场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
RFP12N18	1.0600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					180伏	12A（温度）	10V	250mOhm@12A，10V	4V@250μA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
FQPF9P25-T	-	询价	9243	onsemi	QFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF9		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道					250伏	6A（温度）	10V	620毫欧@3A，10V	5V@250μA	38nC@10V	±30V	1180pF@25V	-	50W（温度）
ST50V10100	75.9300	询价	8771	意法半导体	-	大部分	的积极	110V		安装结构	M243	ST50	-	LDMOS		M243	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-ST50V10100			50	-		18A		100W	18分贝											-
BF244C	0.3400	询价	33	仙童	-	大部分	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		450兆赫	-		TO-92-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	2,000	-		25毫安		-	-											1.5分贝
IAUC120N04S6N006ATMA1	4.0600	询价	6603	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-53	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	120A（Tj）	7V、10V	0.6毫欧@60A，10V	3V@130μA	151nC@10V	±20V	10117pF@25V	-	187W（温度）
DIT195N08	2.8404	询价	2	德欧泰克半导体	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	不适用		2796-DIT195N08		8541.21.0000	50		N沟道					85V	195A（高温）	10V	4.95毫欧@40A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±20V	16880pF@25V	-	300W（温度）
CLF1G0035-100PU	263.3300	询价	25	恩智浦	-	大部分	的积极	150伏		安装结构	SOT-1228A		3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管		LDMOST	下载					EAR99	8541.29.0075	1			-	100毫安	100W	14分贝											-	50V
IPA65R600E6	-	询价	8800	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	28W（温度）
PJQ4446P-AU_R2_000A1	0.8700	询价	4	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4446		MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4446P-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	10.5A（Ta）、48A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1258pF@25V	-	2.4W（Ta）、50W（Tc）
NP160N04TUG-E1-AY	-	询价	5273	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	NP160N04		MOSFET（金属O化物）		TO-263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					40V	160A（温度）	10V	2mOhm@80A，10V	4V@250μA	270nC@10V	±20V	15750pF@25V	-	1.8W（Ta）、220W（Tc）
SSM3K15F,LF	0.2300	询价	72	东芝半导体和存储	π-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	200毫W（塔）
IRFS720B	0.1800	询价	2	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					400V	3.3A（Tj）	10V	1.75欧姆@1.65A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±30V	600pF@25V	-	33W（温度）
TK25A20D,S5X	1.7900	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	25A（塔）	10V	70毫欧@12.5A，10V	3.5V@1mA	60nC@10V	±20V	2550pF@100V	-	45W（温度）
STW38N65M5	7.6200	询价	1092	意法半导体	MDmesh™V	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	STW38		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	30A（温度）	10V	95毫欧@15A，10V	5V@250μA	71nC@10V	±25V	3000 pF @ 100 V	-	190W（温度）
FDMA1023PZ	-	询价	第3139章	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址1023		MOSFET（金属O化物）	700毫W	6-MicroFET (2x2)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	2 个 P 沟道（双）						20V	3.7A		72毫欧@3.7A，4.5V	1.5V@250μA	12nC@4.5V		655pF@10V	逻辑电平门
FDPC8014S	1.2353	询价	5089	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDPC8014		MOSFET（金属O化物）	2.1W、2.3W	电源夹 56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价						25V	20A、41A		3.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	35nC@10V		2375pF@13V	逻辑电平门
DMN3060LW-13	0.0602	询价	1240	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	DMN3060		MOSFET（金属O化物）		SOT-323	下载			REACH 不出行	31-DMN3060LW-13TR	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道					30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	60毫欧@3.1A，10V	1.8V@250μA	5.6nC@4.5V	±12V	15V时为395pF	-	500毫W（塔）
IXFH14N60P	6.0900	询价	28	IXYS	HiPerFET™，其间	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXFH14		MOSFET（金属O化物）		TO-247AD (IXFH)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					600伏	14A（温度）	10V	550毫欧@7A，10V	5.5V@2.5mA	36nC@10V	±30V	2500pF@25V	-	300W（温度）
DMP31D1U-7	0.1900	询价	8963	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					30V	620mA（塔）	1.8V、4.5V	1欧姆@400mA，4.5V	1.1V@250μA	8V时为1.6nC	±8V	54pF@15V	-	460毫W（塔）
NTB45N06T4	-	询价	1626	onsemi	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB45		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					60V	45A（塔）		26毫欧@22.5A，10V	4V@250μA	46nC@10V		1725pF@25V	-
PMV65UNE,215	-	询价	1184	恩智浦	*	大部分	的积极					PMV65		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1															-
AOTF2142L	1.2987	询价	8225	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	AOTF2142		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	112A（温度）	4.5V、10V	1.9毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	100nC@10V	±20V	8320pF@20V	-	41W（温度）
IPI65R280C6	1.0700	询价	500	英飞凌科技	CoolMOS C6™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					650伏	13.8A（温度）	10V	280毫欧@4.4A，10V	3.5V@440μA	45nC@10V	±20V	950pF@100V	-	104W（温度）
ICE47N60W	7.8400	询价	2	冰茂科技	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载				5133-ICE47N60W	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					600伏	47A（温度）	10V	68毫欧@24A，10V	3.9V@250μA	189nC@10V	±20V	5718pF@25V	-	431W（温度）
IXTK62N25	-	询价	4158	IXYS	MegaMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA	IXTK62		MOSFET（金属O化物）		TO-264 (IXTK)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					250伏	62A（温度）	10V	35毫欧@31A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	5400pF@25V	-	390W（温度）
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	询价	400	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	80A（温度）		4.8毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	135nC@10V		6900pF@25V	-	1.8W（Ta）、115W（Tc）
TK090U65Z,RQ	5.5000	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-PowerSFN			MOSFET（金属O化物）		收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
SSM3J144TU,LXHF	0.4300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	+6V、-8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
MSC080SMA120J	28.8000	询价	5	微芯片	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	MSC080		SiCFET（碳化硅）		SOT-227 (ISOTOP®)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	691-MSC080SMA120J	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					1200伏	37A（温度）	-	-	-		-		-	-
FQD16N15TF	-	询价	4861	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD1		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					150伏	11.8A（温度）	10V	160毫欧@5.9A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±25V	910pF@25V	-	2.5W（Ta）、55W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²