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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
G170P03S2	0.6700	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	G170	-	1.4W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）		30V	9A（TC）		25mohm @ 5A，4.5V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		1786pf @ 4.5V	-
DMTH4004SPSQ-13	1.2400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH4004	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（31a）（TA），100A （TC）	10V	2.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	68.6 NC @ 10 V	±20V	4305 PF @ 25 V	-	3.6W（TA），167W（tc）
SIHP22N60E-GE3	4.0300	RFQ	7870	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
AOC4810	-	RFQ	6722	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-xflga裸露的垫子	AOC481	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-alphadfn（3.2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	-	20NC @ 10V		1130pf @ 15V	逻辑级别门
MCT04N10B-TP	0.4600	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MCT04	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	4a	4.5V，10V	105MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1143 PF @ 50 V	-	1.25W
FDMS8660S	-	RFQ	7204	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（25A），40a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4345 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IRF7526D1TR	-	RFQ	1153	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IXFP5N100P	5.5900	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp5n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 500mA，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
G66	0.6800	RFQ	33	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		3,000		P通道	16 V	5.8A（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
IRL2505STRRPBF	-	RFQ	7924	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
SC8673040L	2.3600	RFQ	2	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	SC86730	MOSFET （金属 o化物）	1.7W，2.5W	HSO8-F3-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	16a，46a		10mohm @ 8a，10v	3V @ 5.85mA	6.3nc @ 4.5V		1092pf @ 10V	逻辑级别门
PHP18NQ11T，127	0.6000	RFQ	663	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PHP18				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
IXFN24N90Q	-	RFQ	6887	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN24	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	900 v	24A（TC）		-	-				-	500W（TC）
DMC4050SSD-13	0.6500	RFQ	45	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC4050	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	5.3a		45mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	37.56NC @ 10V		1790.8pf @ 20V	逻辑级别门
BUK9K30-80EX	1.5900	RFQ	8297	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k30	MOSFET （金属 o化物）	53W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		80V	17A（TA）		26mohm @ 5a，10v	2.1V @ 1mA	17.5nc @ 5V		2297pf @ 25V	逻辑级别门
IPW95R130PFD7XKSA1	7.3400	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C〜150°C	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	950 v	36.5a	10V	-	-	141 NC @ 10 V	±20V		-	227W
IPA60R520C6XKSA1	-	RFQ	2005	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
BSS84AKS/ZLX	-	RFQ	3609	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS84	MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934070249115	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		50V	160mA（TA）		7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35nc @ 5V		36pf @ 25V	逻辑级别门
AON2406	0.6300	RFQ	62	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	AON24	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	8a（8a）	1.5V，4.5V	12.5MOHM @ 8A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1140 pf @ 10 V	-	2.8W（ta）
TC7920K6-G	1.8800	RFQ	4836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	TC7920	MOSFET （金属 o化物）	-	12-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300	2n和2p通道		200V	-		10ohm @ 1A，10V	2.4V @ 1mA	-		52pf @ 25V	-
PCP1302-TD-H	-	RFQ	7529	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PCP1302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-89/PCP-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	3A（3A）	4V，10V	266MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	6.4 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 20 V	-	3.5W（TC）
ISP20EP10LMXTSA1	0.7900	RFQ	7724	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP20E	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	650mA（ta），990mA（tc）	4.5V，10V	2ohm @ 600mA，10v	2V @ 78µA	3.5 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 50 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
NDS8934	0.5700	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS893	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	3.8a		70MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	30nc @ 4.5V		1120pf @ 10V	逻辑级别门
SIHG085N60EF-GE3	6.5600	RFQ	2537	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG085	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG085N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	34A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
BUK764R0-75C，118-Nex	-	RFQ	2302	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
AOUS66920	0.6215	RFQ	1132	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-PowersMD，平坦的铅	Aous669	MOSFET （金属 o化物）		Ultraso-8™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOUS66920TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	19.5a（ta），69a（tc）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	6.2W（ta），86w（tc）
STD105N10F7AG	2.6000	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD105	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4369 PF @ 50 V	-	120W（TC）
YJB180G10B	1.5610	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJB180G10BTR	Ear99		1,000
RQA0011DNS＃g0	-	RFQ	7516	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	3-DFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		2-hwson（5x4）	-				2156-RQA0011DNS＃g0			1		n通道	16 V	3.8A（TA）	-	-	0.75V @ 1mA		±5V	102 PF @ 0 V	-	15W（TC）
AO4449_DELTA	-	RFQ	3843	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO4449_DELTATR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7a（ta）	4.5V，10V	34mohm @ 7a，10v	2.4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²