场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
RJK5033DPD-01#J2	-	询价	1832年	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的										-	符合ROHS3标准			559-RJK5033DPD-01#J2	过时的		1								6A（Tj）
NDCTR5065A	-	询价	8411	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极					NDCTR5065					-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NDCTR5065ATR			1,700								-
IQE018N06NM6SCATMA1	1.1992年	询价	5918	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IQE018N06NM6SCATMA1TR			6,000
MHT1807T1	0.3200	询价	114	恩智浦	*	大部分	不适合新设计										-	不适用	供应商未定义	可根据要求提供REACH信息	2832-MHT1807T1	EAR99		1
PJA3441_R1_00001	0.4300	询价	118	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3441		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJA3441_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					40V	3.1A（塔）	4.5V、10V	88毫欧@3.1A，10V	2.5V@250μA	6nC@4.5V	±20V	505pF@20V	-	1.25W（塔）
TK28N65W5,S1F	6.6700	询价	1	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-247-3	TK28N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	27.6A（塔）	10V	130毫欧@13.8A，10V	4.5V@1.6mA	90nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
PD85035S-E	23.9580	询价	2337	意法半导体	-	管子	的积极	40V			PowerSO-10 裸露底垫	PD85035	870兆赫	LDMOS		PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400			8A	350毫安	15W	17分贝											-	13.6V
IXFA5N100P-TRL	3.6333	询价	7860	IXYS	HiPerFET™，其间	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	IXFA5N100		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXFA5N100P-TRLTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					1000伏	5A（温度）	10V	2.8欧姆@2.5A，10V	6V@250μA	10V时为33.4nC	±30V	1830pF@25V	-	250W（温度）
SISS94DN-T1-GE3	0.9100	询价	7062	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS94		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					200V	5.4A（Ta）、19.5A（Tc）	7.5V、10V	75毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±20V	350 pF @ 100 V	-	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
HUF75639S3STNL	-	询价	9938	仙童	超场效应晶体管™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载					EAR99	8541.29.0095	88		N沟道					100伏	56A（温度）	10V	25毫欧@56A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	200W（温度）
TW083Z65C,S1F	11.4500	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-4			SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	30A（温度）	18V	118毫欧@15A，18V	5V@600μA	28nC@18V	+25V，-10V	873 pF @ 400 V	-	111W（温度）
GSFP08150	1.7600	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (5.1x5.71)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道					80V	150A（温度）	10V	3.6毫欧@20A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	6900pF@40V	-	192W（温度）
BUK7506-55A127	-	询价	8755	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	75A（温度）	10V	6.3毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	6000pF@25V	-	300W（温度）
DMP2016UFDF-7	0.1815	询价	9079	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	2016年DMP		MOSFET（金属O化物）		U-DFN2020-6（F型）	下载			REACH 不出行	31-DMP2016UFDF-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	9.5A（塔）	1.5V、4.5V	15mOhm@7A，4.5V	1.1V@250μA	30nC@8V	±8V	1710pF@10V	-	900毫W（塔）
BUK9E08-55B,127	-	询价	5793	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	75A（温度）	5V、10V	7毫欧@25A，10V	2V@1mA	45nC@5V	±15V	5280pF@25V	-	203W（温度）
SSM6J53FE(TE85L,F)	-	询价	2682	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J53		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道					20V	1.8A（塔）	1.5V、2.5V	136mOhm@1A，2.5V	1V@1mA	10.6nC@4V	±8V	568pF@10V	-	500毫W（塔）
RM3139千	0.0360	询价	2553	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723			MOSFET（金属O化物）		SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM3139KTR		8541.10.0080	80,000		P沟道					20V	660毫安（塔）	1.8V、4.5V	520毫欧@1A，4.5V	1.1V@250μA		±12V	170pF@16V	-	150毫W（塔）
MTP20N06V	0.1800	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
IRFPG42	2.2700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					1000伏	3.9A（温度）	10V	4.2欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V		-	150W（温度）
UPA503T-T2-A	0.2900	询价	12	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-74A、SOT-753	UPA503		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-59-5，迷你模具	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）						50V	100毫安		60欧姆@10mA，10V	2.5V@1μA	-		17pF@5V	-
AOI510	-	询价	8832	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI51		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道					30V	45A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	60nC@10V	±20V	2719pF@15V	-	7.5W（Ta）、60W（Tc）
IPP80N06S2L-06	1.0000	询价	9133	英飞凌科技	*	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	80A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@69A，10V	2V@180μA	150nC@10V	±20V	3800pF@25V	-	250W（温度）
ISC0605NLSATMA1	1.4175	询价	8427	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-ISC0605NLSATMA1TR			5,000
FQU5N50CTU-WS	-	询价	9863	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU5N50		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,040		N沟道					500V	4A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	4V@250μA	24nC@10V	±30V	625pF@25V	-	2.5W（Ta）、48W（Tc）
64-2144PBF	-	询价	6538	英飞凌科技	*	管子	的积极					64-2144					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001562470	EAR99	8541.29.0095	50
SQ3457EV-T1_GE3	0.6900	询价	第735章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SQ3457		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	6.8A（温度）	4.5V、10V	65毫欧@6A，10V	2.5V@250μA	21nC@10V	±20V	705pF@15V	-	5W（温度）
SI0205-TP	0.3500	询价	5	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-523	SI0205		MOSFET（金属O化物）		SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					50V	200毫安	2.5V、4.5V	4欧姆@200mA，4.5V	800mV@250μA		±8V	24pF@10V	-	830毫W
SQ4483BEEY-T1_GE3	1.7500	询价	26	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4483		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					30V	22A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	113nC@10V	±20V		-	7W（温度）
VMMK-1218-BLKG	-	询价	8656	博通有限公司	-	条	过时的	5V			0402（1005公制）	VMMK-1218	10GHz	pHEMT		0402	-		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100			100毫安	20毫安	12分贝	9分贝											0.81分贝	3V
UPA2751GR-E1-AT	0.9700	询价	2	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的			表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2751		MOSFET（金属O化物）	2W	8-PSOP	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						30V	9A、8A		15.5毫欧@4.5A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V		1040pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²