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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
NTH4L027N65S3F	23.0300	RFQ	8005	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NTH4L027		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道					650 v	75A（TC）	10V	27.4mohm @ 35a，10v	5V @ 3mA	259 NC @ 10 V	±30V	7690 pf @ 400 V	-	595W（TC）
FDB8896	0.9100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	330		n通道					30 V	19a（19a ta），93a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
SPI07N65C3	0.8300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRLR110ATF	-	RFQ	2605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR11		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					100 v	4.7A（TC）	5V	440MOHM @ 2.35a，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（22W），22W（tc）
DMN2991UDA-7B	0.4200	RFQ	56	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMN2991		MOSFET （金属 o化物）	310MW（TA）	X2-DFN0806-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）						20V	450mA（ta）		990MOHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.35nc @ 4.5V		21.5pf @ 16V	-
HUF76429p3	1.0000	RFQ	6078	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
j310rlrpg	-	RFQ	8634	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	J310	100MHz	JFET		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		60mA	10 MA	-	16dB											-	10 v
IWM013N06NM5XUMA1	2.3184	RFQ	8180	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响				4,800
RSD050N10TL	0.4733	RFQ	7552	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD050		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	5A（5A）	4V，10V	190MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	15W（TC）
WP2806025UH	151.9350	RFQ	20	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	160 v		通过洞	360bh		5GHz	甘姆特		360bh	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP2806025UH	Ear99	8541.29.0075	2			-	100 ma	25W	17.4db											-	28 V
FQI5N15TU	-	RFQ	9606	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI5		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					150 v	5.4A（TC）	10V	800MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），54W（tc）
UPA2700GR-E1-A	2.4400	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
FDR844P	0.7000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）			MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	11mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	74 NC @ 4.5 V	±8V	4951 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
IPC26N12NX1SA1	3.4959	RFQ	6050	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-	表面安装	死	IPC26N		MOSFET （金属 o化物）		锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					120 v	1A（TJ）	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 244µA		-		-	-
JANTXV2N7225U	-	RFQ	2479	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	27.4A（TC）	10V	105mohm @ 27.4a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
BUZ323	3.0100	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SIHP17N80E-BE3	4.8400	RFQ	3082	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-SIHP17N80E-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
BTS282ZDELCO	-	RFQ	5906	Infineon技术	tempfet®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-7形成铅			MOSFET （金属 o化物）		P-TO220-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					49 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.5mohm @ 36a，10v	2V @ 240µA	232 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRFB5620pbf	-	RFQ	8564	国际整流器	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFB5620PBF-600047			1		n通道					200 v	25A（TC）	10V	72.5Mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IPG20N06S2L35AATMA1	1.2800	RFQ	5813	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	65W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						55V	20A（TC）		35mohm @ 15a，10v	2V @ 27µA	23nc @ 10V		790pf @ 25V	逻辑级别门
IPT60R075CFD7XTMA1	7.6500	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R075		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	33A（TC）	10V	75mohm @ 11.4a，10v	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	188W（TC）
IPB04N03LB g	-	RFQ	9872	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB04N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 55A，10V	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5203 PF @ 15 V	-	107W（TC）
PMPB95ENEA/F，115	0.1200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
RM30P30D3	0.2200	RFQ	5866	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM30P30D3TR		8541.10.0080	25,000		P通道					30 V	30a（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA		±20V	2150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
FDB12N50FTM	0.9500	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDB12N		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
BSS138BKW-BX	-	RFQ	6682	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067903115	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	320mA（TA）	2.5V，10V	1.6OHM @ 320mA，10V	1.6V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	56 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
IRLB4132PBF	-	RFQ	4652	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	78A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 40a，10v	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W（TC）
NP22N055SLE-E2-AY	-	RFQ	7988	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000								22A（TJ）
NE3514S02-T1C-A	-	RFQ	8990	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET		S02	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000			70mA	10 MA	-	10dB											0.75dB	2 v
AOK8N80L	-	RFQ	9753	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK8		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1450-5	Ear99	8541.29.0095	240		n通道					800 v	7.4A（TC）	10V	1.63OHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1650 pf @ 25 V	-	245W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²