感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
UCC27611DRVR	0.9900	询价	6881	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	UCC27611	反相、同相	未验证	4V~18V	6-WSON (2x2)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.3V、1.85V	4A、6A	5纳秒，5纳秒
IXDI609SIATR	2.1300	询价	14	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDI609	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
IRS2334SPBF	2.3616	询价	4101	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2334	非反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,880	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
ISL6614IRZ-TR5238	-	询价	3988	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IR21365STRPBF	-	询价	7191	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21365	反相	未验证	12V~20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001538510	EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MIC4426BMM	-	询价	1050	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
IX2113B	-	询价	6814	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	共增值税亚油酸404	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	600伏
EL7242CS	-	询价	8090	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7242	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
MIC4452BN	-	询价	2800	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
麦克风4469YN	5.3200	询价	96	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1214	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
LTC1163CS8#TRPBF	5.3700	询价	6923	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1163	非反相	未验证	1.8V~6V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	3	N沟道MOSFET	-	-	-
IR2112-1	-	询价	7542	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300"，7.62mm），13引脚	红外2112	非反相	未验证	10V～20V	14-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
TC4425AVOE713	-	询价	5721	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
麦克风5011YN	7.4300	询价	8	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风5011	非反相	未验证	4.75V～32V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.5V	-	-
MCP1404T-E/MF	2.7750	询价	7310	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1404T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
UCC27210DRMR	0.9945	询价	9381	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
MAX15012AASA+	8.1400	询价	7212	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX15012	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15012AASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	175伏
IRS21171STRPBF	-	询价	3857	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21171	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
风扇3213TMX	0.6000	询价	15	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3213	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	504	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
UCC27323P	1.2600	询价	9729	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UCC27323	反相	未验证	4.5V～15V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ISL6613ACBZ	-	询价	2974	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6609ACRZ	3.2900	询价	15	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6609ACRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
MIC4426BMM-TR	-	询价	第1455章	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
TC426EUA	-	询价	4856	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC426EUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
MAX1614EUA	-	询价	9935	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX1614	非反相	未验证	5V~26V	8-uMAX/uSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.6V、2V	-	-
IR2103STRPBF	2.7900	询价	5	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
TC4426EMF713	1.0950	询价	4469	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
2EDS8165HXUMA2	3.3400	询价	第984章	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2EDS8165	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	1A、2A	6.5纳秒、4.5纳秒
EL7202CS-T7	-	询价	9071	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7202	非反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
IR2233JTR	-	询价	8727	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2233	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1200伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²