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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
ISC0605NLSATMA1	1.4175	RFQ	8427	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC0605NLSATMA1TR			5,000
ISC032N12LM6ATMA1	1.8378	RFQ	4451	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC032N12LM6ATMA1TR			5,000
IPDQ60T017S7XTMA1	11.5917	RFQ	6998	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPDQ60T017S7XTMA1TR			750
IPDQ65R060CFD7AXTMA1	5.9223	RFQ	7256	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块			MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-22-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750		n通道					650 v	45A（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 820µA	65 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	272W（TC）
IQE036N08NM6CGSCATMA1	1.2170	RFQ	5164	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR			6,000
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	（30a）（100a ta）（TC）	7V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±20V	9044 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPF042N10NF2SATMA1	2.5100	RFQ	792	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	21a（21A），139a （TC）	6V，10V	4.25MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 93µA	85 NC @ 10 V	±20V	4000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	RFQ	2	Infineon技术	strongirfet™2	（CT）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					80 V	17a（17a），98a （TC）	6V，10V	5.5MOHM @ 60a，10V	3.8V @ 55µA	54 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 40 V	-	（3W）（TA），107W（107W）（TC）
SCT4013DEC11	37.7600	RFQ	14	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DEC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					750 v	105A（TJ）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
MSCSM70VR1M07CT6AG	502.0100	RFQ	1297	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	966W（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70VR1M07CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						700V	349A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
MSCSM120VR1M31C1AG	161.6500	RFQ	2747	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	395W（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120VR1M31C1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						1200V（1.2kV）	89A（TC）		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
YJQ20P04A	0.1390	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ20P04ATR	Ear99		5,000
YJL2301CQ	0.0580	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJL2301CQTR	Ear99		3,000
SIHK185N60EF-T1GE3	4.6000	RFQ	9129	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	16A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	114W（TC）
YJQ4606A	0.1230	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ4606ATR	Ear99		5,000
YJL2305BQ	0.0640	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJL2305BQTR	Ear99		3,000
YJQ50N04A	0.2840	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ50N04ATR	Ear99		5,000
2N7002KCDWQ	0.0420	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					2N7002					-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2N7002KCDWQTR	Ear99		3,000
G75P04T	-	RFQ	4272	戈福德半导体	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道					40 V	70A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	6985 pf @ 20 V	-	277W（TC）
UT6KE5TCR	0.6800	RFQ	3681	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6KE5		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	-		（1 （无限）					3,000	2 n通道						100V	2A（TA）		207MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	标准
SSM3K35MFV（TPL3）	-	RFQ	8872	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K35		MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道					20 v	180mA（TA）	1.2V，4V	3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA		±10V	9.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
DMP610DL-13	0.0289	RFQ	7476	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP610		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					60 V	180mA（TA）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA	0.56 NC @ 10 V	±30V	24.6 pf @ 25 V	-	310MW（TA）
SI1403CDL-T1-GE3	-	RFQ	4141	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403		MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	2.1A（TC）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 1.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±12V	281 PF @ 10 V	-	600MW（TA），900MW（（（（（（（（（（（
STAC3933	106.4500	RFQ	9	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	250 v			STAC177B	STAC393	30MHz	MOSFET		STAC177B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	n通道		20a	250 MA	350W	29dB											-	100 v
IPD096N08N3GATMA1	1.4000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD096		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	73A（TC）	6V，10V	9.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
C3M0075120J	17.9000	RFQ	940	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0075120		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					1200 v	30A（TC）	15V	90MOHM @ 20a，15v	4V @ 5mA	51 NC @ 15 V	+19V，-8V	1350 pf @ 1000 V	-	113.6W（TC）
apt50m75jfll	44.8700	RFQ	2107	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50M75		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	51A（TC）		75MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 2.5mA	125 NC @ 10 V		5590 pf @ 25 V	-
BUK6212-40C，118	-	RFQ	6590	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	50A（TC）	10V	11.2MOHM @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 NC @ 10 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	80W（TC）
FQP4N20L	1.1900	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FDD8N50NZTM	1.4100	RFQ	2338	Onmi	Unifet-II™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8N50		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	6.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	735 PF @ 25 V	-	90W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²