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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS21834PBF | - | ![]() | 8329 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局21834 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 14-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | |||
![]() | IXF611P1 | - | ![]() | 3418 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXF611 | - | 未验证 | - | 8-DIP | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | 2SP0115T2B0-17 | 105.0000 | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -20℃~85℃(TA) | 表面贴装 | 模块 | 2SP0115 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1810-1042 | EAR99 | 8473.30.1180 | 12 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 8A、15A | 5纳秒、10纳秒 | 1700伏 | |||
TPS2811PW | 2.4420 | ![]() | 5635 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPS2811 | 反相 | 未验证 | 4V~14V | 8-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 150 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、4V | 2A, 2A | 14纳秒、15纳秒 | |||||
![]() | MCP14A0302T-E/MS | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A0302 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V、2V | 3A、3A | 13纳秒、12纳秒 | ||||
![]() | ISL6614AIRZ-T | - | ![]() | 1588 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | ISL6614 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 4 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | |||
ISL89162FRTBZ | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89162 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.15V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | |||||
![]() | TC1413EOA713 | 1.5100 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TC1413 | 反相 | 4.5V~16V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC1413EOA713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 20纳秒, 20纳秒 | 未验证 | |||
![]() | TC1413COA | 1.4300 | ![]() | 8155 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TC1413 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC1413COA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 20纳秒, 20纳秒 | |||
![]() | IR2137J | - | ![]() | 6898 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 68-PLCC | IR2137 | 反相 | 未验证 | 12.5V~20V | 68-PLCC (24.23x24.23) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 19号 | 土耳其 | 半桥 | 3 | IGBT | - | - | 115纳秒、25纳秒 | 600伏 | |||
![]() | DGD1504S8-13 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DGD1504 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 250伏 | |||
![]() | TD350E | 2.8400 | ![]() | 9735 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TD350 | 非反相 | 未验证 | 12V~26V | 14-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、4.2V | 1.5A、2.3A | 130ns、75ns(顶部) | ||||
![]() | L6389ED | 1.6600 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | -45°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | L6389 | 反相 | 未验证 | 17V(最大) | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1.1V、1.8V | 400毫安、650毫安 | 70纳秒、40纳秒 | 600伏 | |||
![]() | AUIR3200STR | - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AUIR3200 | 非反相 | 未验证 | 6V~36V | PG-DSO-8-904 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.9V、2.7V | - | 1微秒、1微秒 | ||||
![]() | MCP1405T-E/SN | 2.5200 | ![]() | 6793 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP1405 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MCP1405T-E/SNTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4.5A、4.5A | 15纳秒、18纳秒 | |||
![]() | ADP36110091RMZR | 0.1800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | ADP36110091 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
ISL89163FRTBZ-T | - | ![]() | 9725 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89163 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.15V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | |||||
![]() | MIC4427YMM | 1.4500 | ![]() | 9081 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 麦克风4427 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 20纳秒、29纳秒 | ||||
![]() | IR2184SPBF | 3.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR2184 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.7V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | |||
![]() | ISL89164FBEAZ-T | 2.9559 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL89164 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||
![]() | LTC1177IN-12 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | LTC1177I | 非反相 | 未验证 | 11.4V~12.6V | 18-DIP | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 高侧 | 1 | ||||||||||||
![]() | IXDI630MCI | 9.7600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | IXDI630 | 反相 | 未验证 | 9V~35V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 30A、30A | 11纳秒, 11纳秒 | ||||
![]() | IRS2109C | - | ![]() | 9647 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | 国税局2109 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001545424 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | LTC1693-1CS8#TRPBF | 5.7300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LTC1693 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~13.2V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.7V、2.2V | 1.5A、1.5A | 16纳秒, 16纳秒 | ||||
![]() | IRS2124STRPBF | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2124 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | - | 500毫安,500毫安 | 80纳秒, 80纳秒 | 600伏 | ||||
![]() | IRS2001PBF | 2.3464 | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2001 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001542642 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 200V | ||
MCP1416T-E/OTVAO | - | ![]() | 5846 | 0.00000000 | 微芯片 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | MCP1416 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | SOT-23-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 18纳秒、21纳秒 | |||||
![]() | MIC5016BN | - | ![]() | 9519 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 麦克风5016 | 非反相 | 未验证 | 2.75V~30V | 14-DIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | ||||
![]() | LM5100BMAX | - | ![]() | 5270 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 2A, 2A | 570纳秒、430纳秒 | 118V | |||
![]() | IXE611S1 | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXE611 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第470章 | - | - | - | - | - | - |
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