场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）	TO-252 (MP-3Z)	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
SSS4N60BT	0.3100	询价	1	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）	TO-220F-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	4A（Tj）	10V	2.5欧姆@2A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±30V	920pF@25V	-	33W（温度）
2SK1168-E	-	询价	9196	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK1168-E			1
SQ2318AES-T1_GE3	0.6000	询价	53	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SQ2318		MOSFET（金属O化物）	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					40V	8A（温度）	4.5V、10V	31毫欧@7.9A，10V	2.5V@250μA	13nC@10V	±20V	555pF@10V	-	3W（温度）
BLF7G24LS-100	-	询价	4190	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		安装结构	SOT-502B		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20			5微安	900毫安	100W	18分贝											-	28V
SIR510DP-T1-RE3	2.2500	询价	10	威世硅科	TrenchFET®第五代	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8			MOSFET（金属O化物）	PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					100伏	31A（Ta）、126A（Tc）	7.5V、10V	3.6毫欧@20A，10V	4V@250μA	81nC@10V	±20V	50V时为4980pF	-	6.25W（Ta）、104W（Tc）
RM100N65DF	0.6500	询价	6339	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM100N65DFTR		8541.10.0080	40,000		N沟道					65V	100A（温度）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA		+20V，-12V	9500pF@25V	-	142W（温度）
AOTF11C60PL	-	询价	3850	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）	TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1715-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	50nC@10V	±30V	100V时为2333pF	-	37W（温度）
IPB05N03LAT	-	询价	9251	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB05N		MOSFET（金属O化物）	PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					25V	80A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@55A，10V	2V@50μA	25nC@5V	±20V	15V时为3110pF	-	94W（温度）
DU2880T	116.5500	询价	6535	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V		安装结构	6L-FLG	DU2880	2MHz～175MHz	-	-	-				1465-DU2880T			1	N沟道		4毫安	400毫安	80W	13分贝											-	28V
IXCP01N90E	-	询价	6347	IXYS	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IXCP01		MOSFET（金属O化物）	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					900伏	250mA（温度）	10V	80欧姆@50毫安，10伏	5V@25μA	10V时为7.5nC	±20V	133pF@25V	-	40W（温度）
FDMA008P20LZ	-	询价	5682	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerWDFN	频分多址008		MOSFET（金属O化物）	6-PQFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	12A（塔）	1.5V、4.5V	13毫欧@2.5A，4.5V	1.4V@250μA	39nC@4.5V	±8V	4383pF@10V	-	2.4W（塔）
RSD150N06TL	0.5924	询价	5921	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RSD150		MOSFET（金属O化物）	CPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	15A（塔）	4V、10V	40毫欧@15A，10V	3V@1mA	18nC@10V	±20V	930pF@10V	-	20W（温度）
IRF9532	0.6700	询价	19	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道					100伏	10A（温度）	10V	400毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
IPN60R2K1CE	-	询价	3514	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-3			MOSFET（金属O化物）	PG-SOT223-3-1	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					600伏	3.7A（温度）	10V	2.1欧姆@800mA，10V	3.5V@60μA	6.7nC@10V	±20V	140 pF @ 100 V	-	5W（温度）
FDMS86550ET60	7.5300	询价	8	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS86550		MOSFET（金属O化物）	8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMS86550ET60TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	32A（Ta）、245A（Tc）	8V、10V	1.65毫欧@32A，10V	4.5V@250μA	154nC@10V	±20V	8235pF@30V	-	3.3W（Ta）、187W（Tc）
NVGS3443T1G	-	询价	3945	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	NVGS3443		MOSFET（金属O化物）	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	3.1A（塔）		65毫欧@4.4A，4.5V	1.5V@250μA	15nC@4.5V		565pF@5V	-	-
APT20F50S	-	询价	1410	美高森美公司	功率MOS 8™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-268-3、D³Pak（2引脚+片）、TO-268AA	APT20F50		MOSFET（金属O化物）	D3包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					500V	20A（温度）	10V	300mOhm@10A，10V	5V@500μA	75nC@10V	±30V	2950pF@25V	-	290W（温度）
FCPF600N60ZL1	-	询价	5687	onsemi	SuperFET® III	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF600		MOSFET（金属O化物）	TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	7.4A（温度）	10V	600毫欧@3.7A，10V	3.5V@250μA	26nC@10V	±20V	1120pF@25V	-	28W（温度）
FDS4675-F085	-	询价	9539	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS46		MOSFET（金属O化物）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					40V	11A（塔）	4.5V、10V	13毫欧@11A，10V	3V@250μA	56nC@4.5V	±20V	4350pF@20V	-	2.4W（塔）
RE1C002UNTCL	0.2300	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	RE1C002		MOSFET（金属O化物）	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					20V	200mA（塔）	1.2V、2.5V	1.2欧姆@100mA，2.5V	1V@1mA		±8V	25pF@10V	-	150毫W（塔）
PMK50XP,518	-	询价	8324	安世半导体美国公司	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）	8-SO	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					20V	7.9A（温度）	4.5V	50毫欧@2.8A，4.5V	950mV@250μA	10nC@4.5V	±12V	1020pF@20V	-	5W（温度）
BUK7225-55A,118	0.2700	询价	9	恩智浦半导体	-	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）	DPAK	下载	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-BUK7225-55A,118	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					55V	43A（塔）	10V	25毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	1310pF@25V	-	94W（塔）
FDB8878	-	询价	9640	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）	D2PAK (TO-263)	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					30V	48A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	23nC@10V	±20V	1235pF@15V	-	47.3W（温度）
IPU075N03L G	-	询价	2445	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU075N		MOSFET（金属O化物）	PG-TO251-3-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					30V	50A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	18nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	47W（温度）
BLF6G15LS-250PBRN，	-	询价	7799	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	SOT-1110B	BLF6G15	1.47GHz～1.51GHz	-	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064302112	EAR99	8541.29.0075	20	-		64A	1.41A	60W	18.5分贝											-	28V
NVMFS025P04M8LT1G	0.9500	询价	8451	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		P沟道					40V	9.4A（Ta）、34.6A（Tc）	4.5V、10V	23毫欧@15A，10V	2.4V@255μA	10V时为16.3nC	±20V	1058pF@20V	-	3.5W（Ta）、44.1W（Tc）
RM5N40S2	0.0690	询价	2036	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM5N40S2TR		8541.10.0080	30,000		N沟道					40V	5A（塔）	4.5V、10V	32mOhm@4A，10V	2.5V@250μA		±20V	593pF@15V	-	1.25W（塔）
HUFA76413D3S	0.2700	询价	8	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）	TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道					60V	20A（温度）	4.5V、10V	49毫欧@20A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±16V	645pF@25V	-	60W（温度）
SPD04P10PGBTMA1	0.9800	询价	22	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD04P10		MOSFET（金属O化物）	PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					100伏	4A（温度）	10V	1欧姆@2.8A，10V	4V@380μA	12nC@10V	±20V	319pF@25V	-	38W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²