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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FCP170N60	3.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	92		n通道					600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
FDMS8025S	0.5800	RFQ	171	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8541.29.0095	563		n通道					30 V	24A（24A），49A （TC）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
PSMN1R2-30YLC，115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
PSMN6R4-30MLD，115	-	RFQ	4077	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
IPP062NE7N3G	1.0000	RFQ	3188	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	80A（TC）	10V	6.2MOHM @ 73A，10V	3.8V @ 70µA	55 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 37.5 V	-	136W（TC）
FCPF380N60-F154	1.5282	RFQ	1166	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	10.2A（TJ）		380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FCPF190N60E-F154	2.1745	RFQ	9960	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF190N60E-F154	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	20.6A（TJ）		190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	39W（TC）
WP28007025	109.7260	RFQ	65	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	28 V			死		7GHz	甘姆特	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP28007025	Ear99	8541.29.0040	5			800mA	100 ma	25W	17dB											-	28 V
WP2806008UH	52.1750	RFQ	12	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	160 v		通过洞	360bh		6GHz	甘姆特	360bh	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP2806008UH	Ear99	8541.29.0075	2			-	70 MA	6W	11DB											-	28 V
IPW60R199CP	-	RFQ	3900	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-21	下载						0000.00.0000	1		n通道					600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
irfu7440pbf	0.7300	RFQ	108	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	409		n通道					40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114		n通道					100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
BLF6G27LS-40P，112	75.6200	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v		表面安装	SOT-1121b		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	最多	下载					Ear99	8541.29.0075	4	双重，共同来源		-	450 MA	12W	17.5db											-	28 V
TK110A65Z，S4X	4.2300	RFQ	51	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK110A65		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	24A（24A）	10V	110mohm @ 12a，10v	4V @ 1.02mA	40 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 300 V	-	45W（TC）
SIHP6N80AE-GE3	1.6900	RFQ	971	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	5A（TC）		950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
RS1G201ATTB1	2.8600	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1G		MOSFET （金属 o化物）	8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	20A（20A），78a tc（78a tc）		5.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6890 pf @ 20 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
FQPF6N80T	1.1600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
FCH25N60N	3.7500	RFQ	7	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	80		n通道					600 v	25A（TC）	10V	126mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
BUK7Y7R2-60EX	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W（TC）
PMCM6501VPEZ	0.2000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）	6-WLCSP（1.48x0.98）	下载					Ear99	8541.29.0095	1,528		P通道					12 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	29.4 NC @ 4.5 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	556毫米（TA），12.5W（tc）
IRFR7440TRPBF	-	RFQ	2155	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）	176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
FQP20N06L	-	RFQ	2169	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	-						0000.00.0000	1		n通道					60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	53W（TC）
PHB18NQ10T，118	0.4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	727		n通道					100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）
MRF24301HR5178	1.0000	RFQ	9953	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
PSMN030-150p，127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
psmn1r5-30yl，115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道					30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLR7833TRPBF	-	RFQ	7124	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
ON5451,518	-	RFQ	2378	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的				-		-	-	-	-					Ear99	8541.29.0095	1	-		-		-	-											-
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	RFQ	1637年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60		MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700		n通道					600 v	33A（TC）		90mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1747 PF @ 400 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²