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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
TSM110NB04LCV	0.6661	RFQ	6248	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM110		MOSFET （金属 o化物）	8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					40 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1329 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）
TSM260P02CX6	0.5097	RFQ	6460	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260		MOSFET （金属 o化物）	SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM260P02CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道					20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
DI280N10TL	-	RFQ	5338	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）	收费	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI280N10TLTR		8541.29.0000	1		n通道					100 v	280a（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	4.2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8150 PF @ 50 V	-	425MW（TC）
mmftn2362-aq	-	RFQ	3953	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-MMFTN2362-AQTR	Ear99	8541.29.0000	1		n通道					60 V	3A（3A）	4.5V，10V	80mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	445 pf @ 30 V	-	1.25W（TA）
DI5A7N65D1K	-	RFQ	3548	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA（DPAK）	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-DI5A7N65D1KTR	Ear99	8541.29.0000	1		n通道					650 v	5.7A（TC）	10V	430MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±30V	722 PF @ 325 V	-	36W（TC）
PJQ5546V-AU_R2_002A1	1.0400	RFQ	8220	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5546		MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	17.7a（ta），79A（tc）	7V，10V	5.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 50µA	23 NC @ 10 V	±20V	1283 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），65W（tc）
AOWF10N60_GV_001＃m	-	RFQ	7231	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	上次购买					AOWF10				-			到达不受影响	785-AOWF10N60_GV_001 ＃M			1
MXB12R600DPHFC	-	RFQ	5426	ixys	-	管子	积极的		-	通过洞	isoplusi5-pak™	MXB12		MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件			238-MXB12R600DPHFC			1		n通道					650 v	13A（TC）	-	-	-		-		-	-
CMPA1D1E030D	504.4300	RFQ	7215	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	积极的	84 v		表面安装	死		13.75GHz〜14.5GHz	hemt	死	-				1697-CMPA1D1E030D			1	-		-	300 MA	30W	25DB											-	40 V
C3M0350120J-Tr	4.3834	RFQ	5969	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0350120		SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	-				1697-C3M0350120J-Tr			800		n通道					1200 v	7.2A（TC）	15V	455MOHM @ 3.6A，15V	3.6V @ 1mA	13 NC @ 15 V	+15V，-4V	345 PF @ 1000 V		40.8W（TC）
PTRA097058NB-V1-R2	119.8668	RFQ	8752	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	HB2SOF-6-1	PTRA097058	730MHz〜960MHz	LDMO （双）	PG-HB2SOF-6-1	下载				1697-PTRA097058NB-V1-R2TR			250	-		10µA	450 MA	800W	18.4db											-	48 v
FK8V03030L	-	RFQ	4314	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）	WMINI8-F1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					33 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1.73mA	10.2 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	1W（ta）
HUF759453	1.0000	RFQ	3993	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	38A（TC）	10V	71MOHM @ 38A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 20 V	±20V	4023 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IPP80N04S303AKSA1	-	RFQ	1922年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 120µA	110 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	188W（TC）
RJK0392DPA-WS＃j53	1.3900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AOTF66919L	0.9678	RFQ	4178	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF66919		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOTF66919LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	25A（25A），50A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 50 V	-	8.3W（32W），32W（tc）
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）	6-microfet（2x2）	-						0000.00.0000	1		n通道					40 V	10A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1260 pf @ 20 V	-	2.4W（TA）
DMP1022UWS-13	0.2818	RFQ	8132	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn	DMP1022		MOSFET （金属 o化物）	V-DFN3020-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					12 v	7.2A（ta）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±8V	2847 PF @ 4 V	-	900MW（TA）
SQM10250E_GE3	3.2100	RFQ	8409	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM10250		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					250 v	65A（TC）	7.5V，10V	30mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4050 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXTA180N085T7	-	RFQ	7057	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta180		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0075	1
SQJ152EP-T1_GE3	0.9400	RFQ	5309	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	114a（TC）	10V	5.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPU09N03LB g	-	RFQ	7354	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU09N		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO251-3-21	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	58W（TC）
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	3.5A（ta）		130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3J325F，LF	0.4100	RFQ	17	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J325		MOSFET （金属 o化物）	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 1A，4.5V	-	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
STP310N10F7	5.8300	RFQ	8385	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP310		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13233-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	180a（TC）	10V	2.7MOHM @ 60a，10v	3.8V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
UPA2201UT1M-T1-AT	0.6500	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
SIR472ADP-T1-GE3	0.6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir472		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	18A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），14.7W（TC）
NP88N04KUG-E1-AY	-	RFQ	2967	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	88A（TC）	10V	2.9MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²