场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
BLF571,112	167.4900	询价	98	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V		安装结构	SOT-467C	BLF571	225兆赫	LDMOS		SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20			3.6A	50毫安	20W	27.5分贝											-	50V
STS4DNF60	-	询价	第1776章	意法半导体	STripFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	STS4D		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	4A		90毫欧@2A，10V	4V@250μA	10nC@10V		315pF@25V	逻辑电平门
IRFS7530-7PPBF	-	询价	5750	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					60V	240A（温度）		1.4毫欧@100A，10V	3.7V@250μA	354nC@10V	±20V	12960pF@25V	-	375W（温度）
MRFE6S9200HR3	109.0500	询价	896	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏			NI-880	MRFE6	880兆赫	LDMOS		NI-880	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	250			-	1.4A	58W	21分贝											-	28V
MTB4N40ET4-ON	0.9100	询价	147	onsemi	*	大部分	的积极										-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	800
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2304		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	3.3A（Ta）、3.6A（Tc）	4.5V、10V	60毫欧@3.2A，10V	2.2V@250μA	6.7nC@10V	±20V	15V时为235pF	-	1.1W（Ta）、1.7W（Tc）
IRLB4132PBF	-	询价	4652	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					30V	78A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@40A，10V	2.35V@100μA	54nC@4.5V	±20V	5110pF@15V	-	140W（温度）
RJK0331DPB-01#J0	1.0000	询价	7253	瑞萨电子美国公司	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					30V	40A（塔）		3.4毫欧@20A，10V	-	22nC@4.5V		3380pF@10V	-	50W（温度）
IPP80CN10NGXKSA1	0.4600	询价	5	英飞凌科技	OptiMOS™2	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-123	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					100伏	13A（温度）	10V	80毫欧@13A，10V	4V@12μA	11nC@10V	±20V	716pF@50V	-	31W（温度）
APTC60TAM21SCTPAG	533.2133	询价	8148	微芯片	CoolMOS™	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	APTC60		MOSFET（金属O化物）	625W	SP6-P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	6 个 N 沟道（路面桥）						600V	116A		21毫欧@88A，10V	3.6V@6mA	580nC@10V		13000pF@100V	-
DMP31D7LFBQ-7B	0.0398	询价	8563	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-UFDFN	DMP31		MOSFET（金属O化物）		X1-DFN1006-3	下载			REACH 不出行	31-DMP31D7LFBQ-7BTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道					30V	810mA（塔）	4.5V、10V	900毫欧@420mA，10V	2.6V@250μA	0.36nC@4.5V	±20V	19pF@15V	-	530毫W（塔）
RS1L180GNTB	2.6500	询价	4979	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	RS1L		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	18A（Ta）、68A（Tc）	4.5V、10V	5.6毫欧@18A，10V	2.5V@100μA	63nC@10V	±20V	3230pF@30V	-	3W（塔）
TP65H480G4JSG-TR	3.9800	询价	3	转运豌豆	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	TP65H480		GaNFET（共源共栅N化镓FET）		3-PQFN (5x6)	下载		3（168小时）		1707-TP65H480G4JSG-TR	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					650伏	3.6A（温度）	8V	560毫欧@3.4A，8V	2.8V@500μA	9nC@8V	±18V	760 pF @ 400 V	-	13.2W（温度）
SSM6J503NU，LF	0.4600	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J503		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	32.4毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@10V	±8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
FQPF4N80	0.8300	询价	4136	仙童	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	第334章		N沟道					800V	2.2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	5V@250μA	25nC@10V	±30V	880pF@25V	-	43W（温度）
PSMN070-200P,127	1.1300	询价	8	恩智浦半导体	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-PSMN070-200P，127-954			1		N沟道					200V	35A（温度）	10V	70毫欧@17A，10V	4V@1mA	77nC@10V	±20V	4570pF@25V	-	250W（温度）
PXAC241002FC-V1-R250	92.8800	询价	第242章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	H-37248C-4	PXAC241002	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		H-37248C-4	-		3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	250	双重、共同来源		10微安	230毫安	100W	15.5分贝											-	28V
IMW65R072M1HXKSA1	12.1700	询价	160	英飞凌科技	CoolSIC™ M1	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IMW65R072		SiCFET（碳化硅）		PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	26A（温度）	18V	94毫欧@13.3A，18V	5.7V@4mA	22nC@18V	+23V，-5V	744 pF @ 400 V	-	96W（温度）
IXTA1R6N100D2-TRL	2.0243	询价	4868	IXYS	消耗	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IXTA1		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTA1R6N100D2-TRLTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					1000伏	1.6A（Tj）	0V	10欧姆@800mA，0V	4.5V@100μA	27nC@5V	±20V	645pF@25V	-	100W（温度）
STB70NFS03LT4	-	询价	6147	意法半导体	STripFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	机顶盒70N		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1026-STB70NFS03LT4	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					30V	70A（温度）	5V、10V	9.5毫欧@35A，10V	1V@250μA	30nC@5V	±18V	1440pF@25V	-	100W（温度）
NTMYS010N04CLTWG	3.1100	询价	8014	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK	NTMYS010		MOSFET（金属O化物）		LFPAK4 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					40V	14A（Ta）、38A（Tc）	4.5V、10V	10.3毫欧@20A，10V	2V@20μA	10V时为7.3nC	±20V	570pF@25V	-	3.8W（Ta）、28W（Tc）
98-0299	-	询价	5939	英飞凌科技	-	管子	过时的										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1								-
MRF6V2300NR5	-	询价	3789	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V			TO-270AB	MRF6	220兆赫	LDMOS		TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1			-	900毫安	300W	25.5分贝											-	50V
IRF7413TRPBF	-	询价	8428	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	4,000		N沟道					30V	13A（塔）		11毫欧@7.3A，10V	3V@250μA	79nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	2.5W（塔）
IXTP20N65X2	5.0500	询价	第279章	IXYS	超X2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IXTP20		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	238-IXTP20N65X2	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	20A（温度）	10V	185mOhm@10A，10V	4.5V@250μA	27nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	290W（温度）
SI0301-TP	0.3300	询价	5	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI0301		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	500毫安	2.5V、4.5V	750mOhm@500mA，4.5V	1V@250μA	0.8nC@4.5V	±8V	54pF@15V	-	830毫W
AUIRF4905XKMA1	-	询价	4467	英飞凌科技	-	大部分	过时的					AUIRF4905					-					过时的		1
APT34F100B2	23.5000	询价	3018	微芯片	功率MOS 8™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3 变体	APT34F100		MOSFET（金属O化物）		T-MAX™ [B2]	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					1000伏	35A（温度）	10V	380毫欧@18A，10V	5V@2.5mA	305nC@10V	±30V	9835pF@25V	-	1135W（温度）
BLF7G21LS-160,112	98.9200	询价	40	恩智浦	-	管子	的积极	65V		法兰安装	SOT-1121B		1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源		32.5A	1.08A	45W	18分贝											-	28V
UF3C065030K4S	19.4000	询价	5066	科尔沃	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	UF3C065030				TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2312-UF3C065030K4S	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	85A（温度）	12V	35毫欧@50A，12V	6V@10mA	43nC@12V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²