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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
Stu2N95K5	1.4700	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu2n95	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	45W（TC）
APT66M60L	19.2000	RFQ	3273	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT66M60	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	70A（TC）	10V	190mohm @ 33a，10v	5V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V	±30V	13190 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
SI3459BDV-T1-E3	0.8300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3459	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.9a（TC）	4.5V，10V	216mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	3.3W（TC）
BSM450D12P4G102	1.0000	RFQ	6512	Rohm半导体	-	盒子	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM450	（SIC）	1.45kW（TC）	模块	下载		（1 （无限）		846-BSM450D12P4G102			4	2 n通道		1200V	447a（TC）		-	4.8V @ 218.4mA	-		44000pf @ 10V	标准
IRFS3006Trl7pp	5.8200	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS3006	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	240a（TC）	10V	2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IQE018N06NM6SCATMA1	1.1992	RFQ	5918	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE018N06NM6SCATMA1TR			6,000
SIA469DJ-T1-GE3	0.4700	RFQ	198	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA469	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	26.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1020 pf @ 15 V	-	15.6W（TC）
SPD01N60C3BTMA1	-	RFQ	5481	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD01N	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	800mA（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	11W（TC）
NP160N04TUG-E1-AY	-	RFQ	5273	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	NP160N04	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	160a（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），220W（TC）
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IPI80N04S2-04	1.0700	RFQ	296	Infineon技术	*	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	296		n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
auirfs8407trr	1.1800	RFQ	395	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	40 V	195a（TC）		1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI3134KWA-TP	0.3900	RFQ	855	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI3134	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	750mA	1.8V，4.5V	300mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.8 NC @ 4.5 V	±12V	33 pf @ 16 V	-	200mw（ta）
MIC94051BM4TR	0.2100	RFQ	2	微芯片技术	*	大部分	积极的				MIC94051	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
IXTP160N04T2	-	RFQ	5458	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP160	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	160a（TC）	10V	5mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	250W（TC）
NP90N06VLG-E1-AY	-	RFQ	2511	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	90A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
IPI05CN10N g	-	RFQ	7900	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI05C	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	100A（TC）	10V	5.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	300W（TC）
SI3905DV-T1-E3	-	RFQ	2157	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3905	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	-		125mohm @ 2.5a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
auirfs8408-7trl	5.2200	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	AUIRF8408	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRFS644BYDTU_AS001	-	RFQ	7435	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	43W（TC）
MCB118N085Y-TP	2.4200	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MCB118	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	85 v	118a（TC）	6V，10V	6mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	156W
IPB65R110CFDATMA2	6.8400	RFQ	2447	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R110	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
MCQ4459-TP	-	RFQ	5588	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCQ4459	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	30 V	6.5A（TA）	10V	72MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
IRFBC20LPBF	-	RFQ	9410	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC20LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRF7862TRPBF	1.2300	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7862	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 100µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	4090 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FW216-NMM-TL-E	-	RFQ	9474	Sanyo	-	大部分	过时的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FW216-NMM-TL-E-600057			1
NVMFS5C450NWFT1G	-	RFQ	3311	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	102A（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 65µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），68W（tc）
FDS2734	2.1000	RFQ	5402	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS27	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	3A（3A）	6V，10V	117MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 100 V	-	2.5W（TA）
HUF7663333P3-F085	0.9300	RFQ	2919	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²