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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HIP2100IBZT7A | 4.5800 | ![]() | 132 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||
HR2000GS | - | ![]() | 3579 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | HR2000 | - | 未行业行业经验证 | 10v〜12v | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | - | 600 v | |||
![]() | UCC27710DR | 1.4800 | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27710 | - | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1.5V,1.6V | 500mA,1a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | ISL6613IR | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | LTC1155CS8#tr | 7.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1155 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
![]() | ISL6612ACB-T | 1.3200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||
![]() | MIC4467YWM-TR | 5.0800 | ![]() | 861 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4467 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | |||
![]() | NCP81145MNTBG | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | NCP81145 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.6V,3.3V | - | 16ns,11ns | 35 v | ||
![]() | 2EDN7533GXTMA1 | 0.6683 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 2EDN7533 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | |||||||||||||||||
![]() | TC4429VMF713 | 1.4850 | ![]() | 6717 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4429VMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||
![]() | IVCR1407SR | 1.5700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 发明 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | IVCR1407 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | 4a,4a | 6ns,6ns | ||||
ltc7004imse#trpbf | 6.8600 | ![]() | 4640 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC7004 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜15V | 10-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | 90NS,40NS | 60 V | |||
![]() | TC1426COA | 1.4900 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC1426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,3V | 1.2a,1.2a | 35ns,25n | |||
![]() | ISL6594DCBZ-T | - | ![]() | 4905 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | ISL6620ACBZ-T | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6620 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | ISL6613ACBZ | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | UCC37324P | 1.6000 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | UCC37324 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | |||
TC4423EPA | 2.7800 | ![]() | 8584 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4423 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4423EPA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | |||
![]() | ISL6614AIB | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | IR2103STRPBF | 2.7900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2103 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 210mA,360mA | 100NS,50NS | 600 v | ||
![]() | Max15070baut+t | - | ![]() | 6018 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | Max15070 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 6v〜14V | SOT-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 3a,7a | 36ns,17ns | |||
![]() | max17603aua+t | 1.2450 | ![]() | 1986 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | Max17603 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-umax-ep | 8-usop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 4a,4a | 40ns,25ns | |||
![]() | MIC4469YN | 5.3200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MIC4469 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-1214 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | ||
![]() | max5048aatt-t | - | ![]() | 5960 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | Max5048 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | 6-TDFN (3x3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 1.3a,7.6a | 82ns,12.5ns | ||||
![]() | LTC1155IS8 #PBF | 12.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1155 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -2735-LTC1155IS8 #PBF | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | ||
![]() | MIC5011YM-TR | 5.9100 | ![]() | 9346 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC5011 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜32V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,4.5V | - | - | |||
![]() | ADP3650JRZ | 2.7800 | ![]() | 847 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3650 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.15v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,16NS | |||
![]() | EL7457CL-T13 | - | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16 QFN (4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | |||
![]() | 1SP0635D2S1-12 | 150.4150 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 模块 | 1Sp0635 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 1810-1014 | Ear99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | 1200 v | ||
![]() | MIC4127YMME-TR | 1.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | MIC4127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,18NS |
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