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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
ISL89160FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89160FBEBZ-T -
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 ECAD 1788 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL89160 非反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
IXDF504SIA IXYS IXDF504SIA -
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 ECAD 9731 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDF504 反相、同相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
LT1166CS8#PBF ADI LT1166CS8#PBF 8.2500
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 ECAD 第470章 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LT1166 非反相 未验证 - 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 高侧 2 N沟道MOSFET - - -
TC4423AVOA Microchip Technology TC4423AVOA 2.2300
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 ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4.5A、4.5A 12纳秒, 12纳秒
TC4427EUA Microchip Technology TC4427EUA 2.0000
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 ECAD 6764 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） TC4427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 TC4427EUA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
LTC1155CS8#TRPBF ADI LTC1155CS8#TRPBF 6.3450
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 ECAD 6675 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LTC1155 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
ISL6625AIRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6625AIRZ-T -
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 ECAD 3275 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 ISL6625 非反相 未验证 5.5V～13.2V 8-DFN (2x2) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - -, 3A 31纳秒、18纳秒 36V
IRS21064SPBF Infineon Technologies IRS21064SPBF 1.9618
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 ECAD 8845 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 国税局21064 非反相 未验证 10V～20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 55 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 100纳秒、35纳秒 600伏
RT9625AZQW Richtek USA Inc. RT9625AZQW -
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 ECAD 3914 0.00000000 立锜美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 16-WQFN 裸露焊盘 RT9625 反相、同相 未验证 4.5V～13.2V 16-WQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET 0.7V、3.2V - 25纳秒、12纳秒 15V
2EDN7523RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7523RXTMA1 1.5300
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 ECAD 4 0.00000000 英飞凌科技 EiceDRIVER™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 2EDN7523 非反相 未验证 4.5V～20V PG-TSSOP-8 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.1V、1.98V 5A、5A 5.3纳秒、4.5纳秒
2SB315B-DIM800DDM12-A000 Power Integrations 2SB315B-DIM800DDM12-A000 -
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 ECAD 5140 0.00000000 电源集成 规模™-1 大部分 过时的 - 安装结构 模块 2SB315 - 未验证 0V～16V 模块 下载 1（无限制） EAR99 8473.30.1180 2 单身的 半桥 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - - -
ADP3410KRU-REEL7 onsemi ADP3410KRU-REEL7 -
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 ECAD 7231 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 14-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） ADP3410 非反相 未验证 4.15V~6V 14-TSSOP - 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒 30V
TC4405EOA713 Microchip Technology TC4405EOA713 2.9300
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 ECAD 8080 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4405 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 TC4405EOA713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 40ns、40ns（顶部）
IXDE514SIAT/R IXYS IXDE514SIAT/R -
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 ECAD 3584 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDE514 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
LM5110-3SDX/NOPB Texas Instruments LM5110-3SDX/NOPB 1.2300
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 ECAD 5033 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5110 反相、同相 未验证 3.5V～14V 10-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
ISL6612ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612ACBZ-T 5.3500
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 ECAD 11 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6612 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
ADP3118JCPZ-RL onsemi ADP3118JCPZ-RL -
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 ECAD 2369 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-VFDFN裸露焊盘，CSP ADP3118 非反相 未验证 4.15V～13.2V 8-LFCSP (3x3) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 25纳秒、20纳秒 25V
TC4423AVMF Microchip Technology TC4423AVMF 2.0100
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 ECAD 5282 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4.5A、4.5A 12纳秒, 12纳秒
IR2011S Infineon Technologies IR2011S -
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 ECAD 6072 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2011 反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 *IR2011S EAR99 8542.39.0001 95 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.7V、2.2V 1A、1A 35纳秒、20纳秒 200V
1EDN7511BXUSA1 Infineon Technologies 1EDN7511BX美国1 1.0700
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 ECAD 680 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-23-6 1EDN7511 反相、同相 未验证 4.5V～20V PG-SOT23-6-2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 半桥，低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1.2V、1.9V 4A、8A 6.5纳秒、4.5纳秒
ADP3414JRZ-REEL7 onsemi ADP3414JRZ-REEL7 -
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 ECAD 7696 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 ADP3414 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000
IX6R11M6 IXYS IX6R11M6 -
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 ECAD 1075 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V - 25纳秒、17纳秒 600伏
TC4431EJA Microchip Technology TC4431EJA -
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 ECAD 6070 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4431 反相 未验证 4.5V～30V 8-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4431EJA-NDR EAR99 8542.39.0001 56 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒、33纳秒
IXDE504SIA IXYS IXDE504SIA -
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 ECAD 3991 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDE504 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
TC1412NCPA Microchip Technology TC1412NCPA 1.5600
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 ECAD 3007 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC1412 非反相 未验证 4.5V~16V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC1412NCPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 18纳秒, 18纳秒
IXDD514D1T/R IXYS IXDD514D1T/R -
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 ECAD 2764 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDD514 非反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
ISL89161FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89161FBEAZ -
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 ECAD 3181 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL89161 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -ISL89161FBEAZ EAR99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
MIC4421ABM-TR Microchip Technology MIC4421ABM-TR -
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 ECAD 第1731章 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) SIC停产 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
IR25603PBF Infineon Technologies IR25603PBF -
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 ECAD 6030 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 SIC停产 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IR25603 RC输入电路 未验证 10V～15.6V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 SP001538192 EAR99 8542.31.0001 50 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 180毫安、260毫安 80纳秒、45纳秒 600伏
IRS2113STRPBF Infineon Technologies IRS2113STRPBF 3.7000
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 ECAD 4631 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 国税局2113 非反相 未验证 10V～20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、17纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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