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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FDN304P	-	RFQ	6522	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载						0000.00.0000	1	P通道	20 v	2.4A（TA）	1.8V，4.5V	52MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±8V	1312 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
IPF04N03LA	-	RFQ	9074	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPF04N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 50a，10v	2V @ 30µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IPI100N04S303MATMA1	-	RFQ	8664	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IPI100			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000381620		0000.00.0000	1,000
CPH3327-TL-E	1.0000	RFQ	3546	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96		MOSFET （金属 o化物）	3-CPH	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	100 v	600mA（TA）		1.45OHM @ 300mA，10V	-	7 NC @ 10 V		245 pf @ 20 V	-	1W（ta）
FDH038AN08A1	6.3800	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	51	n通道	75 v	22a（22A），80a tc（TC）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8665 PF @ 25 V	-	450W（TC）
IPB34CN10NGATMA1	-	RFQ	7110	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB34C	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	27a（TC）	10V	34mohm @ 27a，10v	4V @ 29µA	24 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 50 V	-	58W（TC）
2SK2512-az	2.4800	RFQ	927	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SUD50P06-15L-T4-E3	1.4803	RFQ	9068	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SI4420DY	-	RFQ	1141	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI442	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Si4420dyfs	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	53 NC @ 5 V	±20V	2180 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
TN0604N3-G-P013	1.1400	RFQ	5103	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0604	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	40 V	700mA（TJ）	5V，10V	750MOHM @ 1.5A，10V	1.6V @ 1mA		±20V	190 pf @ 20 V	-	740MW（TA）
2SK3484（0）-Z-e1-az	-	RFQ	5247	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000			16A（TC）
NTD32N06-1G	-	RFQ	7897	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD32	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	32a（ta）	10V	26mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），93.75W（tj）
R5005CNJTL	1.1388	RFQ	1071	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	R5005	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MC3541-TP	0.0213	RFQ	5072	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SOT-723	MC3541	MOSFET （金属 o化物）	SOT-723	下载				353-MC3541-TP	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	100mA	2.5V，4V	8ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13 pf @ 5 V	-	150MW
BUK7619-100B，118	-	RFQ	6862	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	Buk76	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	64A（TC）	10V	19mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	53 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXFH12N100Q	-	RFQ	4568	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	300W（TC）
CSD16322Q5	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16322	MOSFET （金属 o化物）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
IRFP7530pbf	1.0000	RFQ	7704	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	341W（TC）
STB70NFS03LT4	-	RFQ	6147	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB70N	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1026-STB70NFS03LT4	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXTC220N075T	-	RFQ	6117	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC220	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	115A（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
AUIRFR2405	1.0500	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	30A（TC）	10V	16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRF3808	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	151	n通道	75 v	140a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V		5310 PF @ 25 V	-	330W（TC）
FDMS2504SDC	2.1900	RFQ	7	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	42A（42A），49A （TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），104W（tc）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	stl4p3	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
MTM982400BBF	-	RFQ	6590	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	SO8-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	7a（ta）	5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	1750 pf @ 10 V	-	2W（TA）
PMV120ENEAR	0.4200	RFQ	382	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV120	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	123mohm @ 2.1a，10v	2.7V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	275 pf @ 30 V	-	（513MW）（TA），6.4W（TC）
NTBL050N65S3H	10.2600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTBL050N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	650 v	49A（TC）	10V	50mohm @ 24.5A，10V	4V @ 4.8mA	98 NC @ 10 V	±30V	4880 pf @ 400 V	-	305W（TC）
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
NVD6416ANT4G	-	RFQ	2774	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD641	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	17a（TC）	10V	81mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	71W（TC）
FDB110N15A	5.4300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FDB110	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²