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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
NTNS3CS68NZT5G	0.1200	RFQ	280	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NTNS3CS68NZT5G-488			1
SUM10250E-GE3	2.8900	RFQ	5321	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum10250		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					250 v	63.5A（TC）	7.5V，10V	31mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3002 PF @ 125 V	-	375W（TC）
NTUD3170NZT5G	0.6400	RFQ	38	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NTUD3170		MOSFET （金属 o化物）	125MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）						20V	220mA		1.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	-		12.5pf @ 15V	逻辑级别门
FDP3652	1.0000	RFQ	6194	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
APT94N60L2C3G	26.7200	RFQ	6476	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT94N60		MOSFET （金属 o化物）		264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	94A（TC）	10V	35mohm @ 60a，10v	3.9V @ 5.4mA	640 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	833W（TC）
FDU8876	0.5500	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	（15A）（ta），73a（tc）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	70W（TC）
SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SIRB40		MOSFET （金属 o化物）	46.2W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						40V	40a（TC）		3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
SQ4410EY-T1_GE3	1.5200	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
RF5L051K0CB4	172.5000	RFQ	5027	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E	RF5L051K0	500MHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K0CB4			100	-		1µA	200 ma	1000W	21dB											-	50 V
DIW085N06	4.5997	RFQ	5286	diotec半导体	-	大部分	积极的			通过洞						TO-247-3L	下载	rohs3符合条件	不适用	供应商不确定	2796-DIW085N06		8541.29.0000	450		n通道						85a								240W
MMRF5018HSR5	278.3694	RFQ	2606	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-400S-2SA		1MHz〜2.7GHz	-		NI-400S-2SA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-MMRF5018HSR5TR	Ear99	8541.29.0095	50	-		-		125W	17.3db											-
SI6963DQ	0.2300	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6963		MOSFET （金属 o化物）	600MW（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）						20V	3.8A（TA）		43mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1015pf @ 10V	-
IPW65R15OCFDAFKSA1	-	RFQ	5270	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMTH10H032LFVWQ-13	0.2533	RFQ	7722	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH10		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	-				31-DMTH10H032LFVWQ-13	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	26a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.7W（TA）
TSM042N03C	0.8059	RFQ	8384	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM042		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM042N03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7W（TC）
MRF6S19200HSR5	-	RFQ	7514	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-780	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	56W	17.9db											-	28 V
STP30NM60N	-	RFQ	5593	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	25A（TC）	10V	130mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 50 V	-	190w（TC）
MWT-9F	53.2500	RFQ	3301	微波技术公司	-	案件	积极的	6 V			死	MWT-9	500MHz〜18GHz	mesfet		芯片	下载				1203-mwt-9f	Ear99	8541.29.0040	10			270mA	270 MA	26.5dbm	8.5dB											-	4 V
STB6NK90ZT4	3.2000	RFQ	2416	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB6		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					900 v	5.8A（TC）	10V	2ohm @ 2.9a，10v	4.5V @ 100µA	60.5 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	140W（TC）
SI4430BDY-T1-E3	1.8500	RFQ	889	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4430		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
STD5N65M6	0.6486	RFQ	7192	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N65		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	4A（TC）	0V，10V	1.3OHM @ 2A，10V	3.75V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±25V	170 pf @ 100 V	-	45W（TC）
FQA19N20C	-	RFQ	4983	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	21.8A（TC）	10V	170MOHM @ 10.9a，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	180W（TC）
RJK2508DPK-00 t0	-	RFQ	3980	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	RJK2508		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					250 v	50a（ta）	10V	64mohm @ 25a，10v	-	60 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	150W（TC）
FDB9409-F085	-	RFQ	8389	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB9409		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
WAS300M12BM2	966.1940	RFQ	4524	Wolfspeed，Inc。	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	底盘安装	模块	WAS300				模块	-				1697-WAS300M12BM2			1	2 n 通道（半桥）						1200V	423a（TC）				1025nc @ 20V			（SIC）
MRF7S38040HR5	-	RFQ	7382	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-400-240	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	450 MA	8W	14dB											-	30 V
AS2302	0.1900	RFQ	34	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	55mohm @ 3A，4.5V	1.25V @ 250µA	3.81 NC @ 4.5 V	±10V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
MMDFS3P303R2	0.1800	RFQ	77	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
LP8M3FP8TB1	-	RFQ	6873	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					LP8M3		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-LP8M3FP8TB1TR	过时的		2,500															-
BSO303Phxuma1	-	RFQ	4185	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303		MOSFET （金属 o化物）	2W	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	7a		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²