感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
TC4404COA713	2.7900	询价	8186	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4404	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	TC4404COA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40ns、40ns（顶部）
AUIRS2191S	-	询价	3629	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2191	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001511856	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3.5A、3.5A	15纳秒，15纳秒	600伏
MAX628MJA/883B	-	询价	5800	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
ADP3118JRZ-RL	-	询价	5516	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3118	非反相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	25纳秒、20纳秒	25V
DGD05473FNQ-7	0.9200	询价	1	分散公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘	DGD05473	CMOS/TTL	未验证	4.7V~14V	U-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	16纳秒、12纳秒	50V
风扇3224CMX	2.2800	询价	10	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
ISL6613CBZR5214	-	询价	1241	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDD504SIAT/R	-	询价	2231	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC-EP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IXDD430YI	-	询价	9155	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDD430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-263-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
TC4489CPD	-	询价	6028	微芯片	-	管子	过时的	-	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4489	-	未验证	-	14-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	-	-	4	-	-	-	-
风扇7393AMX	3.2100	询价	6	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7393	非反相	未验证	10V～20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	600伏
IXBD4411PI	-	询价	4595	IXYS	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXBD4411	非反相	未验证	10V～20V	16-DIP	下载		不适用	REACH 不出行	IXBD4411PI-NDR	EAR99	8542.39.0001	25	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、3.65V	2A, 2A	15纳秒，15纳秒	1200伏
MIC4423CN	-	询价	9774	微芯片	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
LTC1177IN-5	-	询价	7976	模拟器件公司	-	大部分	过时的		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LTC1177I	非反相	未验证	4.75V～5.25V	18-DIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20		高侧	1
IR21844STRPBF	4.5400	询价	3	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21844	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
MIC4424BM-TR	-	询价	7630	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
IX2120B	-	询价	6441	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2120	非反相	未验证	15V~20V	28-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA4171	EAR99	8542.39.0001	28	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	1200伏
ISL6613BEIB-T	-	询价	6090	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4425BWM TR	-	询价	1081	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
TC4427AEMF713	1.1850	询价	8075	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AEMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
MIC4429YM	2.0600	询价	860	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
LTC4441IMSE#PBF	10.0400	询价	第578章	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
AUIRS2336S	-	询价	2166	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS2336	非反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511496	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
UC3714D	1.9869	询价	9549	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC3714	非反相	未验证	7V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
TC429EPA	2.3800	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC429	反相	未验证	7V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC429EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	23纳秒、25纳秒
TC4428ACOA	1.5400	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428ACOA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
TC4428VMF	1.1700	询价	第1683章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428VMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
LTC4441ES8-1#PBF	5.8400	询价	5	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4441ES8-1#PBF	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
TPIC46L02DBR	1.5180	询价	8361	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	TPIC46L02	非反相	未验证	4.5V～5.5V	28-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	6	N沟道MOSFET	-	1.2毫安、1.2毫安	3.5μs、3μs
LT1162ISW#TRPBF	10.9800	询价	6183	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	24-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²