场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
BUK4D122-20PX	-	询价	9860	安世半导体美国公司	-	大部分	最后一次购买					山毛凹4D					-				1727-BUK4D122-20PX			1
BUK7K6R2-40E/1X	-	询价	6700	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q101	大部分	最后一次购买		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	山毛凹7K6			68W（塔）	LFPAK56D	-				1727-BUK7K6R2-40E/1X	EAR99	8541.29.0095	1							40V	40A（塔）		5.8毫欧@20A，10V	4V@1mA	32.3nC@10V		2210pF@25V	标准
IMW65R039M1HXKSA1	17.4100	询价	44	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IMW65R		SiCFET（碳化硅）		PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	46A（温度）	18V	50毫欧@25A，18V	5.7V@7.5mA	41nC@18V	+20V，-2V	1393 pF @ 400 V	-	176W（温度）
IPW60R018CFD7XKSA1	25.0400	询价	210	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R018		MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					600伏	101A（TC）	10V	18毫欧@58.2A，10V	4.5V@2.91mA	251nC@10V	±20V	9901pF@400V	-	416W（温度）
2SK2111-T2-AZ	0.4300	询价	96	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
IRFAF50	7.0500	询价	第644章	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA (TO-3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					900伏	6.2A（温度）	10V	1.85欧姆@6.2A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	150W（温度）
AOWF8N50	0.5670	询价	8775	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF8		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					500V	8A（温度）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	27.8W（温度）
IPB180N06S4H1ATMA2	4.3600	询价	6	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB180		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					60V	180A（温度）	10V	1.7毫欧@100A，10V	4V@200μA	270nC@10V	±20V	21900pF@25V	-	250W（温度）
C3M0032120K	32.9000	询价	9340	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0032120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					1200伏	63A（温度）	15V	43毫欧@40A，15V	3.6V@11.5mA	118nC@15V	+15V，-4V	1000V时为3357pF	-	283W（温度）
IRF123	0.6300	询价	第738章	国际校正器公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					60V	7A（温度）	10V	400mOhm@4A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	600pF@25V	-	40W（温度）
PJF60R390E_T0_00001	0.9041	询价	5672	强茂国际有限公司	-	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF60R390E		MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJF60R390E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	1.5A（Ta）、11A（Tc）	10V	390毫欧@3.8A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	531pF@25V	-	1.04W（Ta）、53W（Tc）
STI6N80K5	-	询价	2935	意法半导体	SuperMESH5™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	STI6		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					800V	4.5A（温度）	10V	1.6欧姆@2A，10V	5V@100μA	10V时为7.5nC	30V	255pF@100V	-	85W（温度）
IXFX30N50Q	-	询价	2778	IXYS	HiPerFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3 变体	IXFX30		MOSFET（金属O化物）		PLUS247™-3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					500V	30A（温度）	10V	160毫欧@15A，10V	4.5V@4mA	150nC@10V	±20V	3950pF@25V	-	416W（温度）
CLF1G0035-50H	295.1800	询价	2	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	150伏			SOT467C		3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管		SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2			-	150毫安	50W	11.5分贝											-	50V
AOTF14N50L	-	询价	4661	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫14		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF14N50L			1		N沟道					500V	14A（天）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W
DI050N06D1-AQ	-	询价	9134	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252AA（DPAK）	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	2796-DI050N06D1-AQTR		8541.29.0000	1		N沟道					65V	50A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	14nC@10V	±20V	825pF@30V	-	42W（温度）
RJK0351DPA-03#J0B	0.8500	询价	7	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
SQS423ENW-T1_GE3	-	询价	6729	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8W	SQS423		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8W	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQS423ENW-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	16A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	26nC@4.5V	±20V	1975pF@15V	-	62.5W（温度）
IPA60R650CEE8210XKSA1	-	询价	8037	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220全包	-			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	9.9A（温度）	10V	650毫欧@2.4A，10V	3.5V@200μA	10V时为20.5nC	±20V	100V时为440pF	-	28W（温度）
IRFR214BTFP001	0.1200	询价	8950	仙童	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					250伏	2.2A（温度）	10V	2欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	10V时为10.5nC	±30V	275pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
A2I25H060GNR1	-	询价	9763	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	TO-270-17变体，鸥翼型	A2I25	2.59GHz	LDMOS		TO-270WBG-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316196528	EAR99	8542.33.0001	500	双重的		-	26毫安	10.5W	26.1分贝											-	28V
STB8N65M5	2.8300	询价	55	意法半导体	MDmesh™V	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	STB8N65		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-10875-2	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±25V	690 pF @ 100 V	-	70W（温度）
IRFP243	2.4000	询价	181	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					150伏	18A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	150W（温度）
DMP31D7LDW-7	0.0706	询价	6056	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	DMP31		MOSFET（金属O化物）		SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	DMP31D7LDW-7DI	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）							550mA（塔）		900毫欧@420mA，10V	2.6V@250μA				-
RM48N100D3	0.2980	询价	7315	瑞创美国	-	卷带式 (TR)	的积极		-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000		N沟道					100伏	48A（温度）	4.5V、10V	13.6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA		+20V，-12V	50V时为3280pF	-	61W（温度）
PSMN8R5-108ESQ127	-	询价	8802	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	330
JANTXV2N6800	-	询价	8784	美高森美公司	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					400V	3A（温度）	10V	1.1欧姆@3A，10V	4V@250μA	10V时为34.75nC	±20V		-	800mW（Ta）、25W（Tc）
FDH50N50	10.3700	询价	第761章	仙童	UniFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					500V	48A（温度）	10V	105毫欧@24A，10V	5V@250μA	137nC@10V	±30V	6460pF@25V	-	625W（温度）
AOTL66610	3.8800	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	AOTL666		MOSFET（金属O化物）		托拉	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					60V	61A（Ta）、350A（Tc）	6V、10V	1.2毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	145nC@10V	±20V	7625pF@30V	-	8.3W（Ta）、272W（Tc）
FQB7N60TM-WS	0.9800	询价	800	仙童	QFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	-		供应商未定义	供应商未定义	2156-FQB7N60TM-WS-600039			1		N沟道					600伏	7.4A（温度）	10V	1欧姆@3.7A，10V	5V@250μA	38nC@10V	±30V	1430pF@25V	-	3.13W（Ta）、142W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²