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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
IRS21834PBF Infineon Technologies IRS21834PBF -
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ECAD 8329 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局21834 反相、同相 未验证 10V~20V 14-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
IXF611P1 IXYS IXF611P1 -
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ECAD 3418 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXF611 - 未验证 - 8-DIP - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
2SP0115T2B0-17 Power Integrations 2SP0115T2B0-17 105.0000
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ECAD 1913年 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -20℃~85℃(TA) 表面贴装 模块 2SP0115 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 1810-1042 EAR99 8473.30.1180 12 独立的 半桥 2 IGBT - 8A、15A 5纳秒、10纳秒 1700伏
TPS2811PW Texas Instruments TPS2811PW 2.4420
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ECAD 5635 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) TPS2811 反相 未验证 4V~14V 8-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 150 同步化 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒、15纳秒
MCP14A0302T-E/MS Microchip Technology MCP14A0302T-E/MS 1.0500
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ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A0302 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧或低侧 1 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 13纳秒、12纳秒
ISL6614AIRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614AIRZ-T -
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ECAD 1588 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V~13.2V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
ISL89162FRTBZ Renesas Electronics America Inc ISL89162FRTBZ -
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ECAD 5076 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89162 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
TC1413EOA713 Microchip Technology TC1413EOA713 1.5100
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ECAD 6342 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TC1413 反相 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC1413EOA713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 20纳秒, 20纳秒 未验证
TC1413COA Microchip Technology TC1413COA 1.4300
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ECAD 8155 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TC1413 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC1413COA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 20纳秒, 20纳秒
IR2137J Infineon Technologies IR2137J -
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ECAD 6898 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 68-PLCC IR2137 反相 未验证 12.5V~20V 68-PLCC (24.23x24.23) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 19号 土耳其 半桥 3 IGBT - - 115纳秒、25纳秒 600伏
DGD1504S8-13 Diodes Incorporated DGD1504S8-13 1.2900
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ECAD 1 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DGD1504 非反相 未验证 10V~20V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 250伏
TD350E STMicroelectronics TD350E 2.8400
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ECAD 9735 0.00000000 意法半导体 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TD350 非反相 未验证 12V~26V 14-SO 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、4.2V 1.5A、2.3A 130ns、75ns(顶部)
L6389ED STMicroelectronics L6389ED 1.6600
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ECAD 8568 0.00000000 意法半导体 - 管子 的积极 -45°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) L6389 反相 未验证 17V(最大) 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1.1V、1.8V 400毫安、650毫安 70纳秒、40纳秒 600伏
AUIR3200STR Infineon Technologies AUIR3200STR -
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ECAD 4367 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) AUIR3200 非反相 未验证 6V~36V PG-DSO-8-904 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.9V、2.7V - 1微秒、1微秒
MCP1405T-E/SN Microchip Technology MCP1405T-E/SN 2.5200
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ECAD 6793 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP1405 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MCP1405T-E/SNTR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4.5A、4.5A 15纳秒、18纳秒
ADP36110091RMZR onsemi ADP36110091RMZR 0.1800
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ECAD 28 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 ADP36110091 未验证 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
ISL89163FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89163FRTBZ-T -
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ECAD 9725 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89163 非反相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
MIC4427YMM Microchip Technology MIC4427YMM 1.4500
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ECAD 9081 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) 麦克风4427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 20纳秒、29纳秒
IR2184SPBF Infineon Technologies IR2184SPBF 3.7700
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ECAD 6 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2184 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
ISL89164FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89164FBEAZ-T 2.9559
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ECAD 1313 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL89164 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
LTC1177IN-12 ADI LTC1177IN-12 -
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ECAD 6024 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 过时的 通孔 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) LTC1177I 非反相 未验证 11.4V~12.6V 18-DIP 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 20 高侧 1
IXDI630MCI IXYS Integrated Circuits Division IXDI630MCI 9.7600
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ECAD 248 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-5 IXDI630 反相 未验证 9V~35V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 11纳秒, 11纳秒
IRS2109C Infineon Technologies IRS2109C -
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ECAD 9647 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 国税局2109 未验证 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001545424 EAR99 8542.39.0001 1
LTC1693-1CS8#TRPBF ADI LTC1693-1CS8#TRPBF 5.7300
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ECAD 36 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LTC1693 非反相 未验证 4.5V~13.2V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 1.7V、2.2V 1.5A、1.5A 16纳秒, 16纳秒
IRS2124STRPBF Infineon Technologies IRS2124STRPBF -
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ECAD 3953 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2124 反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET - 500毫安,500毫安 80纳秒, 80纳秒 600伏
IRS2001PBF Infineon Technologies IRS2001PBF 2.3464
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ECAD 8033 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局2001 非反相 未验证 10V~20V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001542642 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 200V
MCP1416T-E/OTVAO Microchip Technology MCP1416T-E/OTVAO -
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ECAD 5846 0.00000000 微芯片 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 MCP1416 非反相 未验证 4.5V~18V SOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 18纳秒、21纳秒
MIC5016BN Microchip Technology MIC5016BN -
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ECAD 9519 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 麦克风5016 非反相 未验证 2.75V~30V 14-DIP 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
LM5100BMAX Texas Instruments LM5100BMAX -
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ECAD 5270 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM5100 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 2A, 2A 570纳秒、430纳秒 118V
IXE611S1 IXYS IXE611S1 -
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ECAD 9107 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXE611 - 未验证 - 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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