场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
DMN3060LW-13	0.0602	询价	1240	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	DMN3060		MOSFET（金属O化物）	SOT-323	下载			REACH 不出行	31-DMN3060LW-13TR	EAR99	8541.21.0095	10,000	N沟道					30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	60毫欧@3.1A，10V	1.8V@250μA	5.6nC@4.5V	±12V	15V时为395pF	-	500毫W（塔）
IXFH14N60P	6.0900	询价	28	IXYS	HiPerFET™，其间	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXFH14		MOSFET（金属O化物）	TO-247AD (IXFH)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道					600伏	14A（温度）	10V	550毫欧@7A，10V	5.5V@2.5mA	36nC@10V	±30V	2500pF@25V	-	300W（温度）
DMP31D1U-7	0.1900	询价	8963	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道					30V	620mA（塔）	1.8V、4.5V	1欧姆@400mA，4.5V	1.1V@250μA	8V时为1.6nC	±8V	54pF@15V	-	460毫W（塔）
NTB45N06T4	-	询价	1626	onsemi	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB45		MOSFET（金属O化物）	D²PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道					60V	45A（塔）		26毫欧@22.5A，10V	4V@250μA	46nC@10V		1725pF@25V	-
CP373-CMPDM303NH-WN	-	询价	4345	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死			MOSFET（金属O化物）	死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0040	1	N沟道					30V	3.6A（塔）	2.5V、4.5V	78毫欧@1.8A，2.5V	1.2V@250μA	13nC@4.5V	12V	590pF@10V	-	-
PMV65UNE,215	-	询价	1184	恩智浦	*	大部分	的积极					PMV65		-		下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1														-
AOTF2142L	1.2987	询价	8225	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	AOTF2142		MOSFET（金属O化物）	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道					40V	112A（温度）	4.5V、10V	1.9毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	100nC@10V	±20V	8320pF@20V	-	41W（温度）
IPI65R280C6	1.0700	询价	500	英飞凌科技	CoolMOS C6™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）	PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					650伏	13.8A（温度）	10V	280毫欧@4.4A，10V	3.5V@440μA	45nC@10V	±20V	950pF@100V	-	104W（温度）
2SK3455B-S17-AY	3.3600	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）	ITO-220 (MP-45F)	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					500V	12A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	3.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1800pF@10V	-	2W（Ta）、50W（Tc）
ICE47N60W	7.8400	询价	2	冰茂科技	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）	TO-247	下载				5133-ICE47N60W	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道					600伏	47A（温度）	10V	68毫欧@24A，10V	3.9V@250μA	189nC@10V	±20V	5718pF@25V	-	431W（温度）
IXTK62N25	-	询价	4158	IXYS	MegaMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA	IXTK62		MOSFET（金属O化物）	TO-264 (IXTK)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道					250伏	62A（温度）	10V	35毫欧@31A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	5400pF@25V	-	390W（温度）
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	询价	400	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）	TO-262	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50	N沟道					40V	80A（温度）		4.8毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	135nC@10V		6900pF@25V	-	1.8W（Ta）、115W（Tc）
TK090U65Z,RQ	5.5000	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-PowerSFN			MOSFET（金属O化物）	收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道					650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
SSM3J144TU,LXHF	0.4300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）	UFM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道					20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	+6V、-8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
IXTH21N50	7.7060	询价	3883	IXYS	MegaMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXTH21		MOSFET（金属O化物）	TO-247（第九）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道					500V	21A（温度）	10V	250mOhm@10.5A，10V	4V@250μA	190nC@10V	±20V	4200pF@25V	-	300W（温度）
MSC080SMA120J	28.8000	询价	5	微芯片	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	MSC080		SiCFET（碳化硅）	SOT-227 (ISOTOP®)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	691-MSC080SMA120J	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					1200伏	37A（温度）	-	-	-		-		-	-
FQD16N15TF	-	询价	4861	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD1		MOSFET（金属O化物）	TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道					150伏	11.8A（温度）	10V	160毫欧@5.9A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±25V	910pF@25V	-	2.5W（Ta）、55W（Tc）
IRFP4368PBF	-	询价	6132	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）	TO-247AC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	N沟道					75V	195A（高温）	10V	1.85毫欧@195A，10V	4V@250μA	570nC@10V	±20V	19230pF@50V	-	520W（温度）
IRF243	-	询价	9864	国际校正器公司	-	大部分	的积极		-	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）	TO-204AA (TO-3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	N沟道					150伏	16A	-	-	-		-		-	125W
IRF7759L2TRPBF	-	询价	4791	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 L8			MOSFET（金属O化物）	DirectFET™ 等距 L8	-						0000.00.0000	1	N沟道					75V	26A（Ta）、375A（Tc）	10V	2.3毫欧@96A，10V	4V@250μA	300nC@10V	±20V	12222pF@25V	-	3.3W（Ta）、125W（Tc）
YJL2301G	0.0240	询价	300	扬杰科技	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合RoHS标准		REACH 不出行	4617-YJL2301GTR	EAR99		3,000
FDS8449	0.9600	询价	33	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS84		MOSFET（金属O化物）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道					40V	7.6A（塔）	4.5V、10V	29毫欧@7.6A，10V	3V@250μA	11nC@5V	±20V	760pF@20V	-	2.5W（塔）
IPP65R125C7	1.0000	询价	2962	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）	PG-TO220-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1	N沟道					650伏	18A（温度）	10V	125毫欧@8.9A，10V	4V@440μA	35nC@10V	±20V	1670 pF @ 400 V	-	101W（温度）
PMX100UNEZ	0.3900	询价	14	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	0201（0603 公制）	PMX100		MOSFET（金属O化物）	DFN0603-3 (SOT8013)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	15,000	N沟道					20V	1.4A（塔）	1.8V、4.5V	160毫欧@1A，4.5V	900mV@250μA	2.1nC@4.5V	±8V	123pF@10V	-	300mW（Ta）、4.7W（Tc）
BLF6G21-10G,112	-	询价	9902	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	SOT-538A		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	2-CSMD	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		-	100毫安	700毫W	18.5分贝											-	28V
SSM3K341TU,LXHF	0.5900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	3-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1W（塔）
PSMN2R0-60ES,127	3.0200	询价	2	安世半导体美国公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	PSMN2R0		MOSFET（金属O化物）	I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道					60V	120A（温度）	10V	2.2毫欧@25A，10V	4V@1mA	137nC@10V	±20V	9997pF@30V	-	338W（温度）
AUIRF3805S-7TRL	-	询价	5963	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB			MOSFET（金属O化物）	D2PAK（7导联）	下载					EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					55V	160A（温度）	10V	2.6毫欧@140A，10V	4V@250μA	200nC@10V	±20V	7820pF@25V	-	300W（温度）
HUF76409D3ST	-	询价	8446	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道					60V	18A（温度）	4.5V、10V	63毫欧@18A，10V	3V@250μA	15nC@10V	±16V	485pF@25V	-	49W（温度）
PJD5NA80_L2_00001	-	询价	8543	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD5NA80		MOSFET（金属O化物）	TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD5NA80_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道					800V	5A（塔）	10V	2.7欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±30V	660pF@25V	-	140W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²