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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXE611S1 IXYS IXE611S1 -
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 ECAD 9107 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXE611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
LM5105SDX Texas Instruments LM5105SDX -
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 ECAD 5042 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5105 非反相 未验证 8V~14V 10-WSON (4x4) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1.8A、1.8A 15纳秒，15纳秒 118V
HIP2101EIBZT Renesas Electronics America Inc HIP2101EIBZT 4.5800
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 ECAD 6437 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 HIP2101 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A, 2A 10纳秒，10纳秒 114V
ICL7667EPA ADI/Maxim Integrated ICL7667EPA -
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 ECAD 2194 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） ICL7667 反相 未验证 4.5V～17V 8-PDIP 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 - 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒
ADP3654ARDZ-R7 ADI ADP3654ARDZ-R7 2.8500
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 ECAD 1 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ADP3654 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 4A, 4A 10纳秒，10纳秒
TC4429CAT Microchip Technology TC4429CAT 3.9700
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 ECAD 206 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 TO-220-5 TC4429 反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 TC4429CAT-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
IR21364SPBF Infineon Technologies IR21364SPBF -
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 ECAD 8434 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR21364 非反相 未验证 11.5V～20V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 SP001543818 EAR99 8542.39.0001 2,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
MAX15013BASA+ ADI/Maxim Integrated MAX15013BASA+ 8.1400
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 ECAD 400 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MAX15013 反相、同相 未验证 8V～12.6V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -4941-MAX15013BASA+ EAR99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 65纳秒, 65纳秒 175伏
TC4626EPA Microchip Technology TC4626EPA 5.2300
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 ECAD 6287 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4626 反相 未验证 4V~6V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4626EPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 33纳秒、27纳秒
IXDN404SIA IXYS IXDN404SIA -
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 ECAD 7115 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN404 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 Q3206197A EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
MIC5016YN Microchip Technology 麦克风5016YN -
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 ECAD 6506 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风5016 非反相 未验证 2.75V～30V 14-DIP - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 576-1236 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
IRS21271SPBF Infineon Technologies IRS21271SPBF 0.8351
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 ECAD 6491 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 国税局21271 非反相 未验证 9V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
MCP14A0305T-E/MNY Microchip Technology MCP14A0305T-E/MNY 1.2200
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 ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 MCP14A0305 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-TDFN (2x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 12纳秒, 12纳秒
LTC4440ES6-5#TRMPBF ADI LTC4440ES6-5#TRMPBF 6.0400
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 ECAD 15 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 LTC4440 非反相 未验证 4V～15V TSOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.3V、1.6V 2.4A、2.4A 10纳秒、7纳秒 80V
111-4093PBF Infineon Technologies 111-4093PBF -
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 ECAD 2419 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 - 111-4093 - 未验证 - 下载 1（无限制） REACH 不出行 SP001562736 过时的 0000.00.0000 2,500人 - - - - - -
LTC1693-1IS8#TRPBF ADI LTC1693-1IS8#TRPBF 6.6000
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 ECAD 4 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LTC1693 非反相 未验证 4.5V～13.2V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 1.7V、2.2V 1.5A、1.5A 16纳秒, 16纳秒
IR2086STRPBF Infineon Technologies IR2086STRPBF -
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 ECAD 6625 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 红外2086 RC输入电路 未验证 9.5V～15V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.2A、1.2A 40纳秒、20纳秒 100伏
IRS2110SPBF Infineon Technologies IRS2110SPBF 3.4700
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 ECAD 6 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 国税局2110 非反相 未验证 10V～20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 SP001542768 EAR99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、17纳秒 500V
MD1813K6-G Microchip Technology MD1813K6-G 3.6900
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 ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 MD1813 非反相 未验证 4.5V～13V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 半桥 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.3V、1.7V 2A, 2A 6纳秒，6纳秒
NCV33152DR2G onsemi NCV33152DR2G 1.5600
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 ECAD 9002 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） NCV33152 非反相 未验证 6.1V～18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.6V 1.5A、1.5A 36纳秒、32纳秒
MIC4421ZM-TR Microchip Technology MIC4421ZM-TR 2.3500
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 ECAD 第440章 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
MIC4414YFT-TR Microchip Technology MIC4414YFT-TR 0.8900
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 ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 4-UQFN 麦克风4414 非反相 未验证 4.5V~18V 4-TQFN (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 1.5A、1.5A 12纳秒, 12纳秒
EL7457CU-T13 Renesas Electronics America Inc EL7457CU-T13 -
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 ECAD 8375 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） EL7457 非反相 未验证 4.5V~18V 16-QSOP 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 13.5纳秒、13纳秒
TC1411NCPA Microchip Technology TC1411NCPA 1.7000
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 ECAD 5 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC1411 非反相 未验证 4.5V～16V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC1411NCPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1A、1A 25纳秒, 25纳秒
TD352IN STMicroelectronics TD352IN -
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 ECAD 8589 0.00000000 意法半导体 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TD352 非反相 未验证 12V~26V 8-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、4.2V 1.3A、1.7A 100ns、100ns（顶部）
TC4452VPA Microchip Technology TC4452VPA 3.2000年
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 ECAD 180 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4452 非反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 13A, 13A 30纳秒、32纳秒
IR25601SPBF Infineon Technologies IR25601SPBF -
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 ECAD 8113 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR25601 非反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 SP001536920 EAR99 8542.39.0001 3,800 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.3V 60毫安、130毫安 200纳秒、100纳秒 600伏
TPS2817DBVT Texas Instruments TPS2817DBVT 2.1700
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 ECAD 500 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TPS2817 非反相 未验证 4V~14V SOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒, 14纳秒
IRS21531DSPBF Infineon Technologies IRS21531DSPBF 0.9233
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 ECAD 6110 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 国税局21531 RC输入电路 未验证 10V～15.4V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 180毫安、260毫安 120纳秒、50纳秒 600伏
ISL6612ECBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612ECBZ -
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 ECAD 6278 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 980 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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