场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
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SIHA2N80E-GE3	1.6500	询价	26	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHA2	MOSFET（金属O化物）	TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	800V	2.8A（温度）	10V	2.75欧姆@1A，10V	4V@250μA	19.6nC@10V	±30V	100V时为315pF	-	29W（温度）
IMW65R083M1HXKSA1	11.0700	询价	119	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IMW65R	SiCFET（碳化硅）	PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	650伏	24A（温度）	18V	111毫欧@11.2A，18V	5.7V@3.3mA	19nC@18V	+20V，-2V	624 pF @ 400 V	-	104W（温度）
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IPP10N03LB G	-	询价	3342	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP10N	MOSFET（金属O化物）	PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	30V	50A（温度）	4.5V、10V	9.9毫欧@50A，10V	2V@20μA	13nC@5V	±20V	1639pF@15V	-	58W（温度）
MTY25N60E	6.0000	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极							下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
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SIHA15N60E-GE3	3.0700	询价	第1682章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）	TO-220全包	下载		1（无限制）		742-SIHA15N60E-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	600伏	15A（温度）	10V	280毫欧@8A，10V	4V@250μA	76nC@10V	±30V	1350 pF @ 100 V	-	34W（温度）
NVTFS002N04CTAG	2.5800	询价	9496	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NVTFS002	MOSFET（金属O化物）	8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道	40V	27A（Ta）、136A（Tc）	10V	2.4毫欧@50A，10V	3.5V@90μA	34nC@10V	±20V	2250pF@25V	-	3.2W（Ta）、85W（Tc）
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SI1427EDH-T1-GE3	0.4300	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1427	MOSFET（金属O化物）	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	20V	2A（温度）	1.5V、4.5V	64毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	8V时为21nC	±8V		-	1.56W（Ta）、2.8W（Tc）
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SPW11N60CFDFKSA1	-	询价	9689	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW11N	MOSFET（金属O化物）	PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240	N沟道	650伏	11A（温度）	10V	440毫欧@7A，10V	5V@500μA	64nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	询价	9578	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）	PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	55V	75A（温度）		7.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	95nC@10V		2840pF@25V	-	140W（温度）
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IRFP245	1.5400	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	250伏	14A（温度）	10V	340毫欧@10A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
DMN10H220LFDF-7	0.1010	询价	1079	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMN10	MOSFET（金属O化物）	U-DFN2020-6（F型）	下载			REACH 不出行	31-DMN10H220LFDF-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	100伏	2.2A（塔）	4.5V、10V	225毫欧@2A，10V	2.5V@250μA	6.7nC@10V	±20V	384pF@25V	-	1.1W（塔）
PJF60R290E_T0_00001	1.1079	询价	2265	强茂国际有限公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF60R290E	MOSFET（金属O化物）	ITO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJF60R290E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	600伏	1.7A（Ta）、15A（Tc）	10V	290毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	40nC@10V	±20V	1013pF@25V	-	60W（温度）
TK14A55D(STA4,Q,M)	3.1600	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK14A55	MOSFET（金属O化物）	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	550伏	14A（塔）	10V	370毫欧@7A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	50W（温度）
IRF8113GPBF	0.3300	询价	950	国际校正器公司	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	8-SO	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	950	N沟道	30V	17.2A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@17.2A，10V	2.2V@250μA	36nC@4.5V	±20V	2910pF@15V	-	2.5W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²