场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
FDU6296	0.5300	询价	7	仙童	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					30V	15A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	8.8毫欧@15A，10V	3V@250μA	10V时为31.5nC	±20V	1440pF@15V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
G900P15M	1.6400	询价	第451章	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道					150伏	60A（温度）	10V	80毫欧@5A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±20V	75V时为4056pF	-	100W（温度）
PHP71NQ03LT,127	-	询价	4406	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP71		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	75A（温度）	5V、10V	10毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	13.2nC@5V	±20V	1220pF@25V	-	120W（温度）
RTR030N05TL	0.6000	询价	12	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	RTR030		MOSFET（金属O化物）		TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					45V	3A（塔）	2.5V、4.5V	67毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	6.2nC@4.5V	±12V	510pF@10V	-	1W（塔）
US6K4TR	0.6300	询价	8	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	US6K4		MOSFET（金属O化物）	1W	TUMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	1.5A		180毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	2.5nC@4.5V		110pF@10V	逻辑电平门
BUK7631-100E,118	0.6100	询价	1	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	第532章		N沟道					100伏	34A（温度）	10V	31mOhm@10A，10V	4V@1mA	10V时为29.4nC	±20V	1738pF@25V	-	96W（温度）
2SK1167-E	1.0000	询价	3099	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
MCQ3779-TP	-	询价	5006	微商公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCQ3779		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOP	下载	符合ROHS3标准			353-MCQ3779-TP	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道						100V	3.4A、4A		130毫欧@5A、10V、200毫欧@4A、10V	2.5V@250μA	15.5nC@10V，25nC@10V		690pF@25V，1055pF@25V	-
SI4808DY-T1-E3	-	询价	6639	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4808		MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						30V	5.7A		22毫欧@7.5A，10V	800mV @ 250μA（极低）	20nC@10V		-	逻辑电平门
SI7421DN-T1-GE3	1.4600	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7421		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	6.4A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@9.8A，10V	3V@250μA	40nC@10V	±20V		-	1.5W（塔）
单片机12P06-TP	-	询价	7581	微商公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	单片机12		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					60V	12A（Tj）	4.5V、10V	80毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	12nC@4.5V	±20V	650pF@15V	-	40W
BUK7E13-60E,127	0.3300	询价	1	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					60V	58A（塔）		13毫欧@15A，10V	4V@1mA	10V时为22.9nC	±20V	1730pF@25V	-	96W（塔）
FQP17N40	-	询价	9388	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FQP17		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					400V	16A（温度）	10V	270毫欧@8A，10V	5V@250μA	60nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	170W（温度）
NP22N055ILE-E1-AY	0.8900	询价	18	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,000
2SK3113(0)-Z-E1-AZ	1.5100	询价	4	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极					2SK3113		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1															-
PCP1302-TD-H	-	询价	7529	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	PCP1302		MOSFET（金属O化物）		SOT-89/PCP-1	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道					60V	3A（塔）	4V、10V	266毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	6.4nC@10V	±20V	262pF@20V	-	3.5W（温度）
RZL025P01TR	0.6600	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	RZL025		MOSFET（金属O化物）		TUMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					12V	2.5A（塔）	1.5V、4.5V	61毫欧@2.5A、4.5V	1V@1mA	13nC@4.5V	±10V	1350pF@6V	-	1W（塔）
A3G26H200W17SR3	103.0700	询价	第1475章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V			NI-780S-4S2S		2.496GHz～2.69GHz	-		NI-780S-4S2S	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250	-		-	120毫安	34W	14.2分贝											-	48V
A5G26S008NT6	13.0200	询价	5713	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		2.496GHz～2.69GHz	-		6-PDFN (4x4.5)	下载					EAR99	8541.29.0095	5,000	-		-	17毫安	27分贝	18.4分贝											-	48V
IXTP27N20T	-	询价	7734	IXYS	沟	管子	的积极		-	通孔	TO-220-3	IXTP27		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	27A（温度）		-	-				-	-
奥恩斯36346	0.2543	询价	7115	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯363		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36346TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	26.5A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	20nC@10V	±20V	800pF@15V	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	询价	第1139章	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ009		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					25V	39A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	900毫欧@20A，10V	2V@250μA	124nC@10V	±16V	5500pF@12V	-	2.1W（Ta）、69W（Tc）
G70P02K	0.8300	询价	3	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					15V	70A（温度）	2.5V、4.5V	8.5毫欧@20A，4.5V	1.5V@250μA	55nC@4.5V	±12V	3500pF@10V	-	70W（温度）
FDB8880-ON	-	询价	第1551章	onsemi	PowerTrench®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					30V	11A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	11.6毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	29nC@10V	±20V	1240pF@15V	-	55W（温度）
FQPF13N10	-	询价	9768	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	FQPF1		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					100伏	8.7A（温度）	10V	180毫欧@4.35A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±25V	450pF@25V	-	30W（温度）
GT025N06AT	1.7300	询价	99	高福德半导体	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	170A（温度）	4.5V、10V	2.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	4954pF@30V	-	215W（温度）
0912GN-650V	-	询价	第1594章	微芯片	V	大部分	的积极	150伏		表面贴装	55-KR		960MHz～1.215GHz	HEMT		55-KR	下载			REACH 不出行	150-0912GN-650V	EAR99	8541.29.0095	1			-	100毫安	650W	18分贝											-	50V
FQPF9N50CF	-	询价	8248	onsemi	FRFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF9		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	9A（温度）	10V	850毫欧@4.5A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±30V	1030pF@25V	-	44W（温度）
怡安7502	0.2537	询价	1940年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	21A（Ta）、30A（Tc）	6V、10V	4.7毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±25V	1022pF@15V	-	3.1W（Ta）、31W（Tc）
PJE138K-AU_R1_000A1	0.4100	询价	7	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	PJE138		MOSFET（金属O化物）		SOT-523 读写	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道					50V	350mA（塔）	2.5V、10V	1.6欧姆@500mA，10V	1.5V@250μA	1nC@4.5V	±20V	50pF@25V	-	223毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²