RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
NCP5106BMNTWG	-	RFQ	5255	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vdfn裸露的垫子	NCP5106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	10-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
MCP14A0453-E/SN	1.2900	RFQ	8234	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0453	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
IRS2607DSTRPBF	1.0800	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2607	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2 V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
NCP5911MNTBG	-	RFQ	5887	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP5911	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.6V，3.3V	-	16ns，11ns
ISL6612IBZ-TR5238	-	RFQ	6078	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR1167BSPBF	-	RFQ	9276	Infineon技术	SmarTrectifier™	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
tps2814p	2.0800	RFQ	427	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TSC427MJA/883B	-	RFQ	6950	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TSC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
TSC427MJA	-	RFQ	4575	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TSC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-TSC427MJA			50	独立的	低侧		n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS21952STRPBF	-	RFQ	8886	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21952	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥，低侧	3	n通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
IR21814pbf	-	RFQ	3061	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
TC4626EPA	5.2300	RFQ	6287	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4626	反转	未行业行业经验证	4V〜6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4626EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
ISL6207CR-T	-	RFQ	7567	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
MIC4424BM-Tr	-	RFQ	7630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
Fan3100TSX	1.0900	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	Fan3100	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	13ns，9ns
IXDI430MYI	-	RFQ	7496	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDI430	反转	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
Max15025Datb+t	-	RFQ	5749	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	2a，4a	48ns，32ns
LM2726MX/NOPB	-	RFQ	8515	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2726	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.25V，2.4V	3a，3.2a	17ns，12ns	42 v
IX2120B	-	RFQ	6441	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2120	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	28-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA4171	Ear99	8542.39.0001	28	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	9.4ns，9.7ns	1200 v
TC4452VPA	3.2000	RFQ	180	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
ISL6620ACRZ-T	-	RFQ	1964年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
IXD611S1	-	RFQ	8650	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	470	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
ISL6613IRZ-T	-	RFQ	2338	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC1426CUA	-	RFQ	7070	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1426CUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
UCC27282QDQ1	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27282	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	296-UCC27282QDQ1	Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.9V，2.4V	2.5a，3.5a	12n，10n	120 v
UCC27423DR	1.7700	RFQ	8	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LM5101ASDX	4.6530	RFQ	7762	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
DGD0590FU-7	-	RFQ	9772	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	DGD0590	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	V-QFN3030-8（TH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，3.3V	1a，3a	27ns，29ns	50 V
IXK611S1	-	RFQ	3966	ixys	-	盒子	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXK611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	470	-	-		-	-	-	-
MCP14E4-E/p	2.6300	RFQ	5331	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E4EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²