3相 半桥 6 n通道MOSFET - - 350n，250n
MC33395EWR2 NXP USA Inc. MC33395EWR2 -
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） MC33395 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜24V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 n通道MOSFET - - 350n，250n
IRS21064PBF Infineon Technologies IRS21064pbf -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IRS21064 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
IRS2108SPBF Infineon Technologies IRS2108SPBF 3.1100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2108 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
IRS2111STRPBF Infineon Technologies IRS2111STRPBF 1.3617
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2111 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 8.3V，12.6V 290mA，600mA 75ns，35ns 600 v
IRS21844STRPBF Infineon Technologies IRS21844STRPBF 3.7600
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
LM5100CMA/NOPB Texas Instruments LM5100CMA/NOPB -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
IXDN502PI IXYS IXDN502PI -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDN502 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
LM5100CSD/NOPB Texas Instruments LM5100CSD/NOPB -
RFQ
 ECAD 8092 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson（4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
SC530ATETRT Semtech Corporation SC530 PATTRT -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SC530 未行业行业经验证 - 3（168）） Ear99 8542.39.0001 3,000
DGD21084S14-13 Diodes Incorporated DGD21084S14-13 -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） DGD21084 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.6V，2.5V 200mA，600mA 100NS，35NS 600 v
DGD21844S14-13 Diodes Incorporated DGD21844S14-13 -
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） DGD21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.4a，1.8a 40NS，20NS 600 v
DGD1503S8-13 Diodes Incorporated DGD1503S8-13 1.0200
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DGD1503 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 70ns，35ns 250 v
MCP14A0601T-E/MNY Microchip Technology MCP14A0601T-E/MNY 1.3350
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MCP14A0601 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-tdfn （2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 6a，6a 10n，10n
NCV5183DR2G onsemi NCV5183DR2G 2.7500
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCV5183 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.2V，2.5V 4.3a，4.3a 12n，12ns 600 v
IRS2890DSPBF Infineon Technologies IRS2890DSPBF 1.5577
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS2890 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 220mA，480mA 85ns，30ns 600 v
6EDM2003L06F06X1SA1 Infineon Technologies 6EDM2003L06F06X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 6EDM2003 未行业行业经验证 - （1 （无限） 到达不受影响 SP000723092 Ear99 8542.39.0001 1
L9907TR STMicroelectronics L9907Tr 11.4100
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 64-TQFP暴露垫 L9907 - 未行业行业经验证 5v〜54V 64-TQFP-EP（10x10） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V，2V - 35ns，35ns
MP1924HR-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1924HR-LF-P 1.7808
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 MP1924 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 10-qfn （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 15ns，12ns 118 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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