场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
RFIS40N10LE	1.3700	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极					RF信息系统40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1															-
PJU7NA60_T0_00001	-	询价	5275	强茂国际有限公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU7NA60		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	-				3757-PJU7NA60_T0_00001	过时的		1		N沟道					600伏	7A（塔）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	15.2nC@10V	±30V	723pF@25V	-	140W（温度）
2SK3055(1)-AZ	2.4200	询价	107	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BUK98150-55A/CU,135	-	询价	4243	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
DMT67M8LSS-13	0.3274	询价	5407	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMT67M8LSS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	12A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@16.5A，10V	3V@250μA	10V时为37.5nC	±20V	2130pF@30V	-	1.4W（塔）
AOD5T40P_101	-	询价	5063	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					400V	3.9A（温度）	10V	1.45欧姆@1A，10V	5V@250μA	9nC@10V	±30V	100V时为273pF	-	52W（温度）
FDP6035AL	1.3600	询价	106	仙童	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	48A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@24A，10V	3V@250μA	18nC@5V	±20V	1250pF@15V	-	52W（温度）
SQJQ184E-T1_GE3	3.5500	询价	3708	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 8 x 8			MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 8 x 8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	430A（温度）	10V	1.4毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	272nC@10V	±20V	16010pF@25V	-	600W（温度）
FQPF13N50T	-	询价	1566	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF1		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	12.5A（温度）	10V	430毫欧@6.25A，10V	5V@250μA	60nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	56W（温度）
PSMN4R3-100ES,127	-	询价	3571	安世半导体美国公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	120A（温度）	4.5V、10V	4.3毫欧@25A，10V	4V@1mA	170nC@10V	±20V	9900pF@50V	-	338W（温度）
2SK3487-TD-E	0.2100	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
ST9060C	76.8980	询价	1686	意法半导体	-	盒子	的积极	94V		安装结构	M243	ST9060	1.5GHz	LDMOS		M243	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			12A		80W	17.3分贝											-
FDZ375P	2.9200	询价	第532章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、WLCSP	FDZ37		MOSFET（金属O化物）		4-WLCSP (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道					20V	3.7A（塔）	1.5V、4.5V	78毫欧@2A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V	±8V	10V时为865pF	-	1.7W（塔）
DMP2900UFBQ-7B	0.0476	询价	8416	分散公司	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-UFDFN	DMP2900		MOSFET（金属O化物）		X1-DFN1006-3	-				31-DMP2900UFBQ-7B	EAR99	8541.29.0095	10,000		P沟道					20V	990mA（塔）	1.8V、4.5V	750mOhm@430mA，4.5V	1V@250μA	0.7nC@4.5V	±6V	16V时为49pF	-	550毫W（塔）
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™PFD7	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAN60		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	25A（温度）	10V	125毫欧@7.8A，10V	4.5V@390μA	36nC@10V	±20V	1503 pF @ 400 V	-	32W（温度）
FQD6N60CTM-WS	-	询价	7740	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD6N60		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					600伏	4A（温度）	10V	2欧姆@2A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±30V	810pF@25V	-	80W（温度）
DMN5L06VK-13A	-	询价	7186	分散公司	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	DMN5L06		MOSFET（金属O化物）	250毫W	SOT-563	下载				31-DMN5L06VK-13A	EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）						50V	280mA（塔）		2欧姆@50mA，5V	1.2V@250μA	-		50pF@25V	-
AO3457	-	询价	9852	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3457TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	4.3A（塔）	4.5V、10V	48毫欧@4.3A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	520pF@15V	-	1.4W（塔）
SCH2806-TL-E	0.0600	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
ON5451,518	-	询价	2378	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极				-		-	-		-	-					EAR99	8541.29.0095	1	-		-		-	-											-
C3M0075120D-A	17.9000	询价	9415	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0075120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载		1（无限制）		1697-C3M0075120D-A	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					1200伏	32A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	3.6V@5mA	54nC@15V	+15V，-4V	1390 pF @ 1000 V	-	136W（温度）
PJU6NA40_T0_00001	-	询价	1840年	强茂国际有限公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU6NA40		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	-				3757-PJU6NA40_T0_00001	过时的		1		N沟道					400V	6A（塔）	10V	950毫欧@3A，10V	4V@250μA	11.4nC@10V	±30V	553pF@25V	-	77W（温度）
SK8603190L	-	询价	6476	松下电子元件	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入			MOSFET（金属O化物）		HSO8-F4-B	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	12A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	10毫欧@8A，10V	3V@1.01mA	6.3nC@4.5V	±20V	10V时为1092pF	-	2.7W（Ta）、19W（Tc）
MRF1513T1	-	询价	8729	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	40V		表面贴装	PLD-1.5		520兆赫	场效应晶体管		PLD-1.5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000	N沟道		1微安	50毫安	3W	11分贝											-	12.5V
2SK3617-E	0.5500	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IPA60R180C7	1.0000	询价	9557	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	9A（温度）	10V	180毫欧@5.3A，10V	4V@260μA	24nC@10V	±20V	1080 pF @ 400 V	-	29W（温度）
DMT35M4LFVW-13	0.1983	询价	2115	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装，可湿侧面	8-PowerVDFN	DMT35M4LF		MOSFET（金属O化物）		PowerDI3333-8(SWP)UX型	下载			REACH 不出行	31-DMT35M4LFVW-13TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	16A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	16.1nC@10V	±20V	982pF@15V	-	1.5W（塔）
IRFR420U	0.5000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极					红外FR420		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1															-
HUF75842P3	-	询价	1670	仙童	超场效应晶体管™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					150伏	43A（温度）	10V	42毫欧@43A，10V	4V@250μA	175nC@20V	±20V	2730pF@25V	-	230W（温度）
IRFD220	0.5200	询价	913	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD220		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					200V	800mA（塔）	10V	800毫欧@480mA，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²