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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NTTFS010N10MCLTAG	1.7200	RFQ	2611	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS010	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	100 v	10.7a（ta），50a （TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 15a，10v	3V @ 85µA	30 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V		2.3W（TA），52W（TC）
SI4431CDY-T1-GE3	0.7300	RFQ	82	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.2W（TC）
SI2328DS-T1-BE3	0.8600	RFQ	7496	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2328DS-T1-BE3DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	1.15A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V		-	730MW（TA）
E4D10120G	5.4676	RFQ	4861	Wolfspeed，Inc。	-	管子	积极的				E4D10120				-				1697-E4D10120G			50
SCT4018KRC15	42.7500	RFQ	5665	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4018	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4018KRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	81A（TC）	18V	23.4mohm @ 42a，18v	4.8V @ 22.2mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4532 PF @ 800 V	-	312W
DMN3033LSD-13	0.6800	RFQ	9271	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN3033	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.9a		20mohm @ 6.9a，10v	2.1V @ 250µA	13nc @ 10V		725pf @ 15V	逻辑级别门
G1003B	0.3700	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3a		130MOHM @ 1A，10V	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 50 V		3.3W
ixtp26p10t	2.9790	RFQ	9171	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp26	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	26a（TC）	10V	90MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±15V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDR838P	-	RFQ	7360	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR83	MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	17mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±8V	3300 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
IXFX14N100	-	RFQ	6174	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX14	MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1000 v	14A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
GC11N65F	1.6400	RFQ	145	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	11a		360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	901 PF @ 50 V		31.3W
DMP610DLQ-13	0.0406	RFQ	3257	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMP610DLQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道	60 V	186ma（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA	0.5 NC @ 5 V	±30V	40 pf @ 25 V	-	520MW（TA）
SI4410DY	-	RFQ	7856	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI441	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RJK0391DPA-WS＃j53	1.4800	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	204
GSFP6901	1.3000	RFQ	2	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（5.1x5.71）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		P通道	60 V	72A（TC）	4.5V，10V	8.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	12930 PF @ 25 V	-	142W（TC）
UPA2396AT1P-E1-A YJ1	-	RFQ	6500	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的								-				559-UPA2396AT1P-E1-A YJ1	过时的		1
TW027N65C，S1F	22.7000	RFQ	4982	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	58A（TC）	18V	37mohm @ 29a，18v	5V @ 3mA	65 NC @ 18 V	+25V，-10V	2288 PF @ 400 V	-	156W（TC）
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IRF7523D1TRPBF	-	RFQ	1648年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 1.7A，10V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRF3711ZCSTRRP	-	RFQ	2685	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
RSS065N06FW6TB1	-	RFQ	9949	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS065N06FW6TB1TR	过时的		2,500				6.5a
SIHB35N60EF-GE3	6.4600	RFQ	12	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB35	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHP12N65E-GE3	2.3700	RFQ	2051	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
DMG3402LQ-13	0.1083	RFQ	8712	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG3402	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMG3402LQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	4A（ta）	2.5V，10V	52MOHM @ 4A，10V	1.4V @ 250µA	11.7 NC @ 10 V	±12V	464 pf @ 15 V	-	1.4W
FDB8160	-	RFQ	8796	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB816	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
SIHP22N65E-GE3	2.4402	RFQ	1004	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	22a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2415 PF @ 100 V	-	227W（TC）
R6515knxc7g	3.8300	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6515	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6515KNXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	15A（TA）	10V	315MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 430µA	27.5 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	60W（TC）
PMDXB950UPE147	-	RFQ	5599	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
ICE20N60FP	2.4700	RFQ	14	ICEMOS技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载				5133-ICE20N60FP	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	3.9V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	2064 PF @ 25 V	-	35W（TC）
AOB27S60L	4.0400	RFQ	5	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB27S60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	27a（TC）	10V	160MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1294 pf @ 100 V	-	357W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²