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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FQPF16N25C	-	RFQ	3977	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	43W（TC）
NTMD4840NR2G	-	RFQ	3619	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD4840	MOSFET （金属 o化物）	680MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.5a		24mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	9.5NC @ 10V		520pf @ 15V	逻辑级别门
NTD4815N-35G	0.7800	RFQ	153	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD4815	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	14.1 NC @ 11.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
AOB266L	1.4469	RFQ	800	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB266	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	18A（18A），140a （TC）	6V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3.2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 30 V	-	2.1W（268W）（268W）TC）
irfu3412pbf	-	RFQ	1359	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*irfu3412pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	48A（TC）	10V	25mohm @ 29a，10v	5.5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	3430 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IXTT60N20L2	21.5000	RFQ	35	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT60	MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt60n20l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	200 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377年	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
FDMA1025P	0.2900	RFQ	92	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA1025	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）		20V	3.1a		155mohm @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.8NC @ 4.5V		450pf @ 10V	逻辑级别门
SSM6K781G，LF	0.5100	RFQ	850	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP	SSM6K781	MOSFET （金属 o化物）		6-WCSPC（1.5x1.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	7a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	600 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
5LN01SS-TL-E	0.0800	RFQ	7	Sanyo	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-81	5LN01	MOSFET （金属 o化物）		3-SSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道	50 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	7.8OHM @ 50mA，4V	-	1.57 NC @ 10 V	±10V	6600 PF @ 10 V	-	150MW（TA）
DN2530N8-G	0.8800	RFQ	3905	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN2530	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	300 v	200ma（tj）	0V	12ohm @ 150mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
FQA10N80	-	RFQ	1470	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	9.8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.9A，10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	240W（TC）
ISL9N312AD3STNL	-	RFQ	6060	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道	30 V	50A（TC）		12mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	75W（ta）
RS1E170GNTB	0.6300	RFQ	6593	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E	MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	30 V	（17a）（TA），40A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	720 PF @ 15 V	-	（3W）（23W）（23W）TC）
FDMA3028N	1.0000	RFQ	1705年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA3028	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）		30V	3.8a		68mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2nc @ 5V		375pf @ 15V	逻辑级别门
FDI8441	1.5600	RFQ	75	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	40 V	26a（26a），80A（tc）	10V	2.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 25 V	-	300W（TC）
2SK4100L	0.4400	RFQ	958	Sanyo	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NVMYS003N08LHTWG	1.0309	RFQ	6079	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMYS003N08LHTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	22a（22a），132a（tc）	4.5V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	2V @ 183µA	64 NC @ 10 V	±20V	3735 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），137W（TC）
STD180N4F6	1.6600	RFQ	409	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	80A（TC）	10V	2.8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	130W（TC）
SI8806DB-T2-E1	0.4600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8806	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	2.8A（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 8 V	±8V		-	500MW（TA）
NDD04N50Z-1G	-	RFQ	6758	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD04	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	308 pf @ 25 V	-	61W（TC）
STL25N60M2-EP	4.2800	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL25	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	16A（TC）	10V	205MOHM @ 8A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	125W（TC）
BSD314SPE L6327	-	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-6-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	790		P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
AOTF8N60	-	RFQ	7652	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FQD20N06LTF	-	RFQ	5549	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	17.2A（TC）	5V，10V	60mohm @ 8.6a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
DMP2005UFG-7	0.3236	RFQ	4450	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP2005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	20 v	89A（TC）	1.8V，4.5V	4mohm @ 15a，4.5V	900mv @ 250µA	125 NC @ 10 V	±10V	4670 pf @ 10 V	-	2.2W（ta）
FQA19N60	-	RFQ	1324	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	18.5A（TC）	10V	380MOHM @ 9.3A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDS6676	0.6400	RFQ	47	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 14.5A，10V	3V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±16V	4665 pf @ 15 V	-	1W（ta）
STB80NF55-08T4	-	RFQ	6945	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB80N	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FDD3672-F085	-	RFQ	7875	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FD3672-F085-600039			1		n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	47mohm @ 21a，6v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1635 PF @ 25 V	-	144W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²