RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	stl4p3	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
MTM982400BBF	-	RFQ	6590	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		SO8-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	7a（ta）	5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	1750 pf @ 10 V	-	2W（TA）
PMV120ENEAR	0.4200	RFQ	382	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV120	MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	123mohm @ 2.1a，10v	2.7V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	275 pf @ 30 V	-	（513MW）（TA），6.4W（TC）
NTBL050N65S3H	10.2600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTBL050N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	49A（TC）	10V	50mohm @ 24.5A，10V	4V @ 4.8mA	98 NC @ 10 V	±30V	4880 pf @ 400 V	-	305W（TC）
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
NVD6416ANT4G	-	RFQ	2774	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD641	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	17a（TC）	10V	81mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	71W（TC）
FDB110N15A	5.4300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB110	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）
FQD4N20LTF	-	RFQ	9653	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	3.2A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.6A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
BUK9640-100A，118	1.1900	RFQ	8258	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK9640	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
STD7NM60N	2.1700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7NM60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	363 PF @ 50 V	-	45W（TC）
NTNS2K1P021ZTCG	0.6000	RFQ	13	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	NTNS2	MOSFET （金属 o化物）		3-XDFN（0.42x0.62）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	20 v	127mA（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	12800 PF @ 15 V	-	125MW（TA）
FDPF4D5N10C	6.3600	RFQ	948	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDPF4D5N10C-488	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	128a（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 310µA	68 NC @ 10 V	±20V	5065 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），37.5W（tc）
CPH5616-TL-E	0.4400	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的				CPH5616	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1											-
MCH3476-TL-H	-	RFQ	4371	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3476	MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	125mohm @ 1A，4.5V	-	1.8 NC @ 4.5 V	±12V	128 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FCP110N65F	6.8600	RFQ	3605	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP110	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	35A（TC）	10V	110MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 3.5mA	145 NC @ 10 V	±20V	4895 PF @ 100 V	-	357W（TC）
BUK7M6R0-40HX	1.2700	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M6	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	50a（ta）	10V	6mohm @ 20a，10v	3.6V @ 1mA	28 NC @ 10 V	+20V，-10V	1875 PF @ 25 V	-	70W（TA）
AUIRFS8405	1.2500	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IXTV102N25T	-	RFQ	6518	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv102	MOSFET （金属 o化物）		加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	102A（TC）		-	-				-	-
IRF7663Tr	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	20 v	8.2a（ta）		20mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	45 NC @ 5 V		2520 PF @ 10 V	-
NDS8852H	-	RFQ	5906	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS885	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	4.3a，3.4a		80MOHM @ 3.4A，10V	2.8V @ 250µA	25nc @ 10V		300pf @ 15V	逻辑级别门
SIE808DF-T1-E3	3.9800	RFQ	6782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE808	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	8800 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
apt8014jll	-	RFQ	1794年	微芯片技术	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	800 v	42A（TC）	10V	140MOHM @ 21a，10v	5V @ 5mA	285 NC @ 10 V	±30V	7238 PF @ 25 V	-	595W（TC）
ATP401-TL-H	-	RFQ	2231	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP401	MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	-	300 NC @ 10 V	±20V	17000 PF @ 20 V	-	90W（TC）
2SK1157-E	5.0300	RFQ	339	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRL3715	-	RFQ	9062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
SPA07N60C3XKSA1	2.7300	RFQ	8938	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA07N60	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
UPA1728G（0）-E1-AY	0.6700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
C2M0040120D	46.2600	RFQ	1	Wolfspeed，Inc。	Z-FET™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	C2M0040120	sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	52MOHM @ 40a，20V	2.8V @ 10mA	115 NC @ 20 V	+25V，-10V	1893 PF @ 1000 V	-	330W（TC）
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
FCP170N60	6.9700	RFQ	800	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP170	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²