SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
HIP2100IBZT7A Renesas Electronics America Inc HIP2100IBZT7A 4.5800
RFQ
ECAD 132 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP2100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 4V,7V 2a,2a 10n,10n 114 v
HR2000GS Monolithic Power Systems Inc. HR2000GS -
RFQ
ECAD 3579 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) HR2000 - 未行业行业经验证 10v〜12v 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - - 600 v
UCC27710DR Texas Instruments UCC27710DR 1.4800
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27710 - 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1.5V,1.6V 500mA,1a 40NS,20NS 600 v
ISL6613IR Renesas Electronics America Inc ISL6613IR -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
LTC1155CS8#TR ADI LTC1155CS8#tr 7.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC1155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
ISL6612ACB-T Intersil ISL6612ACB-T 1.3200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
MIC4467YWM-TR Microchip Technology MIC4467YWM-TR 5.0800
RFQ
ECAD 861 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4467 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
NCP81145MNTBG onsemi NCP81145MNTBG 0.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP81145 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-DFN(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.6V,3.3V - 16ns,11ns 35 v
2EDN7533GXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7533GXTMA1 0.6683
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 2EDN7533 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000
TC4429VMF713 Microchip Technology TC4429VMF713 1.4850
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4429VMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
IVCR1407SR Inventchip IVCR1407SR 1.5700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 IVCR1407 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET - 4a,4a 6ns,6ns
LTC7004IMSE#TRPBF ADI ltc7004imse#trpbf 6.8600
RFQ
ECAD 4640 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
TC1426COA Microchip Technology TC1426COA 1.4900
RFQ
ECAD 8443 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,3V 1.2a,1.2a 35ns,25n
ISL6594DCBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6594DCBZ-T -
RFQ
ECAD 4905 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6620ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6620ACBZ-T -
RFQ
ECAD 9515 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6620 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 36 V
ISL6613ACBZ Renesas Electronics America Inc ISL6613ACBZ -
RFQ
ECAD 2974 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
UCC37324P Texas Instruments UCC37324P 1.6000
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC37324 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
TC4423EPA Microchip Technology TC4423EPA 2.7800
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4423EPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
ISL6614AIB Renesas Electronics America Inc ISL6614AIB -
RFQ
ECAD 6434 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 14-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IR2103STRPBF Infineon Technologies IR2103STRPBF 2.7900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2103 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
MAX15070BAUT+T ADI/Maxim Integrated Max15070baut+t -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 Max15070 反转,无变形 未行业行业经验证 6v〜14V SOT-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V,4.25V 3a,7a 36ns,17ns
MAX17603AUA+T ADI/Maxim Integrated max17603aua+t 1.2450
RFQ
ECAD 1986 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max17603 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 4a,4a 40ns,25ns
MIC4469YN Microchip Technology MIC4469YN 5.3200
RFQ
ECAD 96 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) MIC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-1214 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
MAX5048AATT-T ADI/Maxim Integrated max5048aatt-t -
RFQ
ECAD 5960 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 Max5048 反转,无变形 未行业行业经验证 4v〜12.6V 6-TDFN (3x3) - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 1.3a,7.6a 82ns,12.5ns
LTC1155IS8#PBF ADI LTC1155IS8 #PBF 12.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC1155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC1155IS8 #PBF Ear99 8542.39.0001 100 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
MIC5011YM-TR Microchip Technology MIC5011YM-TR 5.9100
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC5011 不转变 未行业行业经验证 4.75V〜32V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 n通道MOSFET 2V,4.5V - -
ADP3650JRZ ADI ADP3650JRZ 2.7800
RFQ
ECAD 847 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3650 不转变 未行业行业经验证 4.15v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,16NS
EL7457CL-T13 Renesas Electronics America Inc EL7457CL-T13 -
RFQ
ECAD 9820 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-VQFN暴露垫 EL7457 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16 QFN (4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 13.5ns,13ns
1SP0635D2S1-12 Power Integrations 1SP0635D2S1-12 150.4150
RFQ
ECAD 4468 0.00000000 电源集成 Scale™-2 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 模块 1Sp0635 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 1810-1014 Ear99 8473.30.1180 6 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 35a,35a 9ns,30ns 1200 v
MIC4127YMME-TR Microchip Technology MIC4127YMME-TR 1.2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) MIC4127 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库