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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
R6018JNXC7G	5.0700	RFQ	3	Rohm半导体	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6018		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	18A（TC）	15V	286mohm @ 9a，15v	7V @ 4.2mA	42 NC @ 15 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	72W（TC）
FQAF16N25C	0.9200	RFQ	360	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360		n通道					250 v	11.4A（TC）	10V	270MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	73W（TC）
SCT055HU65G3AG	14.3300	RFQ	95	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT055		sicfet （碳化硅）		hu3pak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	600		n通道					650 v	30A（TC）	15V，18V	72MOHM @ 15a，18v	4.2V @ 1mA	29 NC @ 18 V	+22V，-10V	721 PF @ 400 V	-	185W（TC）
PJD40N04-AU_L2_000A1	0.8000	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD40		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD40N04-AU_L2_000A1DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	10A（10A），40A （TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1040 pf @ 20 V	-	2.4W（TA），43.2W（tc）
STL90N10F7	2.3400	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL90		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	70A（TC）	10V	10.5MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	5W（5W），100W（100W）TC）
IRFU4510pbf	0.8200	RFQ	5003	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	114		n通道					100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
SUD09P10-195-BE3	0.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD09		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道					100 v	8.8A（TC）	4.5V，10V	195MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V	1055 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），32.1W（TC）
BUK7M8R5-40HX	0.9800	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M8		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	40a（ta）	10V	8.5mohm @ 15a，10v	3.6V @ 1mA	20 nc @ 10 V	+20V，-10V	1309 pf @ 25 V	-	59W（TC）
DMN62D0U-7	0.3200	RFQ	221	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN62		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	380mA（ta）	1.8V，4.5V	2ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.5 NC @ 4.5 V	±20V	32 pf @ 30 V	-	380MW（TA）
IRF520NSTRR	-	RFQ	4377	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4024	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
STH245N75F3-6	-	RFQ	7491	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH245		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SI6465DQ-T1-E3	-	RFQ	1495	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6465		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					8 V	8.8a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 8.8a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
BLF8G22L-160BV，118	-	RFQ	6769	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			底盘安装	SOT-1120B	BLF8G22	-	-		CDFM6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	-		-		-	-											-
AO4441L_001	-	RFQ	6126	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					60 V	4A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1120 PF @ 30 V	-	3.1W（TA）
FQA28N15_F109	-	RFQ	6268	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA2		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					150 v	33A（TC）	10V	90MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 V	-	227W（TC）
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	5178	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
C3M0040120J1	24.5600	RFQ	1	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					1200 v	64A（TC）	15V	53.5MOHM @ 33.3a，15v	3.6V @ 9.2mA	94 NC @ 15 V	+15V，-4V	2900 PF @ 1000 V	-	272W（TC）
MSC025SMA120J	57.1800	RFQ	9319	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC025		sicfet （碳化硅）		SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC025SMA120J	Ear99	8541.29.0095	10		n通道					1200 v	77A（TC）	20V	31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232 NC @ 20 V	+25V，-10V	3020 PF @ 1000 V	-	278W（TC）
MCGD30P02-TP	0.7600	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MCGD30		MOSFET （金属 o化物）	21W	DFN3333-D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2（p 通道（双）						20V	30a（TA）		19mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	72.8NC @ 10V		2992pf @ 10V	-
SQP10250E_GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP10250		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道					250 v	53A（TC）	7.5V，10V	30mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4050 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IRF100P219AKMA1	7.5600	RFQ	5882	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					100 v	203A（TC）	6V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 278µA	210 NC @ 10 V	±20V	12020 PF @ 50 V	-	3.8W（341W）（TC）
FDMD8430	-	RFQ	7308	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMD84		MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TA），29W（tc）	8-pqfn（3.3x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源						30V	28a（28A），95A（tc）		2.12MOHM @ 28A，10V	3V @ 250µA	90NC @ 10V		5035pf @ 15V	-
CAB400M12XM3	690.1500	RFQ	117	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	CAB400		（SIC）	-		下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						1200V（1.2kV）	395a（TC）		5.3MOHM @ 400A，15V	3.6V @ 92mA	908nc @ 15V		2450pf @ 800V	-
SH8K41GZETB	0.9000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K41		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						80V	3.4a		130MOHM @ 3.4A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 5V		600pf @ 10V	逻辑级别门
ACMSN2312T-HF	0.1435	RFQ	9708	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ACMSN2312		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-ACMSN2312T-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	4.9a（ta）		31MOHM @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	500 pf @ 8 V	-	750MW（TA）
MTD1312T4	0.2500	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NVMFS5C677NLT1G	1.4200	RFQ	2441	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					60 V	11a（11a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2V @ 25µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
IXTH96N20P	10.0300	RFQ	1407	ixys	极性	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
TK14A65W5，S5X	2.8900	RFQ	4496	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
GTVA262711FA-V2-R2	99.4894	RFQ	7521	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-87265J-2	GTVA262711	2.62GHZ〜2.69GHz	hemt		H-87265J-2	下载				1697-GTVA262711FA-V2-R2TR	Ear99	8541.29.0075	250			-	320 MA	70W	18db											-	48 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²