感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MIC4102YM	2.6500	询价	4	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4102	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1184	EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、3A	330纳秒、200纳秒	118V
MIC4420ZM-TR	2.0600	询价	6226	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
ISL6700IR	1.2100	询价	2	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	12-QFN (4x4)	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
风扇3121TMX	1.5600	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3121	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
IR21064S	-	询价	6618	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21064S	EAR99	8542.39.0001	55	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
TC4423EMF713	1.6950	询价	第1392章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4423EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
MIC4429ZM-TR	1.5600	询价	2930	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
TC4626COE	4.6500	询价	7289	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4626	反相	未验证	4V~6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4626COE-NDR	EAR99	8542.39.0001	47	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	33纳秒、27纳秒
IXDN504PI	-	询价	3750	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IHD260IC1	-	询价	3266	电源集成	规模™-1	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	36-DIP模块，24引脚	IHD260	反相	未验证	14V~16V	模块	下载				1810-IHD260IC1	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	-	100纳秒、80纳秒
MAX5056AASA-T	-	询价	8567	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5056	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
DGD2190S8-13	0.8204	询价	7416	分散公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2190	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
ISL89164FRTBZ-T	2.9559	询价	6469	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
麦克风5014YM	2.9100	询价	2	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风5014	非反相	未验证	2.75V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
TC4427AMJA	-	询价	7190	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AMJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
ISL6209CB-T	-	询价	4938	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6209	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、3.1V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
LTC3900MPS8#PBF	14.3580	询价	9887	模拟器件公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC3900	反相、同相	未验证	4.5V～11V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC3900MPS8#PBF	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	15纳秒，15纳秒
IRS2330DJTRPBF	3.7600	询价	91	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2330	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、0.8V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
LTC4440AIMS8E-5#PBF	6.4600	询价	第558章	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4440	非反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4440AIMS8E-5#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.2V、1.6V	1.1A、1.1A	10纳秒、7纳秒	80V
LTC4440AHMS8E-5#TRPBF	3.9750	询价	7953	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4440	非反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	LTC4440AHMS8E-5#TRPBFTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.2V、1.6V	1.1A、1.1A	10纳秒、7纳秒	80V
ISL6594BCB	0.7200	询价	第662章	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
NCP4429P	0.5300	询价	25	onsemi	*	大部分	的积极				NCP4429		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
UCC27424QDGNRQ1	0.5670	询价	第1659章	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27424	非反相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
L9856-LF	-	询价	2735	意法半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L9856	反相	未验证	4.4V~6.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	100纳秒，100纳秒	150伏
NCP5351DR2G	-	询价	8370	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-30°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5351	反相、同相	未验证	4.5V~6.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	8纳秒、14纳秒	25V
UCC27425QDRQ1	0.5670	询价	4098	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27425	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
IXDN402PI	-	询价	7203	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN402	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒
IXDN514PI	-	询价	5643	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN514	非反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、2.5V	14A, 14A	25纳秒、22纳秒
MCP14A0051T-E/五月	0.7350	询价	4358	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	MCP14A0051	反相	未验证	4.5V~18V	6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	40纳秒、28纳秒
1EDN8511BXTSA1	-	询价	4301	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	1EDN8511	反相、同相	未验证	4.5V～20V	PG-SOT23-6-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001491592	EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥，低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.2V、1.9V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²