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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
MP1921HQ-A-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1921HQ-A-LF-Z 1.0050
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 ECAD 9931 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MP1921 非反相 未验证 9V~18V 8-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.4V 2.5A、2.5A 12纳秒、9纳秒 120V
IXDN414YI IXYS IXDN414YI -
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 ECAD 4444 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA IXDN414 非反相 未验证 4.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 22纳秒、20纳秒
PE29100A-X pSemi PE29100A-X -
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 ECAD 9847 0.00000000 半半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 死 PE29100 - 未验证 4V～5.5V 死 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 500 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A、4A 2.5纳秒、2.5纳秒 100伏
MIC4428YMM-TR Microchip Technology MIC4428YMM-TR 1.4500
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 ECAD 931 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 麦克风4428 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 20纳秒、29纳秒
MCP14E9T-E/SN Microchip Technology MCP14E9T-E/SN 1.8300
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 ECAD 9625 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MCP14E9 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 14纳秒、17纳秒
ZXGD3102T8TA Diodes Incorporated ZXGD3102T8TA -
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 ECAD 8918 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-223-8 ZXGD3102 非反相 未验证 5V~15V SM8 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 ZXGD3102T8TADI EAR99 8541.29.0095 1,000 单身的 高侧或低侧 1 N沟道MOSFET - 2A、5A 9840纳秒、78纳秒
MIC4421ZN Microchip Technology MIC4421ZN 3.2100
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 ECAD 90 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
UCC27211AQDDARQ1 Texas Instruments UCC27211AQDDARQ1 2.3100
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 ECAD 7910 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） UCC27211 非反相 未验证 8V~17V 8-SO电源板 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1.2V、2.55V 4A, 4A 7.2纳秒、5.5纳秒 120V
IX2R11M6 IXYS IX2R11M6 -
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 ECAD 2053 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX2R11 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 8纳秒、7纳秒 500V
UC3705T Texas Instruments UC3705T -
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 ECAD 4312 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 0℃～70℃（TA） 通孔 TO-220-5 UC3705 反相、同相 未验证 5V～40V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A, 2A 60纳秒, 60纳秒
ADP3410KRU-REEL onsemi ADP3410KRU-卷轴 -
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 ECAD 8587 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 14-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） ADP3410 非反相 未验证 4.15V~6V 14-TSSOP - 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒 30V
DGD2110S16-13 Diodes Incorporated DGD2110S16-13 2.2100
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 ECAD 1 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） DGD2110 非反相 未验证 10V～20V 16-SO 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2.5A、2.5A 15纳秒、13纳秒 500V
EL7154CS-T7 Renesas Electronics America Inc EL7154CS-T7 -
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 ECAD 第1643章 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） EL7154 非反相 未验证 4.5V～16V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.6V、2.4V 4A, 4A 4纳秒、4纳秒
TPS2838PWPRG4 Texas Instruments TPS2838PWPRG4 -
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 ECAD 2574 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 16-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TPS2838 非反相 未验证 10V~15V 16-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 65纳秒, 65纳秒 29伏
TC4420VMF713 Microchip Technology TC4420VMF713 1.4850
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 ECAD 7372 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4420VMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
IRS2332SPBF Infineon Technologies IRS2332SPBF -
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 ECAD 6889 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 国税局2332 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 3（168小时） REACH 不出行 SP001542988 EAR99 8542.39.0001 25 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、35纳秒 600伏
MIC4451YM-TR Microchip Technology MIC4451YM-TR 2.9500
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 ECAD 9208 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4451 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 12A, 12A 20纳秒、24纳秒
1SD418F2-FZ1200R33KF2 Power Integrations 1SD418F2-FZ1200R33KF2 -
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 ECAD 4621 0.00000000 电源集成 规模™-1 盒子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 1SD418F2 - 未验证 14.5V～15.5V 模块 下载 1（无限制） Q11726585 EAR99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - 18A, 18A 100纳秒，100纳秒
MIC4423BN Microchip Technology MIC4423BN -
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 ECAD 2778 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 28纳秒、32纳秒
TC4424VOE713 Microchip Technology TC4424VOE713 2.8300
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 ECAD 4841 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TC4424 非反相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4424VOE713-NDR EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 23纳秒、25纳秒
LM5110-2M/NOPB Texas Instruments LM5110-2M/NOPB 2.9000
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 ECAD 8 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM5110 反相 未验证 3.5V～14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
IRS2332STRPBF Infineon Technologies IRS2332STRPBF -
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 ECAD 8428 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 国税局2332 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 3（168小时） REACH 不出行 SP001535078 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、35纳秒 600伏
TC4428EOA Microchip Technology TC4428EOA 1.7800
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 ECAD 10 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4428 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
IRS2109PBF Infineon Technologies IRS2109PBF -
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 ECAD 4366 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 国税局2109 非反相 未验证 10V～20V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 SP001545440 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 100纳秒、35纳秒 600伏
P9090-0NLGI8 Renesas Electronics America Inc P9090-0NLGI8 0.6680
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 ECAD 4539 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 卷带式 (TR) 的积极 P9090-0 未验证 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,000
UCD7232RTJT Texas Instruments UCD7232RTJT 1.8700
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 ECAD 2505 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 20-WFQFN 裸露焊盘 UCD7232 非反相 未验证 4.7V～15V 20-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 4A, 4A 27纳秒、21纳秒
TC1410EOA713 Microchip Technology TC1410EOA713 1.6500
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 ECAD 5939 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC1410 反相 未验证 4.5V～16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC1410EOA713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 500毫安，500毫安 25纳秒, 25纳秒
LM5101ASDX Texas Instruments LM5101ASDX 4.6530
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 ECAD 7762 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5101 非反相 未验证 9V~14V 10-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 118V
UCC27323DGN Texas Instruments UCC27323DGN 1.6700
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 ECAD 168 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 UCC27323 反相 未验证 4.5V～15V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 80 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 20纳秒、15纳秒
ADP3412JR onsemi ADP3412JR -
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 ECAD 3492 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ADP3412 非反相 未验证 4.15V～7.5V 8-SOIC - 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 196 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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