场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
NTMFS5C612NT1G	1.9100	询价	1	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-				2156-NTMFS5C612NT1G			157		N沟道					60V	35A（Ta）、230A（Tc）	10V	1.6毫欧@50A，10V	4V@250μA	60.2nC@10V	±20V	4830pF@25V	-	3.8W（Ta）、170W（Tc）
TK14C65W5,S1Q	-	询价	2691	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK14C65		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
ISL9N312AD3	0.2900	询价	211	仙童	超场效应晶体管®	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					30V	50A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@50A，10V	3V@250μA	38nC@10V	±20V	1450pF@15V	-	75W（塔）
H5N5016PL-E	14.7900	询价	50	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
MHT1801A	1.1400	询价	9	恩智浦	*	大部分	不适合新设计										-	不适用	供应商未定义	可根据要求提供REACH信息	2832-MHT1801A	EAR99		1
IPQC60T017S7AXTMA1	12.7508	询价	6892	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPQC60T017S7AXTMA1TR			750
PJL9414_R2_00001	0.5900	询价	2	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9414		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	3757-PJL9414_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					30V	15A（塔）	4.5V、10V	6mOhm@10A，10V	2.5V@250μA	12nC@4.5V	±20V	1323pF@25V	-	1.7W（塔）
RW4E045AJTCL1	1.1000	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerUFDFN	RW4E045		MOSFET（金属O化物）		DFN1616-7T	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	4.5A（塔）	2.5V、4.5V	40mOhm@4.5A，4.5V	1.5V@1mA	4nC@4.5V	±12V	450pF@15V	-	1.5W（塔）
RJJ0621DPP-0P#T2	1.4400	询价	18	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
HUFA75343G3	1.0200	询价	第821章	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	150		N沟道					55V	75A（温度）	10V	9毫欧@75A，10V	4V@250μA	205nC@20V	±20V	3000pF@25V	-	270W（温度）
AUIRFS4010-7P	-	询价	1043	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					100伏	190A（温度）		4毫欧@110A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	9830pF@50V	-	380W（温度）
R6002ENHTB1	1.1900	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	R6002		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					600伏	1.7A（塔）	10V	3.4欧姆@500mA，10V	4V@1mA	6.5nC@10V	±20V	65pF@25V	-	2W（塔）
DMT6011LSS-13	0.2119	询价	8301	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMT6011LSS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	10.6A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	10V时为22.2nC	±20V	1072pF@30V	-	1.4W（塔）
IRF200S234	-	询价	5507	国际校正器公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					200V	90A	10V	16.9毫欧@51A，10V	5V@250μA	162nC@10V	±20V	50V时为6484pF	-	417W（温度）
IXFN23N100	-	询价	1316	IXYS	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	IXFN23		MOSFET（金属O化物）		SOT-227B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道					1000伏	23A（温度）	10V	-	5V@8mA		±20V		-	600W（温度）
PTFC262808SVV1R250XTMA1	-	询价	5974	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	H-37275G-6/2		2.62GHz～2.69GHz	LDMOS		H-37275G-6/2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001028998	EAR99	8541.29.0095	250	双重的		10微安		56W	19.5分贝											-
AUIRL3705ZS	1.4700	询价	8	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	75A（温度）	4.5V、10V	8毫欧@52A，10V	3V@250μA	60nC@5V	±16V	2880pF@25V	-	130W（温度）
MW7IC930NR1	59.9800	询价	2	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	65V		表面贴装	TO-270-16 变体，薄牛皮		920MHz～960MHz	LDMOS（双）		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	EAR99	8542.33.0001	6	2 N 沟道		10微安	第285章	3.2W	35.9分贝											-	28V
PMCM440VNE/S500Z	-	询价	第1377章	安世半导体美国公司	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、WLCSP			MOSFET（金属O化物）		4-WLCSP (0.78x0.78)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934069563084	EAR99	8541.29.0095	9,000		N沟道					12V	5A（塔）	1.5V、4.5V	67毫欧@3A，4.5V	900mV@250μA	8.2nC@4.5V	±8V	360pF@6V	-	12.5W（温度）
TSM9434CS	0.6218	询价	7118	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TSM9434		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM9434CSTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道					20V	6.4A（温度）	2.5V、4.5V	40毫欧@6.4A，4.5V	1V@250μA	19nC@4.5V	±8V	10V时为1020pF	-	2.5W（塔）
R6035KNZC17	7.8500	询价	300	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	R6035		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6035KNZC17	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					600伏	35A（温度）	10V	102mOhm@18.1A，10V	5V@1mA	72nC@10V	±20V	3000pF@25V	-	102W（温度）
DN2625K4-G	1.6300	询价	7086	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	DN2625		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					250伏	1.1A（Tj）	0V	3.5欧姆@1A，0V	-	1.5V时为7.04nC	±20V	1000pF@25V	成熟模式	-
DMHC4035LSDQ-13-52	0.4578	询价	8702	分散公司	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DMHC4035		MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	8-SO	下载				31-DMHC4035LSDQ-13-52	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 和 2 个 P 沟道（半桥）						40V	4.5A（塔）、3.7A（塔）		45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V	3V@250μA	12.5nC@10V，11.1nC@10V		574pF@20V，587pF@20V	标准
IPW65R115CFD7AXKSA1	6.6600	询价	6446	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™ CFD7A	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IPW65R115		MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	21A（温度）	10V	115毫欧@9.7A，10V	4.5V@490μA	41nC@10V	±20V	1950 pF @ 400 V	-	114W（温度）
IMBG65R083M1HXTMA1	10.4400	询价	9390	英飞凌科技	CoolSIC™ M1	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65R		SiCFET（碳化硅）		PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	28A（温度）	18V	111毫欧@11.2A，18V	5.7V@3.3mA	19nC@18V	+23V，-5V	624 pF @ 400 V	-	126W（温度）
CGHV96130F-AMP	1.0000	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	120V		安装结构	440217		8.4GHz～9.6GHz	HEMT		440217	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			宣传册3A001B3	8543.70.9810	1			-	1A	130W	13.8分贝											-	40V
PJS6415_S1_00001	0.4200	询价	2	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6415		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6415_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	5.2A（塔）	1.8V、4.5V	56毫欧@5.2A，4.5V	1.2V@250μA	18nC@4.5V	±12V	765pF@10V	-	2W（塔）
AUIRFP4310Z	1.0000	询价	2800	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	25		N沟道					100伏	128A（温度）	10V	6mOhm@77A，10V	4V@150μA	188nC@10V	±20V	7120pF@50V	-	278W（温度）
IAUT300N08S5N012ATMA1	3.4010	询价	2042	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN			MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-8-1	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	300A（温度）	6V、10V	1.2毫欧@100A，10V	3.8V@275μA	231nC@10V	±20V	16250pF@40V	-	375W（温度）
HUF75345P3	-	询价	第1337章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	119		N沟道					55V	75A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	275nC@20V	±20V	4000pF@25V	-	325W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²