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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
DMG7401SFG-7	0.5800	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMG7401		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道					30 V	9.8A（ta）	4.5V，20V	11mohm @ 12a，20v	3V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±25V	2987 PF @ 15 V	-	940MW（TA）
MCH6415-TL-E	0.2100	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000
Stu6n90k5	2.1600	RFQ	182	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	Stu6n90		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17076	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					900 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
SPP80N06S2L-11	-	RFQ	5782	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2650 pf @ 25 V	-	158W（TC）
NVMFS5C456NLAFT1G	1.5800	RFQ	3948	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	55W（TC）
GTVA311801FA-V1-R0	432.7000	RFQ	48	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-37265J-2	GTVA311801	2.7GHz〜3.1GHz	hemt		H-37265J-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50			-	20 ma	180W	15DB											-	50 V
BLC10G18XS-301AVTZ	81.8900	RFQ	56	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1275-1	BLC10	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重的		-	300 MA	300W	15.6dB											-	30 V
STW13N80K5	4.6400	RFQ	7652	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW13		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
SIR622DP-T1-RE3	1.5600	RFQ	890	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir622		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					150 v	12.6A（TA），51.6a （TC）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IPB80P04P407ATMA1	-	RFQ	2393	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					40 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）
ixtk62n25	-	RFQ	4158	ixys	Megamos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk62		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					250 v	62A（TC）	10V	35mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IPB10N03LB g	-	RFQ	1529年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB10N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 50a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1639 PF @ 15 V	-	58W（TC）
AOK10N90	-	RFQ	2897	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK10		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					900 v	10A（TC）	10V	980MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3160 pf @ 25 V	-	403W（TC）
BUK7Y25-80E/GFX	-	RFQ	6852	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	buk7		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	39A（TC）	10V	25mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	25.9 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	95W（TC）
FDB6035L	3.4000	RFQ	800	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	58A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	75W（TC）
2301	0.0270	RFQ	120	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	56mohm @ 1.7a，4.5V	900mv @ 250µA	12 nc @ 2.5 V	±10V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
MSCSM120AM31CT1AG	126.7100	RFQ	8952	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	395W（TC）	sp1f	下载			到达不受影响	150-MSCSM120AM31CT1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						1200V（1.2kV）	89A（TC）		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
SI4484EY-T1-GE3	-	RFQ	2659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4484		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	4.8A（ta）	6V，10V	34mohm @ 6.9a，10v	2V @ 250µA（）	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
IPS50R520CP	-	RFQ	7830	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS50R		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					550 v	7.1A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 100 V	-	66W（TC）
NTMFS5C670NLT1G	2.0100	RFQ	125	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					60 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.6W（61W），61W（tc）
IXFQ22N60P3	9.8600	RFQ	9385	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ22		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq22n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
GWM220-004P3-SL	-	RFQ	5404	ixys	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）						40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
FDD850N10L	1.1800	RFQ	14	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD850		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	15.7A（TC）	5V，10V	75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	RFQ	2599	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65		sicfet （碳化硅）		PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	54A（TC）	18V	51mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+23V，-5V	1393 PF @ 400 V	-	211W（TC）
SH8MA4TB1	1.2200	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8MA4		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						30V	9a（9A），8.5a ta（8.5a）		21.4mohm @ 9a，10v，29.6mohm @ 8.5a，10v	2.5V @ 1mA	15.5nc @ 10v，19.6nc @ 10V		640pf @ 15V，890pf @ 15V	-
BLF6G10LS-160,112	-	RFQ	5035	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的			底盘安装	SOT-502B	BLF6G10	-	ldmos		SOT502B	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20			-		-	-											-
NTLGF3501NT2G	-	RFQ	3857	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	NTLGF3501		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.4A，4.5V	2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	275 PF @ 10 V	-	1.14W（TA）
MRF1517NT1	4.3100	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	过时的	25 v		表面安装	PLD-1.5		-	ldmos		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	n通道		4a	150 ma	8W	14dB @ 520MHz											-	7.5 v
SI4062DY-T1-GE3	1.7500	RFQ	7684	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4062		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	32.1a（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 30 V	-	7.8W（TC）
DMT35M7LFV-13	0.2741	RFQ	3683	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT35		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	76A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1667 PF @ 15 V	-	1.98W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²