RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NTMFS4C822NAT3G	1.6100	RFQ	5997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（30a）（TA），136a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 V	±20V	3071 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），64W（tc）
NP20P06SLG-E1-AY	1.4600	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP20P06	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	1.2W（TA），38W（tc）
IRF9Z34	-	RFQ	5320	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z34	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
2N7002KQ-7-52	0.0458	RFQ	5108	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-2N7002KQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	380mA（ta）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA	0.3 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	370MW（TA）
RF1S9630	1.1500	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPI80N06S407AKSA2	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N06	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	79W（TC）
G12P06K	0.4900	RFQ	1	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500		P通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	75mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1108 PF @ 30 V	-	27W（TC）
BS170RLRA	-	RFQ	3066	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BS170	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
SI4890BDY-T1-GE3	-	RFQ	5032	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4890	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±25V	1535 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
STS8DN3LLH5	1.5700	RFQ	5995	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS8DN3	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	10a		19mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		724pf @ 25V	逻辑级别门
UPA2701GR-E1-AT	1.7200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）		7.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V		1200 pf @ 10 V	-
STI18N65M5	4.1100	RFQ	348	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18N	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SIR466DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir466	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
AO6401	-	RFQ	3676	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AO640	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO6401TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	2.5V，10V	47MOHM @ 5A，10V	1.3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±12V	780 pf @ 15 V	-	2W（TA）
FQD3N50CTM	-	RFQ	7612	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IPA50R190CE	-	RFQ	4418	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
RDX100N60FU6	-	RFQ	2763	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDX100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FDD3682-F085	-	RFQ	4876	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD368	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5.5a（ta），32a（tc）	6V，10V	36mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	95W（TC）
FDFS2P753AZ	0.5300	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	3A（3A）	4.5V，10V	115MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±25V	455 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	3.1W（TA）
IRFP141	1.2500	RFQ	288	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	80 V	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SPI10N10L	-	RFQ	3296	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AUIRF3808	-	RFQ	8699	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	75 v	106a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FQP34N20	-	RFQ	5150	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	31a（TC）	10V	75MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH70N15	-	RFQ	9024	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH70	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	150 v	70A（TC）	10V	28mohm @ 35a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
RQK0204TGDQAWS＃h6	0.2600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
UJ4SC075018B7S	19.8000	RFQ	798	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	UJ4SC075	sicfet（cascode sicjfet）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	750 v	72A（TC）	12V	23mohm @ 50a，12v	6V @ 10mA	37.8 NC @ 15 V	±20V	1414 PF @ 400 V	-	259W（TC）
FDS6682	-	RFQ	4662	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	1W（ta）
FQB8P10TM	-	RFQ	2075	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB8P10	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	8A（TC）	10V	530MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），65W（tc）
SQM50028EM_GE3	3.0300	RFQ	742	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM50028	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	11900 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SIRA14BDP-T1-GE3	0.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	21a（21a），64A（tc）	4.5V，10V	5.38mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	+20V，-16V	917 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），36W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²