感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
IR2136	-	询价	第1654章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	28-DIP（0.600英寸，15.24毫米）	IR2136	反相	未验证	10V～20V	28-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	13	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
HIP6604BCR-T	-	询价	1988年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6604	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
MAX8811EEE+	6.1400	询价	83	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX8811	非反相	未验证	4.5V～7V	16-QSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		175-MAX8811EEE+	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	6A, 6A	14纳秒、9纳秒	30V
ISL6605CBZ	2.1300	询价	612	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
IR21362JPBF	-	询价	6801	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
DGD0636S28-13	-	询价	8733	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	DGD0636	反相	未验证	10V～20V	28-SO	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,500人	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	200毫安、350毫安	90纳秒、35纳秒	100伏
IR2112SPBF	2.2900	询价	第415章	国际校正器公司	*	大部分	的积极				红外2112					下载					EAR99	8542.39.0001	132									未验证
IR2132JTRPBF	11.9200	询价	第490章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2132	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
MCP14A0155T-E/MS	0.9450	询价	5091	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0155	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
IXDN502SIA	-	询价	6286	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN502	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
ISL6609CBZ	-	询价	4428	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
2ED020I12FIXUMA1	5.4700	询价	11	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2ED020	反相	未验证	14V~18V	PG-DSO-18-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、2A	20纳秒, 20纳秒	1200伏
MIC4225YMME	2.8900	询价	第326章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	麦克风4225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
LT8672IMS#PBF	6.5600	询价	850	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LT8672	非反相	未验证	3V～42V	10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
MAX4420CSA+T	2.8050	询价	7179	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
IX2204NETR	-	询价	7124	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX2204	非反相	未验证	-10V～25V	16-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	2A、4A	-，8纳秒
L6498LDTR	2.7800	询价	2166	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6498	CMOS/TTL	未验证	10V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.45V、2V	2A、2.5A	25纳秒, 25纳秒	500V
ISL6614CB	-	询价	4709	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IX2A11S1T/R	-	询价	4902	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX2A11	-	未验证	-	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
IR2011PBF	4.8600	询价	5	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2011	反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.2V	1A、1A	35纳秒、20纳秒	200V
MAX4426EPA+	-	询价	8475	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		反相		4.5V~18V	8-PDIP	-					EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
IXDN430MYI	-	询价	8710	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDN430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-263-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q1952551	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
TPS2818MDBVREPG4	-	询价	4373	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-55℃～125℃（TA）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2818	反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
MP1909GTL-P	1.5600	询价	第492章	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SOT-583	MP1909	非反相	未验证	4.5V～12V	SOT-583	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1909GTL-PTR	EAR99	8542.39.0001	500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、4A	10纳秒、6纳秒	50V
ISL89161FBEBZ	-	询价	2862	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89161	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89161FBEBZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
HIP2106IB	1.0100	询价	2	Intersil	-	大部分	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP2106	非反相	未验证	9V～16.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	116伏
IX2120B	-	询价	6441	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2120	非反相	未验证	15V~20V	28-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA4171	EAR99	8542.39.0001	28	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	1200伏
LTC4444IMS8E#WTRPBF	-	询价	6192	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
IR2103SPBF-红外	-	询价	6049	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
ISL6613BEIB-T	-	询价	6090	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²