感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IRS2109C	-	询价	9647	英飞凌科技	-	大部分	的积极				国税局2109		未验证			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001545424	EAR99	8542.39.0001	1
MIC4427YMM	1.4500	询价	9081	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
ISL89162FRTBZ	-	询价	5076	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
TC4426EMF	1.0950	询价	6789	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426EMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MAX1614EUA	-	询价	9935	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX1614	非反相	未验证	5V~26V	8-uMAX/uSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.6V、2V	-	-
MIC4452BN	-	询价	2800	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
ISL6609ACRZ	3.2900	询价	15	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6609ACRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
ADP36110091RMZR	0.1800	询价	28	onsemi	*	大部分	的积极				ADP36110091		未验证			-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IR2103STRPBF	2.7900	询价	5	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
MIC5016BN	-	询价	9519	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风5016	非反相	未验证	2.75V～30V	14-DIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
MIC4423ZWM-TR	2.1800	询价	2411	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
2SP0115T2C0C-XXXX (2)(3)(4)(5)	136.1483	询价	6037	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0115T2C0C-XXXX(2)(3)(4)(5)			12
5962-87619012A	-	询价	第1522章	Texas Instruments	*	管子	的积极									下载	符合ROHS3标准	不适用		296-5962-87619012A			1
LTC4440ES6#TRMPBF	6.0400	询价	1	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	LTC4440	非反相	未验证	8V~15V	TSOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.3V、1.6V	2.4A、2.4A	10纳秒、7纳秒	80V
DGD2184MS8-13	1.8800	询价	9871	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2184	非反相	未验证	10V～20V	8-SO TH型	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.4A、1.8A	40纳秒、20纳秒	600伏
ISL6613CBZR5214	1.3000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	-	不适用				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
1EDN7550BXTSA1	1.0700	询价	7566	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	1EDN7550	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-SOT23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	-	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒	84V
MP18024HN-LF	-	询价	9266	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MP18024	非反相	未验证	9V~16V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	-	15纳秒、9纳秒	100伏
IRS2008STRPBF	1.3800	询价	17号	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2008	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、30纳秒	200V
ISL6622IRZ-T	-	询价	1265	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
UCC27201ATDA3	4.6298	询价	8613	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	-	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
TLE918020QKXUMA1	-	询价	7880	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的				TLE918020		未验证			-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	448-TLE918020QKXUMA1TR	EAR99	8542.39.0001	1,900人
TCK425G,L3F	0.8500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	6-XFBGA、WLCSP	TCK425	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPG (0.8x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.4V、1.2V	-	-
IRS21864PBF	4.3100	询价	第875章	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局21864	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	22纳秒、18纳秒	600伏
IR2235STRPBF	-	询价	2122	国际校正器公司	-	大部分	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	红外2235	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1.2V
HIP2121FRTAZ-T	-	询价	2466	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	HIP2121	反相	未验证	8V~14V	10-TDFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
LM5111-4M/NOPB	1.9680	询价	6738	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5111	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
HIP6603BCBZ	1.5900	询价	799	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 70°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6603	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
RAA229618GNP#HA0	7.5012	询价	5207	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA229618GNP#HA0TR			1
MIC4423ZWM	2.8900	询价	3311	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²