场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
BUK9609-75A,118	1.5200	询价	第760章	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）	D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	198		N沟道					75V	75A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@25A，10V	2V@1mA		±10V	8840pF@25V	-	230W（温度）
FQD17N08LTF	0.3400	询价	1	仙童	QFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）	TO-252-3（DPAK）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	12.9A（温度）	5V、10V	100毫欧@6.45A，10V	2V@250μA	11.5nC@5V	±20V	520pF@25V	-	2.5W（Ta）、40W（Tc）
DI050P02PT	0.5154	询价	6388	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）	8-QFN (3x3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	2796-DI050P02PTTR		8541.29.0000	5,000		P沟道					20V	50A（温度）	4.5V、10V	10毫欧@15A，10V	1V@250μA	102nC@10V	±12V	4596pF@10V	-	35.7W（温度）
R6524ENXC7G	5.5800	询价	1	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	R6524		MOSFET（金属O化物）	TO-220FM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6524ENXC7G	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	24A（塔）	10V	185毫欧@11.3A，10V	4V@750μA	70nC@10V	±20V	1650pF@25V	-	74W（温度）
IXTA4N65X2	3.0400	询价	35	IXYS	超X2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	IXTA4		MOSFET（金属O化物）	TO-263	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	4A（温度）	10V	850毫欧@2A，10V	5V@250μA	10V时为8.3nC	±30V	455pF@25V	-	80W（温度）
CMPDM203NH BK	-	询价	2794	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）	SOT-23F	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,500人		N沟道					20V	3.2A（塔）	2.5V、4.5V	50毫欧@1.6A，4.5V	1.2V@250μA	10nC@4.5V	12V	10V时为395pF	-	350毫W（塔）
AFT18H357-24SR6	-	询价	6672	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-1230-4LS2L	AFFT18	1.81GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	150	双重的		-	800毫安	63W	17.3分贝											-	28V
PJD7NA65_R2_00001	0.5160	询价	6440	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD7N		MOSFET（金属O化物）	TO-252AA	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD7NA65_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					650伏	7A（塔）	10V	1.5欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	16.8nC@10V	±30V	754pF@25V	-	-
UPA608T(0)-T1-A	0.1800	询价	57	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
PMPB95ENEA/FX	0.1200	询价	5	恩智浦半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）	DFN2020MD-6	下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-PMPB95ENEA/FX-954			1		N沟道					80V	4.1A（塔）	4.5V、10V	105毫欧@2.8A，10V	2.7V@250μA	14.9nC@10V	±20V	504pF@40V	-	1.6W（塔）
IRF7413ZPBF	-	询价	8243	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					30V	13A（塔）		10毫欧@13A，10V	2.25V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	2.5W（塔）
2SK212F-SPA	1.0000	询价	3395	onsemi	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
GTRA263902FC-V2-R0	185.3754	询价	4388	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA263902	2.495GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	下载				1697-GTRA263902FC-V2-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50			-	280毫安	370W	13.8分贝											-	48V
NP179N055TUK-E1-AY	6.8900	询价	800	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q101	托盘	的积极		175℃	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）	TO-263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					55V	180A（温度）	10V	1.75毫欧@90A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	13950pF@25V	-	1.8W（Ta）、288W（Tc）
MCAC70N06Y-TP	-	询价	4087	微商公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MCAC70		MOSFET（金属O化物）	DFN5060	下载	符合ROHS3标准			353-MCAC70N06Y-TP	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					60V	70A	10V	7毫欧@20A，10V	4V@250μA	36nC@10V	±20V	2122pF@30V	-	85W
MCH3317-TL-E	0.0800	询价	72	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
AUIRF3710ZSTRL	-	询价	3571	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）	PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					100伏	59A（TC）	10V	18毫欧@35A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	2900pF@25V	-	160W（温度）
DMN3110SQ-7	0.1074	询价	2153	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DMN3110		MOSFET（金属O化物）	SOT-23-3	下载			REACH 不出行	31-DMN3110SQ-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	2.5A（塔）	4.5V、10V	73毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	10V时为8.6nC	±20V	15V时为305.8pF	-	740毫W（塔）
IPS70R2K0CEE8211AKMA1	0.2300	询价	40	英飞凌科技	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-IPS70R2K0CEE8211AKMA1-448			1
RJK0380DPA-00#J53	1.2600	询价	69	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
NTHL110N65S3F	7.6800	询价	2361	onsemi	-	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NTHL110		MOSFET（金属O化物）	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	30A（温度）	10V	110毫欧@15A，10V	5V@3mA	58nC@10V	±30V	2560 pF @ 400 V	-	240W（温度）
MTDF1C02HDR2	0.1600	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1
2SJ471-E	2.0400	询价	258	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
YJL3415A	0.3000	询价	75	扬州扬杰电子科技有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	5.6A（塔）	1.8V、4.5V	42毫欧@5.6A，4.5V	1V@250μA	10.98nC@4.5V	±12V	10V时为1010pF	-	1.3W（塔）
DMN61D8LQ-7	0.4600	询价	5162	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DMN61		MOSFET（金属O化物）	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	470mA（塔）	3V、5V	1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	5V时为0.74nC	±12V	12.9pF@12V	-	390毫W（塔）
YJL3416A	0.3000	询价	第748章	扬州扬杰电子科技有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	7A（塔）	1.8V、4.5V	18毫欧@7A，4.5V	1V@250μA	11nC@4.5V	±12V	10V时为890pF	-	1.3W（塔）
UJ3C065080T3S	7.6200	询价	6	科尔沃	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	UJ3C065080			TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2312-UJ3C065080T3S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	31A（温度）	12V	100毫欧@20A，12V	6V@10mA	51nC@15V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	190W（温度）
FDZ4670	-	询价	2795	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	30-WFBGA	FDZ46		MOSFET（金属O化物）	30-FLFBGA (3.55x4)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	25A（塔）	4.5V、10V	2.5毫欧@25A，10V	3V@250μA	56nC@10V	±20V	15V时为3540pF	-	2.5W（塔）
NTB45N06	1.0000	询价	5176	onsemi	-	管子	过时的					NTB45				下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50
2SJ325-Z-AZ	-	询价	4971	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²