场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
DMC67D8UFDB-7	0.1241	询价	8128	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-			DMC67		-	-		-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	31-DMC67D8UFDB-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	-						-	-		-	-	-		-	-
FDMC7678-L701	0.3029	询价	8166	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-FDMC7678-L701TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	17.5A（Ta）、19.5A（Tc）	4.5V、10V	5.3毫欧@17.5A，10V	3V@250μA	39nC@10V	±20V	15V时为2410pF	-	2.3W（Ta）、31W（Tc）
BLF278	-	询价	2638	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
PJS6415AE_S1_00001	0.4000	询价	3688	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6415		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6415AE_S1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	4.9A（塔）	1.8V、10V	60毫欧@4.9A，10V	1.2V@250μA	6.9nC@4.5V	±12V	602pF@10V	-	2W（塔）
FQB27N25TM-F085P	-	询价	5623	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB27		MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D2PAK)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	2832-FQB27N25TM-F085PTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					250伏	25.5A（温度）	10V	131mOhm@25.5A，10V	5V@250μA	49nC@10V	±30V	1330pF@25V	-	417W（Tj）
FCPF190N65FL1-F154	4.7500	询价	第971章	onsemi	FRFET®、SuperFET® II	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF190		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	20.6A（温度）		190毫欧@10A，10V	5V@2mA	78nC@10V	±20V	3055pF@100V	-	39W（温度）
PMV88ENER	0.3700	询价	11	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		TO-236AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	2.2A（塔）	4.5V、10V	117毫欧@2.2A，10V	2.7V@250μA	6nC@10V	±20V	196pF@30V	-	615mW（Ta）、7.5W（Tc）
NDP603AL	0.3200	询价	34	仙童	-	管子	过时的		-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	45		N沟道					30V	25A（温度）	4.5V、10V	22毫欧@25A，10V	3V@250μA	40nC@10V	±20V	1100pF@15V	-	50W（温度）
IRF6721STRPBF	0.4400	询价	14	国际校正器公司	DirectFET™	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SQ			MOSFET（金属O化物）		DirectFET™ 等距 SQ	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	2,183		N沟道					30V	14A（Ta）、60A（Tc）		7.3毫欧@14A，10V	2.4V@25μA	17nC@4.5V	±20V	1430pF@15V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
DMC2710UVQ-13	0.0648	询价	4077	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	DMC2710		MOSFET（金属O化物）	460毫W（塔）	SOT-563	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		31-DMC2710UVQ-13TR	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 和 P 沟道						20V	1.1A（塔）、800mA（塔）		400毫欧@600毫安，4.5伏，700毫欧@430毫安，4.5伏	1V@250μA	4.5V时为0.6nC，4.5V时为0.7nC		16V时为42pF，16V时为49pF	标准
DMN601VKQ-7	0.3700	询价	4	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	DMN601		MOSFET（金属O化物）	250毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						60V	第305章		2欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	-		50pF@25V	-
NTMFS4C054NT3G	-	询价	第1345章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	22.5A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	2.54毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	10V时为32.5nC	±20V	2300pF@15V	-	2.59W（Ta）、33W（Tc）
PJD16P04-AU_L2_000A1	0.8300	询价	2	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD16		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					40V	5A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	45毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	8.3nC@4.5V	±20V	929pF@15V	-	2W（Ta）、22W（Tc）
FS30AS-2-T13#B00	0.9700	询价	9	瑞萨电子美国公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		MP-3A	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000		N沟道					100伏	30A（温度）		100mOhm@15A，10V	4V@1mA			1250pF@10V	-	35W（温度）
CPH3437-TL-E	0.1500	询价	38	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
STW120NF10	6.1000	询价	2680	意法半导体	STripFET™ II	管子	最后一次购买		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	STW120		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-5166-5	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					100伏	110A（温度）	10V	10.5毫欧@60A，10V	4V@250μA	233nC@10V	±20V	5200pF@25V	-	312W（温度）
RSD080P05TL	0.5924	询价	3678	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RSD080		MOSFET（金属O化物）		CPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					45V	8A（塔）	4V、10V	91毫欧@8A，10V	3V@1mA	93.4nC@5V	±20V	11000pF@10V	-	15W（温度）
FQD16N15TM	0.5300	询价	1	仙童	QFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					150伏	11.8A（温度）	10V	160毫欧@5.9A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±25V	910pF@25V	-	2.5W（Ta）、55W（Tc）
MMFTN2362-AQ	-	询价	3953	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	不适用	不适用	供应商未定义	2796-MMFTN2362-AQTR	EAR99	8541.29.0000	1		N沟道					60V	3A（塔）	4.5V、10V	80毫欧@3A，10V	2.5V@250μA	10V时为8.6nC	±20V	445pF@30V	-	1.25W（塔）
HUF75329P3	-	询价	9487	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	400		N沟道					55V	42A（温度）		25毫欧@42A，10V	4V@250μA	75nC@20V	±20V	1060pF@25V	-	94W（温度）
SQS405CENW-T1_GE3	0.7500	询价	3	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8			MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					12V	16A（温度）	2.5V、4.5V	15毫欧@13.5A，4.5V	1V@250μA	81nC@8V	±8V	3050pF@6V	-	39W（温度）
MCG55P02A-TP	1.3200	询价	15	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCG55P02		MOSFET（金属O化物）		DFN3333	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	353-MCG55P02A-TPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道					20V	55A	1.8V、4.5V	8.3毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	149nC@10V	±10V	6358pF@10V	-	3.2W（Ta）、38W（Tc）
MRFE6VP5150GNR1,528	35.4100	询价	第475章	恩智浦	-	大部分	的积极	133伏		表面贴装	TO-270BB		1.8MHz～600MHz	LDMOS		TO-270 WB-4海鸥	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	双重的		5微安	100毫安	150W	26.1分贝											-	50V
IRFB4310PBF	1.0000	询价	8280	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					100伏	130A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	7670pF@50V	-	300W（温度）
SQJA46EP-T1_GE3	1.1500	询价	9232	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJA46		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					40V	60A（温度）	10V	3mOhm@10A，10V	3.5V@250μA	105nC@10V	±20V	5000pF@25V	-	68W（温度）
FQP10N20CTSTU	-	询价	9414	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FQP1		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	9.5A（温度）	10V	360毫欧@4.75A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	510pF@25V	-	72W（温度）
R5205PND3FRATL	2.2800	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	R5205		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					525伏	5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.5A，10V	4.5V@1mA	10.8nC@10V	±30V	320pF@25V	-	65W（温度）
IXTH50P10	11.7200	询价	1	IXYS	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXTH50		MOSFET（金属O化物）		TO-247（第九）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	606059	EAR99	8541.29.0095	30		P沟道					100伏	50A（温度）	10V	55毫欧@25A，10V	5V@250μA	140nC@10V	±20V	4350pF@25V	-	300W（温度）
TW048N65C,S1F	16.3200	询价	17号	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	40A（温度）	18V	65毫欧@20A，18V	5V@1.6mA	41nC@18V	+25V，-10V	1362 pF @ 400 V	-	132W（温度）
TK560A60Y,S4X	1.5300	询价	1059	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK560A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²