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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FQU5N60CTU	0.4300	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	695		n通道					600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
SPP15N60C3XKSA1	4.7300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP15N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	156W（TC）
IPI120N06S402AKSA2	2.3590	RFQ	3065	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
BUK72150-55A，118	0.8800	RFQ	19	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK72150		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
SIPC36AN10X1SA2	-	RFQ	3128	Infineon技术	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1								-
IPB160N04S203ATMA1	-	RFQ	5720	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	160a（TC）	10V	2.9MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SCT2160KeHRC11	21.9300	RFQ	450	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2160		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT2160KEHRC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1200 v	22a（TC）	18V	208MOHM @ 7A，18V	4V @ 2.5mA	62 NC @ 18 V	+22V，-6V	1200 PF @ 800 V	-	165W（TC）
STB60NF10T4	-	RFQ	7224	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB60N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	80A（TC）	10V	23mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	4270 pf @ 25 V	-	300W（TC）
TSM018NA03CR RLG	1.4100	RFQ	69	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3479 pf @ 15 V	-	104W（TC）
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	RFQ	1	nec公司	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	80A（TC）		4.8mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
YJD20N06A	0.1870	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD20N06ATR	Ear99		2,500
Auirfu4292	-	RFQ	3161	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519718	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
NTMFS4933NT1G	-	RFQ	8891	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4933		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	20A（20A），210A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	62.1 NC @ 4.5 V	±20V	10930 PF @ 15 V	-	1.06W（ta），104W（tc）
STP8NM60D	-	RFQ	3672	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-6194-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RQ5H030TNTL	0.6700	RFQ	13	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5H030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					45 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V	±12V	510 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SD56120M	-	RFQ	1415	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD56120	860MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15			14a	400 MA	120W	16dB											-	32 v
FDMC4D9P20X8	1.1600	RFQ	47	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC4		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	（18A）（ta），75a（tc）	1.8V，4.5V	4.9mohm @ 18A，4.5V	1.6V @ 250µA	109 NC @ 4.5 V	±12V	10550 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），40W（TC）
SP8K31TB1	-	RFQ	1302	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K31		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						60V	3.5a		120MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	5.2nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
G170P03S2	0.6700	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	G170		-	1.4W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						30V	9A（TC）		25mohm @ 5A，4.5V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		1786pf @ 4.5V	-
2SK2989，T6F（j	-	RFQ	7347	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2989				to-92mod	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1								5A（TJ）
MCH6305-H-TL-E	0.1500	RFQ	279	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
IXFK80N50P	22.2100	RFQ	5	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK80		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					500 v	80A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±30V	12700 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
A2G22S251-01SR3	85.8978	RFQ	8111	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-400S-2S	A2G22	1.805GHZ〜2.2GHz	ldmos		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935313179528	Ear99	8541.29.0075	250			-	200 ma	52DBM	17.7dB											-	48 v
2SJ559 （0）-t1-a	0.1700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FDMA037N08LC	1.5900	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA037		MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					80 V	6A（TC）	4.5V，10V	36.5MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 20µA	9 NC @ 10 V	±20V	595 pf @ 40 V	-	2.4W（TA）
IPA320N20NM3SXKSA1	2.6400	RFQ	4901	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA320		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					200 v	26a（TC）	10V	32mohm @ 26a，10v	4V @ 89µA	30 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 100 V	-	38W（TC）
2SK3004	-	RFQ	2822	桑肯	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3004 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道					250 v	18A（18A）	10V	250MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 10 V	-	35W（TC）
TSM043NB04LCZ	1.7791	RFQ	7779	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM043NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					40 V	16a（16A），124A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4387 PF @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
MCU04N60-TP	-	RFQ	2708	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU04N60		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4A（ta）	10V	3ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	760 pf @ 25 V	-	-
2SK404E-AC	0.1800	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²