感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
UCC27525DR	2.1000	询价	4	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27525	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.3V	5A、5A	7纳秒、6纳秒
NCP5351MNR2G	-	询价	6800	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-30°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	NCP5351	反相、同相	未验证	4.5V~6.5V	10-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	8纳秒、14纳秒	25V
风扇3227TMX	1.5700	询价	3892	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3227	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
MIC4427BM	-	询价	7210	微芯片	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
LTC4441EMSE#PBF	6.1500	询价	83	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4441	非反相	未验证	5V～25V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4441EMSE#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
MAX5063CASA+	6.6900	询价	152	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX5063CASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
MIC4128YME	1.2200	询价	8687	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4128	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	576-1450	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、18纳秒
LT1162CN#PBF	-	询价	2364	模拟器件公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-PDIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
NCP3420MNR2G	-	询价	5133	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP3420	非反相	未验证	4.6V～13.2V	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	16纳秒、11纳秒	35V
AUIRS2301STR	2.6000	询价	4679	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2301	-	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
MCP14A0302T-E/SN	1.0500	询价	4	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0302	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	13纳秒、12纳秒
UCC27323DG4	-	询价	3937	Texas Instruments	-	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27323	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
MAX15013AASA+	8.6600	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX15013	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15013AASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	175伏
TPS2835DRG4	-	询价	5563	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2835	反相	未验证	4.5V～15V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2.7A、2.4A	50纳秒、40纳秒	28V
MIC4425YWM-TR	1.8900	询价	3595	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
UCC27324QDRQ1	1.6500	询价	4	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27324	非反相	未验证	4V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
NCP3418ADR2G	-	询价	9200	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP3418	非反相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	18纳秒、10纳秒	30V
TC4451VMF	3.4700	询价	3609	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4451	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	13A, 13A	30纳秒、32纳秒
IXA611S3T/R	-	询价	2488	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IXA611	非反相	未验证	10V～35V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、7V	600毫安，600毫安	23纳秒、22纳秒	650伏
LM5111-4MY/NOPB	-	询价	7525	国家安全委员会	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-LM5111-4MY/NOPB-14			1
风扇3228TMPX	-	询价	6006	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3228	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
LTC4444EMS8E#WTRPBF	-	询价	5407	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
ISL6615IRZ	-	询价	9104	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6615	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6615IRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A、4A	13纳秒、10纳秒	36V
STSR2PCD	-	询价	3289	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	STSR2	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	2A、3.5A	40纳秒、30纳秒
LM5100BMA	-	询价	2065	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
UCC27532DBVR	1.3800	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27532	非反相	未验证	10V～32V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	7.9V、8.8V	2.5A、5A	15纳秒、7纳秒
L6571BD013TR	2.5900	询价	5115	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6571	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-L6571BD013TRDKR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
TC4426AVMF713	1.3050	询价	4802	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426AVMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
UCC37322DGN	1.5600	询价	9133	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC37322	非反相	未验证	4V~15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
MCP14A0452-E/SN	1.4300	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	4.5A、4.5A	9.5纳秒、9纳秒

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²