场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
PJU4NA70_T0_00001	-	询价	5360	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU4NA70	MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	-				3757-PJU4NA70_T0_00001	过时的		1		N沟道	700伏	4A（塔）	10V	2.8欧姆@2A，10V	4V@250μA	10V时为10.5nC	±30V	514pF@25V	-	77W（温度）
FDS5680	1.0000	询价	7325	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS56	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	60V	8A（塔）	6V、10V	20毫欧@8A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±20V	1850pF@15V	-	2.5W（塔）
IXTA380N036T4-7-TR	4.2820	询价	7461	IXYS	沟	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IXTA380	MOSFET（金属O化物）		TO-263-7 (IXTA)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTA380N036T4-7-TR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	36V	380A（温度）	10V	1mOhm@100A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±15V	13400pF@25V	-	480W（温度）
BSS138WQ-13-F	0.0362	询价	1001	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BSS138	MOSFET（金属O化物）		SOT-323	下载		1（无限制）	REACH 不出行	31-BSS138WQ-13-FTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	50V	280mA（塔）	10V	3.5欧姆@220mA，10V	1.5V@250μA	1.5nC@10V	±20V	48pF@25V	-	400毫W（塔）
UPA2562T1H-T1-AT	0.4100	询价	9	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的		表面贴装	8-SMD，写入	UPA2562	MOSFET（金属O化物）	2.2W	8-VSOF	下载	不适用				EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	4.5A		55mOhm@2A，4.5V	1.5V@1mA	5.4nC@4.5V		475pF@10V	逻辑电平门
UPA2710GR-E2-A	1.4400	询价	27	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
SI2303CDS-T1-BE3	0.4500	询价	8	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2303	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	1.9A（Ta）、2.7A（Tc）	4.5V、10V	190毫欧@1.9A，10V	3V@250μA	8nC@10V	±20V	155pF@15V	-	1W（Ta）、2.3W（Tc）
RTF016N05FRATL	0.6900	询价	17号	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	RTF016	MOSFET（金属O化物）		TUMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	45V	1.6A（塔）		190毫欧@1.6A，4.5V	1.5V@1mA	2.3nC@4.5V	±12V	150pF@10V	-	800毫W
STE45NK80ZD	-	询价	第1252章	意法半导体	SuperFREDmesh™	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	伊索托	STE45	MOSFET（金属O化物）		ISOTOP®	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道	800V	45A（温度）	10V	130毫欧@22.5A，10V	4.5V@150μA	781nC@10V	±30V	26000pF@25V	-	600W（温度）
BUK7511-55B,127	0.4000	询价	2	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	75A（温度）	10V	11毫欧@25A，10V	4V@1mA	37nC@10V	±20V	2604pF@25V	-	157W（温度）
R6515KNZC17	4.9800	询价	300	罗姆半导体	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	R6515	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6515KNZC17	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	15A（温度）	10V	315毫欧@6.5A，10V	5V@430μA	10V时为27.5nC	±20V	1050pF@25V	-	60W（温度）
PJX8838_R1_00001	0.4500	询价	3	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	PJX8838	MOSFET（金属O化物）	300毫W（塔）	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJX8838_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		50V	360mA（塔）		1.45欧姆@500mA，10V	1V@250μA	0.95nC@4.5V		36pF@25V	-
AUIRF7103Q	-	询价	2457	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRF7103	MOSFET（金属O化物）	2.4W	8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001521578	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）		50V	3A		130mOhm@3A，10V	3V@250μA	15nC@10V		255pF@25V	-
STLD126N4F6AG	1.7532	询价	3734	意法半导体	-	大部分	的积极				STLD126				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-STLD126N4F6AG			2,500人
FDPF6N60ZUT	0.6800	询价	450	仙童	UniFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载					EAR99	8542.39.0001	450		N沟道	600伏	4.5A（温度）	10V	2欧姆@2.25A，10V	5V@250μA	20nC@10V	±30V	865pF@25V	-	33.8W（温度）
FQD1N60CTM	0.2700	询价	1	仙童	QFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载					EAR99	8542.39.0001	1,110		N沟道	600伏	1A（温度）	10V	11.5欧姆@500mA，10V	4V@250μA	6.2nC@10V	±30V	170pF@25V	-	2.5W（Ta）、28W（Tc）
DMN601VKQ-7	0.3700	询价	4	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	DMN601	MOSFET（金属O化物）	250毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	第305章		2欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	-		50pF@25V	-
PJS6415AE_S1_00001	0.4000	询价	3688	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6415	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6415AE_S1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.9A（塔）	1.8V、10V	60毫欧@4.9A，10V	1.2V@250μA	6.9nC@4.5V	±12V	602pF@10V	-	2W（塔）
SIL2324A-TP	0.5100	询价	40	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	SIL2324	MOSFET（金属O化物）	1.5W	SOT-23-6L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	2A		280毫欧@2A，10V	2V@250μA	4.8nC@4.5V		520pF@15V	-
HUFA75343G3	1.0200	询价	第821章	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	150		N沟道	55V	75A（温度）	10V	9毫欧@75A，10V	4V@250μA	205nC@20V	±20V	3000pF@25V	-	270W（温度）
AUIRFS4010-7P	-	询价	1043	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道	100伏	190A（温度）		4毫欧@110A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	9830pF@50V	-	380W（温度）
RW4E045AJTCL1	1.1000	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerUFDFN	RW4E045	MOSFET（金属O化物）		DFN1616-7T	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	4.5A（塔）	2.5V、4.5V	40mOhm@4.5A，4.5V	1.5V@1mA	4nC@4.5V	±12V	450pF@15V	-	1.5W（塔）
RJJ0621DPP-0P#T2	1.4400	询价	18	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
R6002ENHTB1	1.1900	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	R6002	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	1.7A（塔）	10V	3.4欧姆@500mA，10V	4V@1mA	6.5nC@10V	±20V	65pF@25V	-	2W（塔）
DMP31D7L-7	0.3700	询价	2	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DMP31	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	580mA（塔）	4.5V、10V	900毫欧@420mA，10V	2.6V@250μA	0.36nC@4.5V	±20V	19pF@15V	-	430毫W（塔）
RJK2017DPP-00#T2	-	询价	7693	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2SK3511-S19-AY	3.3700	询价	16	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
DMT10H052LFDF-13	0.1469	询价	4117	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	二甲基甲酰胺10	MOSFET（金属O化物）		U-DFN2020-6（F型）	下载			REACH 不出行	31-DMT10H052LFDF-13TR	EAR99	8541.29.0095	10,000		N沟道	100伏	5A（塔）	4.5V、10V	52mOhm@4A，10V	3V@250μA	5.4nC@10V	±20V	258pF@50V	-	800毫W（塔）
DI070P04PQ-AQ	1.3225	询价	8214	德欧泰克半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	DI070P04	MOSFET（金属O化物）		8-QFN (5x6)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义	2796-DI070P04PQ-AQTR		8541.21.0000	5,000		P沟道	40V	70A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	125nC@10V	±20V	7560pF@20V	-	46W（温度）
UPA2702TP-E1-AZ	1.7500	询价	第254章	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²