感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IX2120B	-	询价	6441	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2120	非反相	未验证	15V~20V	28-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA4171	EAR99	8542.39.0001	28	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	1200伏
LTC4444IMS8E#WTRPBF	-	询价	6192	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
IR2103SPBF-红外	-	询价	6049	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
ISL6613BEIB-T	-	询价	6090	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4404COA713	2.7900	询价	8186	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4404	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	TC4404COA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40ns、40ns（顶部）
MIC4426BMM	-	询价	1050	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
IX2113B	-	询价	6814	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	共增值税亚油酸404	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	600伏
TC426EUA	-	询价	4856	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC426EUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
TC4426EMF713	1.0950	询价	4469	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MCP1405-E/P	2.8000	询价	200	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
MCP1404T-E/MF	2.7750	询价	7310	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1404T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
MCP1405T-E/SN	2.5200	询价	6793	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1405T-E/SNTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
IRS2001PBF	2.3464	询价	8033	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2001	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001542642	EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	200V
ISL6207CRZ	-	询价	第1385章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
TC427COA	1.5900	询价	6161	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
2EDN8523GXTMA1	0.6683	询价	6075	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	2EDN8523	反相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
ISL6613ACBZ	-	询价	2974	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
UCC27210DRMR	0.9945	询价	9381	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
ISL6594ACRZ	2.0700	询价	第475章	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2EDS8165HXUMA2	3.3400	询价	第984章	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2EDS8165	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	1A、2A	6.5纳秒、4.5纳秒
风扇3213TMX	0.6000	询价	15	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3213	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	504	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
IR25601SPBF	-	询价	8113	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25601	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP001536920	EAR99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	60毫安、130毫安	200纳秒、100纳秒	600伏
TPS2817DBVT	2.1700	询价	500	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2817	非反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
MIC4421ZM-TR	2.3500	询价	第440章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
EL7457CU-T13	-	询价	8375	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-QSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
IXDF404SI	-	询价	1857年	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF404	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	IXDF404SI-NDR	EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
TD352IN	-	询价	8589	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TD352	非反相	未验证	12V~26V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、4.2V	1.3A、1.7A	100ns、100ns（顶部）
TC4452VPA	3.2000年	询价	180	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	13A, 13A	30纳秒、32纳秒
IRS2110SPBF	3.4700	询价	6	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2110	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001542768	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	500V
MD1813K6-G	3.6900	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	MD1813	非反相	未验证	4.5V～13V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.3V、1.7V	2A, 2A	6纳秒，6纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²