SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
TLE92108232QXXUMA1 Infineon Technologies TLE92108232QXXUMA1 4.5300
RFQ
ECAD 3194 0.00000000 Infineon技术 Motix™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TLE92108232 不转变 未行业行业经验证 6v〜28V PG-VQFN-48-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - 100mA,100mA - 950 v
2ED2181S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2181S06FXUMA1 3.2400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-53 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 2.5a,2.5a 15ns,15ns 650 v
2ED2182S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2182S06FXUMA1 2.9100
RFQ
ECAD 4111 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2182 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-69 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 448-2ED2182S06FXUMA1CT Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 2.5a,2.5a 15ns,15ns 650 v
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2108S06FXUMA1 2.2700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED2108 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8-53 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 650 v
PCA9440HEZ NXP USA Inc. PCA9440HEZ -
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ECAD 8532 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 18-PowerUfqFn PCA9440 - 未行业行业经验证 - 18-huqfn(2.6x2.6) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,500 - - - - - -
MCP14A1202-E/SN Microchip Technology MCP14A1202-E/SN 2.1500
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ECAD 806 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A1202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
MCP14A1201T-E/SN Microchip Technology MCP14A1201T-E/SN 1.7400
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ECAD 5491 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A1201 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
MCP14A1202T-E/MNY Microchip Technology MCP14A1202T-E/MNY 2.3500
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ECAD 931 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MCP14A1202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-tdfn (2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
MCP14A1202T-E/MS Microchip Technology MCP14A1202T-E/MS 1.7400
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ECAD 8501 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A1202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
DGD05473FNQ-7 Diodes Incorporated DGD05473FNQ-7 0.9200
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ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 10-UFDFN暴露垫 DGD05473 CMOS/TTL 未行业行业经验证 4.7V〜14V U-DFN3030-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,2.5a 16ns,12ns 50 V
DGD0590AFU-7 Diodes Incorporated DGD0590AFU-7 0.8400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 DGD0590 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V V-QFN3030-8(TH) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 1a,3a 27ns,29ns 50 V
DGD2181MS8-13 Diodes Incorporated DGD2181MS8-13 0.8343
RFQ
ECAD 5544 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DGD2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so类型th 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DGD2181MS8-13DI Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
DGD2184MS8-13 Diodes Incorporated DGD2184MS8-13 1.8800
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DGD2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so类型th 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.4a,1.8a 40NS,20NS 600 v
2SP0325T2A1-CM2500DY-24S Power Integrations 2SP0325T2A1-CM2500DYD​​YD ODY-24S -
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ECAD 5670 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 过时的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2SP0325 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 请求库存验证 1810-2SP0325T2A1-CM2500DYD​​YD ODY-24S Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT - 25a, - 600NS,750NS
2SP0325T2A1-CM1800DY-34S Power Integrations 2SP0325T2A1-CM1800DY-34 -
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 过时的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2SP0325 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 请求库存验证 1810-2SP0325T2A1-CM1800DY-34 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT - 25a, - 600NS,750NS
IHD660NC1 Power Integrations IHD660NC1 -
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ECAD 7307 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD660 不转变 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD660NC1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
IHD660IC1 Power Integrations IHD660IC1 -
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD660 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD660IC1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
IHD260IC1 Power Integrations IHD260IC1 -
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 36浸,24条线索 IHD260 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 1810-IHD260IC1 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - - 100NS,80NS
RT7028AGN Richtek USA Inc. RT7028AGN -
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ECAD 2118 0.00000000 Richtek USA Inc. - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) RT7028 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8点 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 300mA,600mA 70ns,35ns 600 v
RT7021BGN Richtek USA Inc. RT7021BGN -
RFQ
ECAD 1697年 0.00000000 Richtek USA Inc. - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) RT7021 不转变 未行业行业经验证 13v〜20V 8点 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 300mA,600mA 70ns,35ns 600 v
MAX20307EWL+ ADI/Maxim Integrated max20307ewl+ -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 15-WFBGA,WLBGA Max20307 TTL 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 15-wlp(1.22x2.05) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.4V,1.6V 1a,5a 5NS,1NS 60 V
LT8672JMS#PBF ADI LT8672JMS #PBF 6.5600
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ECAD 190 0.00000000 模拟设备公司 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - -50mA,300mA -
LT8672JMS#TRPBF ADI LT8672JMS#trpbf 3.9000
RFQ
ECAD 6932 0.00000000 模拟设备公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 161-LT8672JMS#trpbftr Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - -50mA,300mA -
SC1302AIMSTRT Semtech Corporation SC1302AIMSTRT -
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) SC1302 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V 8-msop 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 1.6a,1.6a 20N,20N
SC1302BIMSTRT Semtech Corporation SC1302BIMSTRT -
RFQ
ECAD 7251 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) SC1302 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V 8-msop 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 1.6a,1.6a 20N,20N
PDRV83053QPHPRQ1 Texas Instruments PDRV83053QPHPRQ1 -
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 48-POWERTQFP PDRV83053 不转变 未行业行业经验证 4.4V〜45V 48-HTQFP(7x7) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a -
L6385E STMicroelectronics L6385E -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) L6385 反转 未行业行业经验证 (17V)) 8点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.5V,3.6V 400mA,650mA 50ns,30ns 600 v
MCP1415T-E/OTVAO Microchip Technology MCP1415T-E/OTVAO -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 MCP1415 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 18NS,21NS
MIC4102YM Microchip Technology MIC4102YM 2.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4102 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-1184 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 2a,3a 330NS,200NS 118 v
ISL6622ACBZ Renesas Electronics America Inc ISL6622ACBZ -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6622 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -isl6622acbz Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库