场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
FQU2N60CTLTU	0.3400	询价	5705	仙童	QFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5		N沟道					600伏	1.9A（温度）	10V	4.7欧姆@950mA，10V	4V@250μA	12nC@10V	±30V	235pF@25V	-	2.5W（Ta）、44W（Tc）
DMP4026LSSQ-13	0.2597	询价	9360	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		31-DMP4026LSSQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					40V	7.2A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@3A，10V	1.8V@250μA	45nC@10V	±20V	2083pF@20V	-	1.5W（塔）
NVMTS1D2N08H	6.4900	询价	8873	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	NVMT1		MOSFET（金属O化物）		8-DFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					80V	43.5A（Ta）、337A（Tc）	10V	1.1毫欧@90A，10V	4V@590μA	147nC@10V	±20V	10100pF@40V	-	5W（塔）、300W（TC）
FDY4001CZ	-	询价	7846	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	FDY40		MOSFET（金属O化物）	446毫W	SOT-563F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道						20V	200毫安、150毫安		5欧姆@200mA，4.5V	1.5V@250μA	1.1nC@4.5V		60pF@10V	逻辑电平门
AUIRL1404S	-	询价	6910	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					40V	160A（温度）	4.3V、10V	4mOhm@95A，10V	3V@250μA	140nC@5V	±20V	6600pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
2SK3377-ZK-E1-AY	0.6800	询价	1	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
2SJ172-E	2.8300	询价	1	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极					2SJ172		-			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1															-
FDPF5N50UTYDTU	0.6300	询价	49	仙童	*	大部分	的积极					FDPF5N		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1															-
JANTX2N6766T1	-	询价	9088	美高森美公司	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-254-3、TO-254AA（直引脚）			MOSFET（金属O化物）		TO-254AA	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					200V	30A（温度）	10V	90毫欧@30A，10V	4V@250μA	115nC@10V	±20V		-	4W（Ta）、150W（Tc）
G700P06D5	0.4900	询价	4	高福德半导体	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (4.9x5.75)	下载	符合RoHS标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0000	5,000		P沟道					60V	25A（温度）	4.5V、10V	70毫欧@4A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	1451pF@30V	标准	42W（温度）
78161国民生产总值	-	询价	6950	微芯片	-	大部分	的积极					78161					-			REACH 不出行	150-78161GNP			25
BSP125H6327XTSA1	0.9900	询价	第1137章	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP125		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	120mA（塔）	4.5V、10V	45欧姆@120mA，10V	2.3V@94μA	6.6nC@10V	±20V	150pF@25V	-	1.8W（塔）
AUIRFS6535TRL	-	询价	7651	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					300伏	19A（TC）	10V	185毫欧@11A，10V	5V@150μA	57nC@10V	±20V	2340pF@25V	-	210W（温度）
CE3514M4-C2	0.8200	询价	53	西尔	-	卷带式 (TR)	的积极	4V			4-SMD，写入	CE3514	12GHz	pHEMT场效应管		4-超迷你模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	15,000			68毫安	15毫安	125毫W	12.2分贝											0.62分贝	2V
SP8K31TB1	-	询价	第1302章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SP8K31		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	3.5A		120毫欧@3.5A，10V	2.5V@1mA	5.2nC@5V		250pF@10V	逻辑电平门
IRFSL7430PBF	1.9800	询价	4	国际校正器公司	HEXFET®、StrongIRFET™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					40V	195A（高温）	6V、10V	1.2毫欧@100A，10V	3.9V@250μA	460nC@10V	±20V	14240pF@25V	-	375W（温度）
MRF7S38075HSR3	132.5300	询价	1	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V			NI-780S	MRF7	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	250			-	900毫安	12W	14分贝											-	30V
FQD9N08TM	-	询价	4524	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD9		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					80V	7.4A（温度）	10V	210毫欧@3.7A，10V	4V@250μA	10V时为7.7nC	±25V	250pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
AOK033V120X2	16.3538	询价	9615	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK033		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK033V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道					1200伏	68A（温度）	15V	43毫欧@20A，15V	2.8V@17.5mA	104nC@15V	+15V，-5V	800V时为2908pF	-	300W（塔）
UPA2454TL-E1-A	0.8000	询价	152	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
IRF710PBF-BE3	1.1100	询价	2	威世硅科	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF710		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF710PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					400V	2A（温度）		3.6欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	36W（温度）
WNSCM80120WQ	8.2460	询价	4369	瑞能半导体	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	WNSCM80120		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	-					EAR99	8541.29.0095	600		N沟道					1200伏	42A（塔）	20V	98毫欧@20A，20V	4.5V@6mA	59nC@20V	+25V，-10V	1350 pF @ 1000 V	-	230W（塔）
SSM3K127TU，LF	0.3700	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K127		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	2A（塔）	1.8V、4V	123mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.5nC@4V	±12V	123pF@15V	-	500毫W（塔）
EPC2010	-	询价	4570	总承包	N化镁®	卷带式 (TR)	SIC停产		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	死	EPC20		GaNFET（N化镓）		死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0040	500		N沟道					200V	12A（塔）	5V	25mOhm@6A，5V	2.5V@3mA	7.5nC@5V	+6V、-4V	540 pF @ 100 V	-	-
2N7002KW_R1_00001	0.1900	询价	4	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2N7002		MOSFET（金属O化物）		SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	115mA（塔）	4.5V、10V	3欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	0.8nC@4.5V	±20V	35pF@25V	-	200毫W（塔）
NTP6410ANG	3.3800	询价	119	onsemi	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	NTP6410		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	76A（温度）	10V	13毫欧@76A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	4500pF@25V	-	188W（温度）
MRFIC1501R2	1.7200	询价	5	飞思卡尔半导体	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-MRFIC1501R2-600055			1
FQU2N60TU	0.6700	询价	10	仙童	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	5,040		N沟道					600伏	2A（温度）	10V	4.7欧姆@1A，10V	5V@250μA	11nC@10V	±30V	350pF@25V	-	2.5W（Ta）、45W（Tc）
DMC2991UDR4-7	0.2800	询价	5	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFDFN 裸露焊盘	DMC2991		MOSFET（金属O化物）	370毫W（塔）	X2-DFN1010-6（UXC型）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	5,000	N 和 P 沟道						20V	500mA（塔）、360mA（塔）		990毫欧@100毫安，4.5伏，1.9欧姆@100毫安，4.5伏	1V@250μA	4.5V时为0.28nC，4.5V时为0.3nC		14.6pF@16V，17pF@16V	标准
PJD25N03_L2_00001	0.4300	询价	5	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD25		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD25N03_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	7A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	25毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	4.3nC@4.5V	±20V	392pF@25V	-	2W（Ta）、25W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²