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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SI3430DV-T1-BE3	1.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3430		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	1.8A（ta）	6V，10V	170MOHM @ 2.4a，10V	4.2V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon技术	*	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	897		n通道					30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
BLC10G18XS-602AVTZ	93.2600	RFQ	8	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	65 v		表面安装	SOT-1258-4	BLC10	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		SOT1258-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		2.8µA	800 MA	600W	16dB											-	30 V
STW50N65DM6	9.2200	RFQ	8855	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW50		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STW50N65DM6	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	33A（TC）	10V	91MOHM @ 16.5A，10V	4.75V @ 250µA	52.5 NC @ 10 V	±25V	52500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SCTWA35N65G2V	18.6800	RFQ	5585	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA35		sicfet （碳化硅）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA35N65G2V	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	45A（TC）	18V，20V	72MOHM @ 20a，20v	3.2V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+20V，-5V	73000 PF @ 400 V	-	208W（TC）
MSC750SMA170B4	5.6100	RFQ	137	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC750SMA170B4	Ear99	8541.29.0095	90		n通道					1700 v	7A（TC）	20V	940MOHM @ 2.5A，20V	3.25V @ 100µA（100µA））	11 NC @ 20 V	+23V，-10V	184 PF @ 1360 V	-	68W（TC）
BSC200P03LSG	0.4300	RFQ	13	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道					30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
RJK0351DPA-01＃j0	0.9200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
2SK3278-E	0.6400	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPI60R385CP	1.0300	RFQ	78	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
2SK680A-T2-AZ	0.4600	RFQ	28	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
HAT1142R02-EL-E	0.4100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
PSMN1RS-40ES127	-	RFQ	7331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NDS9435	0.9500	RFQ	37	Fairchild半导体	Si9xxx	大部分	积极的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						5.3a	-	-	-		-		-	2W
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SJ245L-E	2.0200	RFQ	242	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SJ208-T1-AZ	-	RFQ	3489	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
RJJ0621DPP-0P ＃T2	1.4400	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
UPA1524H-az	-	RFQ	8683	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	35
CPH6614-TL-E	0.1400	RFQ	84	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	295		n通道					30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	10.3A（TC）	10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SK3412-TL-E	0.4300	RFQ	198	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
RJK4007DPP-00 ＃T2	1.3300	RFQ	393	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MSCSM120AM027CT6AG	1.0000	RFQ	5319	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	2.97kW（TC）	SP6C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM027CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						1200V（1.2kV）	733a（TC）		3.5mohm @ 360a，20v	2.8V @ 9mA	2088NC @ 20V		27000pf @1000V	-
RF1S540	1.1100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PSMNR70-40SSHJ	6.5100	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1235	PSMNR70		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK88（SOT1235）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					40 V	425a（ta）	10V	0.7MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	202 NC @ 10 V	±20V	15719 PF @ 25 V	（（（）	375W（TA）
FCHD125N65S3R0-F155	7.0100	RFQ	2707	Onmi	SuperFet®III	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCHD125		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	4.5V @ 590µA	46 NC @ 10 V	±30V	1940 pf @ 400 V	-	181W（TC）
NTHL027N65S3HF	21.5700	RFQ	334	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL027		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	75A（TC）	10V	27.4mohm @ 35a，10v	5V @ 3mA	225 NC @ 10 V	±30V	7630 PF @ 400 V	-	595W（TC）
NTHLD040N65S3HF	17.3700	RFQ	28	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHLD040		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	159 NC @ 10 V	±30V	5945 PF @ 400 V	-	446W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²