感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX5077AUD-T	-	询价	9011	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	MAX5077	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	14-TSSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
IRS2118SPBF	1.0775	询价	6095	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2118	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,800	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
PM8834M	-	询价	1145	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	PM8834	非反相	未验证	5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	45纳秒、35纳秒
RAA228006GNP#MA0	7.7041	询价	9106	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA228006GNP#MA0TR			1
ISL6612BIB	-	询价	2363	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP1406T-E/MFVAO	-	询价	2508	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
NCP1392BDR2G	1.1800	询价	3988	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP1392	非反相	未验证	8V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	500毫安，1安	40纳秒、20纳秒	600伏
DGD05463FN-7	0.8500	询价	14	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	DGD05463	CMOS/TTL	未验证	4.5V~14V	W-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	17纳秒、12纳秒	50V
IXDD609SI	3.1300	询价	5	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA363	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
ADP3633ARHZ-RL	1.6650	询价	5690	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	ADP3633	反相	未验证	9.5V～18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
IXDI630CI	9.7600	询价	22	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI630	反相	未验证	12.5V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒
2SC0435T2G1-17	99.7100	询价	94	电源集成	规模™-2+	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0435	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）		1810-1029	EAR99	8473.30.1180	24	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	35A, 35A	20纳秒, 20纳秒	1700伏
MC33153PG	2.5000	询价	7863	onsemi	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MC33153	反相	未验证	11V~20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、3.2V	1A、2A	17纳秒, 17纳秒
ISL6614ACBZ	4.4300	询价	994	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6614ACBZ	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
AUIRS21814S	-	询价	3762	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2181	反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511300	EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	15纳秒，15纳秒	600伏
MCP14E5-E/MF	2.2050	询价	5432	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E5	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
NCP3418DR2	-	询价	5684	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP3418	非反相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	18纳秒、10纳秒	30V
MP1921HR-A-LF-Z	-	询价	6202	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VDFN 裸露焊盘	MP1921	非反相	未验证	9V~18V	10-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	120V
DGD0507FN-7	-	询价	6018	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	DGD0507	CMOS/TTL	未验证	8V~14V	W-DFN3030-10	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2A	23纳秒、18纳秒	50V
TC1411VUA713	1.2700	询价	1023	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1411	反相	未验证	4.5V～16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
LTC7000IMSE#TRPBF	8.9300	询价	2507	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
ISL6613CR	-	询价	4841	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDI509D1	-	询价	2241	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	IXDI509	反相	未验证	4.5V～30V	6-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
MIC4420BM-TR	-	询价	9854	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
ISL6614CRZA-TR5214	-	询价	5560	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4424CWMTR	0.7000	询价	13	微芯片	-	大部分	的积极	0℃～70℃	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
SM74104MAX/NOPB	1.6695	询价	6420	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SM74104	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
IXDN409CI	-	询价	4816	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDN409	非反相	未验证	4.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	9A, 9A	10纳秒，10纳秒
2SB315A-CM800DZ-34H	-	询价	7201	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-	安装结构	模块	2SB315	-	未验证	0V～16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	-
2SP0325T2A1-CM1800DY-34S	-	询价	8086	电源集成	规模™-2	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	2SP0325	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	库存请求验证			1810-2SP0325T2A1-CM1800DY-34S	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	25A，-	600纳秒、750纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²