场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SISS66DN-T1-GE3	1.5100	询价	5	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	西斯66	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	49.1A（Ta）、178.3A（Tc）	4.5V、10V	1.38毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10V时为85.5nC	+20V，-16V	15V时为3327pF	肖特基分化（体）	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	询价	6564	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN		MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	80V	14A（Ta）、61A（Tc）	6V、10V	8.3毫欧@16A，10V	4V@270μA	23nC@10V	±20V	1450 pF @ 40 V	-	3.8W（Ta）、75W（Tc）
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	询价	3363	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ65	MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-22	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	750		N沟道	650伏	64A（温度）	10V	40毫欧@24.8A，10V	4.5V@1.24mA	97nC@10V	±20V	4975 pF @ 400 V	-	357W（温度）
IRFR4104PBF	-	询价	8776	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道	40V	42A（温度）	10V	5.5毫欧@42A，10V	4V@250μA	89nC@10V	±20V	2950pF@25V	-	140W（温度）
RJK6026DPP-00#T2	0.9600	询价	25	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RF1K4915796	0.8200	询价	25	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	6.3A（塔）	4.5V、10V	30mOhm@6.3A，10V	3V@250μA	88nC@20V	±20V	1575pF@25V	-	2W（塔）
TSM5055DCR	1.1755	询价	1419	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	TSM5055	MOSFET（金属O化物）	2.2W（Ta）、30W（Tc）、2.4W（Ta）、69W（Tc）	8-PDFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM5055DCRTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）不定价		30V	10A（Ta）、38A（Tc）、20A（Ta）、107A（Tc）		11.7毫欧@10A、10V、3.6毫欧@20A、10V	2.5V@250μA	9.3nC@10V，49nC@10V		555pF@15V，2550pF@15V	-
5HP01S-TL-E	-	询价	2997	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	5HP01			SMCP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
AUIRF1010EZS	-	询价	5742	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	75A（温度）	10V	8.5毫欧@51A，10V	4V@250μA	86nC@10V	±20V	2810pF@25V	-	140W（温度）
DMNH4006SPS-13	0.5968	询价	3369	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装		DMNH4006	MOSFET（金属O化物）			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	DMNH4006SPS-13DI	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	110A（温度）	10V	7毫欧@50A，10V	4V@250μA	50.9nC@10V	20V	2280pF@25V	-	1.6W（塔）
STD134N4F7AG	2.0800	询价	2058	意法半导体	汽车、AEC-Q101、STripFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	性病134	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	80A（温度）	10V	3.5毫欧@40A，10V	4V@250μA	41nC@10V	±20V	2790pF@25V	-	134W（温度）
FQAF19N20L	1.0900	询价	1	仙童	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	360		N沟道	200V	16A（温度）	5V、10V	140mOhm@8A，10V	2V@250μA	35nC@5V	±20V	2200pF@25V	-	85W（温度）
FDMC6688P	-	询价	2840	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC6688	MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (3.3x3.3)、Power33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	14A（Ta）、56A（Tc）	1.8V、4.5V	6.5毫欧@14A，4.5V	1V@250μA	61nC@4.5V	±8V	7435pF@10V	-	2.3W（Ta）、30W（Tc）
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0	5.6000	询价	1	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	250A（温度）	10V	0.85毫欧@125A，10V	4V@250μA	368nC@10V	±20V	19350pF@25V	-	1.8W（Ta）、348W（Tc）
MSC035SMA070B4	15.5100	询价	23	微芯片	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	MSC035	SiCFET（碳化硅）		TO-247-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	150-MSC035SMA070B4	EAR99	8541.29.0095	60		N沟道	700伏	77A（温度）	20V	44毫欧@30A，20V	2.7V@2mA（典型值）	99nC@20V	+23V，-10V	2010 pF @ 700 V	-	283W（温度）
IRF7416GTRPBF	-	询价	1308	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道	30V	10A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@5.6A，10V	1V@250μA	92nC@10V	±20V	1700pF@25V	-	2.5W（塔）
FDA38N30	-	询价	4934	仙童	UniFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载						0000.00.0000	1		N沟道	300伏	38A（温度）	10V	85毫欧@19A，10V	5V@250μA	60nC@10V	±30V	2600pF@25V	-	312W（温度）
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	询价	128	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4825	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	14.9A（温度）	4.5V、10V	12.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	86nC@10V	±25V	2550pF@15V	-	2.7W（Ta）、5W（Tc）
SI4409DY-T1-E3	-	询价	3513	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4409	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	150伏	1.3A（温度）	6V、10V	1.2欧姆@500mA，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	50V时为332pF	-	2.2W（Ta）、4.6W（Tc）
FQPF5N80	-	询价	9789	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF5	MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	2.8A（温度）	10V	2.6欧姆@1.4A，10V	5V@250μA	33nC@10V	±30V	1250pF@25V	-	47W（温度）
C3M0075120K-A	17.9000	询价	8949	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0075120	SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载		3（168小时）		1697-C3M0075120K-A	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	32A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	3.6V@5mA	53nC@15V	+15V，-4V	1390 pF @ 1000 V	-	136W（温度）
SI7892BDP-T1-GE3	1.9000	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7892	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	4.2毫欧@25A，10V	3V@250μA	40nC@4.5V	±20V	15V时为3775pF	-	1.8W（塔）
SI4816DY-T1-GE3	-	询价	9991	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4816	MOSFET（金属O化物）	1W、1.25W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）		30V	5.3A、7.7A		22毫欧@6.3A，10V	2V@250μA	12nC@5V		-	逻辑电平门
MMFTN620KD-AQ	-	询价	5614	德欧泰克半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457		MOSFET（金属O化物）	500毫W	SOT-26	下载	不适用	不适用	供应商未定义	2796-MMFTN620KD-AQTR		8541.21.0000	1	2 N 沟道		60V	350毫安		1.5欧姆@500mA，10V	1.5V@250μA	1.3nC@10V		35pF@25V	逻辑电平门
IRFS7434TRL7PP	-	询价	3629	国际校正器公司	HEXFET®、StrongIRFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	40V	240A（温度）	6V、10V	1mOhm@100A，10V	3.9V@250μA	315nC@10V	±20V	10250pF@25V	-	245W（温度）
FDMS2672	2.9000	询价	2	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	频域地铁26	MOSFET（金属O化物）		8-MLP (5x6)、Power56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	3.7A（Ta）、20A（Tc）	6V、10V	77毫欧@3.7A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±20V	100V时为2315pF	-	2.5W（Ta）、78W（Tc）
NTE2934	7.3100	询价	第449章	NTE电子公司	-	包	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-3PML	下载	不符合 RoHS 指令			2368-NTE2934	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	400V	11.5A（温度）	10V	300mOhm@5.75A，10V	4V@250μA	131nC@10V	±30V	2780pF@25V	-	92W（温度）
RFP15N08L	0.5700	询价	49	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	80V	15A（温度）	5V	140mOhm@7.5A，5V	2.5V@1mA	80nC@10V	±10V		-	72W（温度）
HUF75631SK8	0.9500	询价	4	仙童	超场效应晶体管®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	100伏	5.5A（塔）	10V	39毫欧@5.5A，10V	4V@250μA	79nC@20V	±20V	1225pF@25V	-	2.5W（塔）
RFD16N05NL	0.5100	询价	第776章	仙童	PSPICE®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	50V	16A（温度）	10V	47毫欧@16A，10V	4V@250μA	80nC@20V	±20V	900pF@25V	-	72W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²