场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
MRF9135LR5	94.7000	询价	20	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V			SOT-957A	MRF91	880兆赫	LDMOS		NI-780H-2L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1			-	1.1安	25W	17.8分贝											-	26V
MRF6P23190HR5	150.9900	询价	38	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	68V		安装结构	NI-1230		2.39GHz	LDMOS		NI-1230	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0075	50			-	1.9安	40W	14分贝											-	28V
BUK6211-75C,118	-	询价	6937	恩智浦半导体	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-BUK6211-75C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					75V	74A（塔）		11毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	81nC@10V	±16V	5251pF@25V	-	158W（塔）
BUK9540-100A,127	0.3300	询价	2	恩智浦半导体	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-BUK9540-100A，127-954			1		N沟道					100伏	39A（温度）	4.5V、10V	39毫欧@25A，10V	2V@1mA	48nC@5V	±15V	3072pF@25V	-	158W（温度）
R6007RND3TL1	1.5800	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	R6007		MOSFET（金属O化物）		TO-252	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					600伏	7A（温度）	15V	940毫欧@3.5A，15V	7V@1mA	17.5nC@15V	±30V	460pF@100V	-	96W（温度）
FCPF260N65FL1-F154	2.0758	询价	6889	onsemi	FRFET®、SuperFET® II	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF260		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-FCPF260N65FL1-F154	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	15A（温度）		260毫欧@7.5A，10V	5V@1.5mA	60nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	36W（温度）
MCQ15N10B-TP	-	询价	4322	微商公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCQ15		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-				353-MCQ15N10B-TP	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					100伏	15A（Tj）	4.5V、10V	9.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	60.7nC@10V	±20V	50V时为3530pF	-	4W（Tj）
DMN62D0UDWQ-13	0.4700	询价	10	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	DMN62		MOSFET（金属O化物）	320毫W（塔）	SOT-363	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）						60V	350mA（塔）		2欧姆@100mA，4.5V	1.1V@250μA	0.5nC@4.5V		32pF@30V	-
PTFB211501E-V1-R0	-	询价	9267	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		2.17GHz	LDMOS		H-36248-2	下载		1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50			-	1.2A	40W	18分贝											-	30V
FDB3652SB82059	2.6000	询价	500	仙童	*	大部分	的积极					FDB3652		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1															-
FDFS2P753AZ	0.5300	询价	9	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					30V	3A（塔）	4.5V、10V	115mOhm@3A，10V	3V@250μA	11nC@10V	±25V	455pF@15V	肖特基分散（隔离）	3.1W（塔）
FDP15N50	2.0600	询价	4	仙童	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	400		N沟道					500V	15A（温度）	10V	380毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	41nC@10V	±30V	1850pF@25V	-	300W（温度）
FQPF11P06	0.6200	询价	第552章	仙童	QFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载					EAR99	8542.39.0001	第552章		P沟道					60V	8.6A（温度）	10V	175mOhm@4.3A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±25V	550pF@25V	-	30W（温度）
HUFA75321D3ST	0.4200	询价	79	仙童	汽车、AEC-Q101、UltraFET™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	胡法75		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	2,500人		N沟道					55V	20A（温度）	10V	36mOhm@20A，10V	4V@250μA	44nC@20V	±20V	680pF@25V	-	93W（温度）
EPC7014UBC	199.9600	询价	2	EPC空间有限责任公司	电子N化镓®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	EPC7014		GaNFET（N化镓）		4-SMD	-		1（无限制）		4107-EPC7014UBC		0000.00.0000	169		N沟道					60V	1A（温度）	5V	580mOhm@1A，5V	2.5V@140μA		+7V、-4V	22pF@30V	-	-
FBG20N04ASH	408.3100	询价	第1476章	EPC空间有限责任公司	电子N化镓®		的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅			GaNFET（N化镓）		4-SMD	-		1（无限制）		4107-FBG20N04ASH		0000.00.0000	1		N沟道					200V	4A（温度）	5V	130mOhm@4A，5V	2.8V@1mA	3nC@5V	+6V、-4V	150pF@100V	-	-
AUIRFZ44NSTRL	1.1600	询价	12	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	800		N沟道					55V	49A（温度）		17.5毫欧@25A，10V	4V@250μA	63nC@10V		1470pF@25V	-	3.8W（Ta）、94W（Tc）
ICE20N60FP	2.4700	询价	14	冰茂科技	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载				5133-ICE20N60FP	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	3.9V@250μA	59nC@10V	±20V	2064pF@25V	-	35W（温度）
TSM4NB65CH	0.9576	询价	7165	台积电	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	TSM4		MOSFET（金属O化物）		TO-251（IPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM4NB65CH	EAR99	8541.29.0095	15,000		N沟道					650伏	4A（温度）	10V	3.37欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	13.46nC@10V	±30V	549pF@25V	-	50W（温度）
SSM6N7002KFU,LXH	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002		MOSFET（金属O化物）	285毫W（塔）	美国6号	下载		1（无限制）		264-SSM6N7002KFULXHCT	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						60V	300mA（塔）		1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V		40pF@10V	-
APTC60AM70T1G	-	询价	3862	美高森美公司	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SP1	APTC60		MOSFET（金属O化物）	250W	SP1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）						600V	39A		70毫欧@39A，10V	3.9V@2.7mA	259nC@10V		7000pF @ 25V	-
MMFT2N25ET3	0.1500	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	4,000
SQJA64EP-T1_BE3	0.7300	询价	7773	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双			MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8 双	下载		1（无限制）		742-SQJA64EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	15A（温度）	10V	32mOhm@4A，10V	3.5V@250μA	12nC@10V	±20V	670pF@25V	-	45W（温度）
HUF75631S3ST	4.2400	询价	第464章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-HUF75631S3STTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100伏	33A（温度）	10V	40毫欧@33A，10V	4V@250μA	79nC@20V	±20V	1220pF@25V	-	120W（温度）
FDD13AN06A0_NL	-	询价	6377	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					60V	9.9A（Ta）、50A（Tc）	6V、10V	13.5毫欧@50A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±20V	1350pF@25V	-	115W（温度）
DI064P04D1-AQ	1.3932	询价	6605	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装						D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义	2796-DI064P04D1-AQTR		8541.29.0000	2,500人		P沟道						64A								48.3W
PMPB08R4VPX	0.5300	询价	5	安世半导体美国公司	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	PMPB08		MOSFET（金属O化物）		DFN2020MD-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					12V	12A（塔）		9.6毫欧@12A，4.5V	900mV@250μA	40nC@4.5V	±8V	2200pF@6V	-	1.9W（Ta）、12.5W（Tc）
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
SSS4N60BT	0.3100	询价	1	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	4A（Tj）	10V	2.5欧姆@2A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±30V	920pF@25V	-	33W（温度）
2SK1168-E	-	询价	9196	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK1168-E			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²