场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
HTNET-D	-	询价	3097	霍尼韦尔航空航天公司	高温金属O化物半导体™	大部分	的积极		-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	8-CDIP裸露焊盘	HT网络		MOSFET（金属O化物）		8-CDIP-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		342-1078	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	-	5V	400mOhm@100mA，5V	2.4V@100μA	4.3nC@5V	10V	290pF@28V	-	50W（焦）
FS05MR12A6MA1BBPSA1	1.0000	询价	7004	英飞凌科技	混合包装™	托盘	的积极		-	安装结构	模块	FS05MR12		碳化硅（SiC）	-	AG-HYBRIDD-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6							1200V（1.2kV）	200A		-	-	-		-	-
SCT4013DEC11	37.7600	询价	14	罗姆半导体	-	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247N	下载		1（无限制）	REACH 不出行	846-SCT4013DEC11	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					750伏	105A（Tj）	18V	16.9毫欧@58A，18V	4.8V@30.8mA	170nC@18V	+21V，-4V	500V时为4580pF	-	312W
PSMN8R040PS127	-	询价	9657	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					40V	77A（塔）		7.6毫欧@25A，10V	4V@1mA	21nC@10V	±20V	12V时为1262pF	-	86W（塔）
DMP3164LVT-13	0.1185	询价	9075	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	DMP3164		MOSFET（金属O化物）		TSOT-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	DMP3164LVT-13DI	EAR99	8541.29.0095	10,000	2 个 P 沟道（双）							2.8A（塔）		95毫欧@2.7A，10V	2.1V@250μA				-
2SK2858-T1-A	0.0200	询价	38	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323			MOSFET（金属O化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	100mA（塔）		5欧姆@10mA，10V	1.8V@10μA			9pF@3V	-
AOD472A	-	询价	2289	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD47		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					25V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	2200pF@12.5V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
SI2343DS-T1	-	询价	6118	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2343		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					30V	3.1A（塔）	4.5V、10V	53毫欧@4A，10V	3V@250μA	21nC@10V	±20V	540pF@15V	-	750毫W（塔）
64-2105PBF	-	询价	7309	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF1404		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	75A（温度）	10V	3.7毫欧@75A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±20V	4340pF@25V	-	200W（温度）
BLF8G22LS-200	-	询价	7631	Ampleon美国公司	*	卷带式 (TR)	过时的										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		100
ISC16DP15LMATMA1	2.7900	询价	3539	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-ISC16DP15LMATMA1CT	EAR99	8541.29.0095	5,000
MRF6P3300HR3	-	询价	9445	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-860C3	MRF6	857MHz～863MHz	LDMOS		NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.6安	270W	20.2分贝											-	32V
AUIRF4104STRL	1.4000	询价	第456章	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	75A（温度）		5.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	100nC@10V		3000pF@25V	-	140W（温度）
PMV20X近	0.4500	询价	1	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMV20		MOSFET（金属O化物）		TO-236AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	6.3A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@6.3A，4.5V	1.25V@250μA	15nC@4.5V	±12V	930pF@10V	-	460mW（Ta），6.94W（Tc）
NVMFD6H846NLT1G	2.0600	询价	1828	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	NVVMFD6		MOSFET（金属O化物）	3.2W（Ta）、34W（Tc）	8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-双)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMFD6H846NLT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人	2 个 N 沟道（双）						80V	9.4A（Ta）、31A（Tc）		15毫欧@5A，10V	2V@21μA	17nC@10V		900pF@40V	-
BUK9514-55A,127	0.4000	询价	7	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	73A（温度）	4.5V、10V	13毫欧@25A，10V	2V@1mA		±10V	3307pF@25V	-	149W（温度）
STF42N65M5	5.8557	询价	第1456章	意法半导体	MDmesh™V	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	STF42		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-8895-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	33A（温度）	10V	79毫欧@16.5A，10V	5V@250μA	100nC@10V	±25V	4650pF@100V	-	40W（温度）
PJQ4402P-AU_R2_000A1	0.6900	询价	4	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4402		MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4402P-AU_R2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	16A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	23nC@4.5V	±20V	2436pF@25V	-	2W（Ta）、39W（Tc）
DN2530N3-G	0.7900	询价	6136	微芯片	-	包	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	DN2530		MOSFET（金属O化物）		TO-92 (TO-226)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道					300伏	175毫安（Tj）	0V	12欧姆@150mA，0V	-		±20V	300pF@25V	成熟模式	740毫W（塔）
RJK0395DPA-WS#J53	0.5500	询价	2	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
FDS6673BZ-G	0.6600	询价	126	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	2832-FDS6673BZ-GTR	EAR99	8541.29.0095	第758章		P沟道					30V	14.5A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@14.5A，10V	3V@250μA	65nC@5V	±25V	4700pF@15V	-	1W（塔）
MMRF1013HR5	-	询价	6834	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-979A	MMRF1013	2.9GHz	LDMOS		NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935322103178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的		-	100毫安	320W	13.3分贝											-	30V
R6076KNZ4C13	20.3900	询价	9926	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	R6076		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6076KNZ4C13	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					600伏	76A（温度）	10V	42毫欧@44.4A，10V	5V@1mA	165nC@10V	±20V	7400pF@25V	-	735W（温度）
SH8K41GZETB	0.9000	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SH8K41		MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						80V	3.4A		130毫欧@3.4A，10V	2.5V@1mA	6.6nC@5V		600pF@10V	逻辑电平门
STU10N60M2	1.6000	询价	62	意法半导体	MDmesh™ II Plus	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	STU10N		MOSFET（金属O化物）		TO-251（IPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					600伏	7.5A（温度）	10V	600mOhm@3A，10V	4V@250μA	13.5nC@10V	±25V	400 pF @ 100 V	-	85W（温度）
SIHK185N60E-T1-GE3	4.4200	询价	2	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN	SIHK185		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					600伏	19A（TC）	10V	185毫欧@9.5A，10V	5V@250μA	33nC@10V	±30V	1085pF@100V	-	114W（温度）
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1	355.4950	询价	5692	英飞凌科技	-	托盘	的积极					FS13MR12					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	18
SIHFL110TR-GE3	0.6300	询价	2	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SIHFL110		MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					100伏	1.5A（温度）	10V	540mOhm@900mA，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
RJK03S3DPA-00#J5A	0.8200	询价	9	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极					RJK03S3		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000															-
YJS4438A	0.1510	询价	400	扬杰科技	-	卷带式 (TR)	的积极										-	符合RoHS标准		REACH 不出行	4617-YJS4438ATR	EAR99		4,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²