场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
NVMFS5833NLT1G	-	询价	9397	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NVMFS5833	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	40V	16A（塔）	10V	7.5毫欧@40A，10V	3.5V@250μA	10V时为32.5nC	±20V	1714pF@25V	-	3.7W（塔）
FCPF9N60NT	2.7000	询价	812	onsemi	SuperMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF9N60	MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	9A（温度）	10V	385毫欧@4.5A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±30V	1240 pF @ 100 V	-	29.8W（温度）
2SK3412-TL-E	0.4300	询价	198	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	700
2SK1470-TD-E	0.3100	询价	10	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FQAF28N15	-	询价	6256	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3全包	FQAF2	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	150伏	22A（温度）	10V	90毫欧@11A，10V	4V@250μA	52nC@10V	±25V	1600pF@25V	-	102W（温度）
PHB21N06LT,118	0.3700	询价	978	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	55V	19A（TC）	5V、10V	70毫欧@10A、10V	2V@1mA	9.4nC@5V	±15V	650pF@25V	-	56W（温度）
STWA68N65DM6AG	7.9990	询价	9113	意法半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	STWA68	MOSFET（金属O化物）		TO-247 长住宅	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-STWA68N65DM6AG	EAR99	8541.29.0095	600		N沟道	650伏	72A（温度）	10V	39毫欧@36A，10V	4.75V@250μA	118nC@10V	±25V	5900pF@100V	-	480W（温度）
MSCSM70HM05CAG	792.4000	询价	3596	微芯片	-	大部分	的积极				MSCSM70	-			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-MSCSM70HM05CAG	EAR99	8541.29.0095	1											-
UF3C065040T3S	1900年13月	询价	629	科尔沃	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	UF3C065040			TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2312-UF3C065040T3S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	54A（温度）	12V	52毫欧@40A，12V	6V@10mA	51nC@15V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	326W（温度）
PHP21N06T,127	-	询价	7939	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP21	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	21A（温度）	10V	75毫欧@10A，10V	4V@1mA	13nC@10V	±20V	500pF@25V	-	69W（温度）
FDMA905P_F130	-	询价	1915年	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	频分多址90	MOSFET（金属O化物）		6-MicroFET (2x2)	-		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	10A（塔）	1.8V、4.5V	16毫欧@10A，4.5V	1V@250μA	29nC@6V	±8V	3405pF@6V	-	2.4W（塔）
IXTA182N055T7	-	询价	1418	IXYS	TrenchMV™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IXTA182	MOSFET（金属O化物）		TO-263-7 (IXTA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	182A（TC）	10V	5毫欧@25A，10V	4V@250μA	114nC@10V	±20V	4850pF@25V	-	360W（温度）
BUK6212-40C,118-NEX	-	询价	5883	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	2,500人		N沟道	40V	50A（塔）		11.2毫欧@12A，10V	2.8V@1mA	10V时为33.9nC	±16V	1900pF@25V	-	80W
RX3G07BBGC16	3.7100	询价	第1334章	罗姆半导体	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	RX3G07	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		846-RX3G07BBGC16	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	130A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3毫欧@70A，10V	2.5V@1mA	56nC@10V	±20V	3540pF@20V	-	89W（温度）
RH6R025BHTB1	1.8900	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	RH6R025	MOSFET（金属O化物）		8-HSMT (3.2x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	25A（塔）	6V、10V	60毫欧@25A，10V	4V@1mA	16.7nC@10V	±20V	75V时为1010pF	-	2W（Ta）、59W（Tc）
IGT60R190D1ATMA1	-	询价	9678	英飞凌科技	-	大部分	的积极								-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000
IXTY2N100P-TRL	1.7259	询价	3191	IXYS	腹部	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IXTY2	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTY2N100P-TRLTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	1000伏	2A（温度）	10V	7.5欧姆@1A，10V	4.5V@100μA	10V时为24.3nC	±20V	655pF@25V	-	86W（温度）
IRL7486MTRPBF	1.2100	询价	4	国际校正器公司	HEXFET®、StrongIRFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	DirectFET™ 等距 ME		MOSFET（金属O化物）		DirectFET™ 等距 ME	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	40V	209A（TC）	4.5V、10V	1.25毫欧@123A，10V	2.5V@150μA	111nC@4.5V	±20V	6904pF@25V	-	104W（温度）
IRFR420PBF-BE3	0.7513	询价	1006	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR420	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR420PBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	500V	2.4A（温度）	10V	3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
MCH3402-TL-E	0.1600	询价	54	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
SQ4435EY-T1_BE3	1.4400	询价	8199	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4435	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）		742-SQ4435EY-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	15A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	58nC@10V	±20V	15V时为2170pF	-	6.8W（温度）
STP50NF25	2.8900	询价	第396章	意法半导体	STripFET™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	STP50	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	45A（温度）	10V	69毫欧@22A，10V	4V@250μA	68.2nC@10V	±20V	2670pF@25V	-	160W（温度）
ALD114935SAL	4.9612	询价	1067	先进线性器件公司	EPAD®	管子	的积极	0°C ~ 70°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ALD114935	MOSFET（金属O化物）	500毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1014-1068	EAR99	8541.21.0095	50	2 个 N 沟道（双）匹配对		10.6V	12毫安、3毫安		540欧姆@0V	3.45V@1μA	-		2.5pF@5V	成熟模式
AOB2904	-	询价	3237	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB290			TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800				120A（温度）
MCH5815-TL-E	0.1200	询价	129	三洋	*	大部分	的积极				MCH5815	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000											-
MSC090SMA070S	8.5300	询价	3	微芯片	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-268-3、D³Pak（2引脚+片）、TO-268AA	MSC090	SiCFET（碳化硅）		D3PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	691-MSC090SMA070S	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	700伏	25A（温度）	-	-	-		-		-	-
BSL205NL6327	-	询价	3099	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL205	MOSFET（金属O化物）	500毫W	PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	2.5A		50毫欧@2.5A，4.5V	1.2V@11μA	3.2nC@4.5V		419pF@10V	逻辑电平门
SISS64DN-T1-GE3	1.3800	询价	2142	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS64	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	40A（温度）	4.5V、10V	2.1毫欧@10A、10V	2.2V@250μA	68nC@10V	+20V，-16V	15V时为3420pF	-	57W（温度）
SPI15N60CFD	1.7400	询价	11	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	13.4A（温度）	10V	330毫欧@9.4A，10V	5V@750μA	84nC@10V	±20V	1820pF@25V	-	156W（温度）
SIHA6N65E-GE3	2.0400	询价	1	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	下载		1（无限制）		742-SIHA6N65E-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	7A（温度）	10V	600mOhm@3A，10V	4V@250μA	48nC@10V	±30V	1640pF@100V	-	31W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²