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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BSH111,215	0.0600	RFQ	357	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BSH1				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
IXUC200N055	-	RFQ	3077	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXUC200	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	200a（TC）	10V	5.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 2mA	200 NC @ 10 V	±20V		-	300W（TC）
ISS55EP06LMXTSA1	0.4000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ISS55EP06	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	180mA（TA）	4.5V，10V	5.5Ohm @ 180mA，10v	2V @ 11µA	0.59 NC @ 10 V	±20V	18 pf @ 30 V	-	400MW（TA）
IRF7707	-	RFQ	9685	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道	20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	22mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±12V	2361 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
PMV50ENEA215	-	RFQ	4345	NXP半导体	*	大部分	积极的				PMV50				下载					Ear99	8541.29.0095	1
FDFMA2P853T	-	RFQ	4545	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.154英寸，3.90mm宽），7条线索	FDFMA2	MOSFET （金属 o化物）		7-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
tpc8134，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8134	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 100µA	20 nc @ 10 V	+20V，-25V	890 pf @ 10 V	-	1W（ta）
IPP50R350CPHKSA1	-	RFQ	4050	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000236069	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
CPH3340-TL-E	0.2300	RFQ	42	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96		MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	-	不适用				Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道	20 v	5A（5A）		45mohm @ 2.5a，4V	-	16 NC @ 4 V		1875 PF @ 10 V	-	1.2W（TA）
TSM320N03CX	0.3118	RFQ	6160	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM320	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM320N03CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	30 V	（4a ta），5.5A（5A）（TC）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	±12V	792 PF @ 15 V	-	1W（TA），1.8W（TC）
TSM4NB65CH	0.9576	RFQ	7165	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM480P06CH	0.9337	RFQ	8510	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-
AUIRFR3504Z	-	RFQ	3217	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
BUK75150-55A，127	-	RFQ	6536	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
STWA67N60DM6	6.6739	RFQ	5820	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67	MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA67N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600		n通道	600 v	58A（TC）	10V	54mohm @ 23.5a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	431W（TC）
STP7N95K3	3.1400	RFQ	499	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP7N95	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8792-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	150W（TC）
IXTF1N450	101.4600	RFQ	7133	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	ixtf1	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	4500 v	900mA（TC）	10V	85ohm @ 50mA，10v	6.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SIHF35N60EF-GE3	3.3325	RFQ	4348	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF35	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SI7911DN-T1-E3	-	RFQ	9645	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7911	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.2a		51MOHM @ 5.7A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
MCH6445-TL-W	-	RFQ	9451	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6445	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	4A（ta）	4V，10V	78MOHM @ 2A，10V	-	10 NC @ 10 V	±20V	505 pf @ 20 V	-	1.5W（TA）
EMH2407-S-TL-HX	-	RFQ	2784	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-SMD，平坦的铅	EMH2407	-	-	8-emh	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
FDMC8030	1.4400	RFQ	2554	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC80	MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	12a		10mohm @ 12a，10v	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		1975pf @ 20V	逻辑级别门
FDP7042L	0.6600	RFQ	33	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	50a（ta）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2V @ 250mA	51 NC @ 4.5 V	±12V	2418 pf @ 15 V	-	83w（ta）
IRFP7530pbf	3.6100	RFQ	652	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP7530	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001560520	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	341W（TC）
IRF723	0.7800	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	350 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NTLGF3402PT2G	-	RFQ	5739	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	NTLGF3402	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 2.7A，4.5V	2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	350 pf @ 10 V	-	1.14W（TA）
IXFN30N110P	-	RFQ	4225	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN30	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	1100 v	25A（TC）	10V	360mohm @ 15a，10v	6.5V @ 1mA	235 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	695W（TC）
PHD16N03LT，118	-	RFQ	5240	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	67mohm @ 16a，10v	2V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±15V	210 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）
NTJD4158CT2G	-	RFQ	3807	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4158	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V，20V	250mA，880mA		1.5OHM @ 10mA，4.5V	1.5V @ 100µA	1.5NC @ 5V		33pf @ 5V	逻辑级别门
irlu8729-701pbf	0.3200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		PG至251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	944		n通道	30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²