场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
G06NP06S2	0.8300	询价	11	高福德半导体	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOP	G06N	MOSFET（金属O化物）	2W（温度）、2.5W（温度）	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	N 和 P 沟道			6A（温度）		35毫欧@6A、10V、45毫欧@5A、10V	2.5V@250μA，3.5V@250μA	22nC@10V，25nC@10V			标准
EFC4601-M-TR	-	询价	第2152章	onsemi	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	4-UFBGA、FCBGA		MOSFET（金属O化物）	1.6W（塔）	EFCP1818-4CA-055	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-EFC4601-M-TR-488			1	2 N 沟道		24V	6A（塔）		44毫欧@3A，4.5V	1.3V@1mA	8.1nC@10V		950pF@10V	-
25P06	0.8300	询价	4	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	60V	25A（温度）	10V	45毫欧@12A，10V	3V@250μA	37nC@10V	±20V	3384pF@30V	-	100W（温度）
STU4N80K5	1.6400	询价	2	意法半导体	SuperMESH5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	STU4N80	MOSFET（金属O化物）		TO-251（IPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	800V	3A（温度）	10V	2.5欧姆@1.5A，10V	5V@100μA	10V时为10.5nC	±30V	175pF@100V	-	60W（温度）
2SJ418-TL-E	4.5700	询价	23	onsemi	*	大部分	的积极				2SJ418	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	700											-
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	询价	第490章	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA80R1	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	3.9A（温度）	10V	1.4欧姆@2.3A，10V	3.9V@240μA	23nC@10V	±20V	570 pF @ 100 V	-	31W（温度）
2SB808F-SPA-ON	0.0500	询价	35	onsemi	*	大部分	的积极				2SB808	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1											-
MCB90N12-TP	1.1562	询价	3199	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	MCB90N12	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	120V	90A		7.2毫欧@20A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±20V	50V时为4514pF	-	260W
HUF75344A3	1.3700	询价	616	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	55V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	208nC@20V	±20V	4855pF@25V	-	288.5W（温度）
G66	0.6800	询价	33	高福德半导体	G	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99		3,000		P沟道	16V	5.8A（塔）	2.5V、4.5V	45毫欧@4.1A，4.5V	1V@250μA	7.8nC@4.5V	±8V	740pF @ 4V	-	1.7W（塔）
DMP1005UFDF-7	0.5400	询价	第399章	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMP1005	MOSFET（金属O化物）		U-DFN2020-6（F型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	26A（温度）	1.8V、4.5V	8.5毫欧@5A，4.5V	1V@250μA	8V时为47nC	±8V	2475pF@6V	-	2.1W（塔）
STW35N65M5	-	询价	4495	意法半导体	MDmesh™V	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	STW35N	MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	27A（温度）	10V	98毫欧@13.5A，10V	5V@250μA	83nC@10V	±25V	3750pF@100V	-	160W（温度）
FDP120N10	2.6100	询价	16	onsemi	PowerTrench®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP120	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	74A（温度）	10V	12毫欧@74A，10V	4.5V@250μA	86nC@10V	±20V	5605pF@25V	-	170W（温度）
RJK4518DPK-00#T0	-	询价	6397	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	RJK4518	MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	450伏	39A（塔）	10V	130毫欧@19.5A，10V	-	93nC@10V	±30V	4100pF@25V	-	200W（温度）
SIHB22N65E-T1-GE3	4.8100	询价	第797章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHB22N65E-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	650伏	22A（温度）	10V	180毫欧@11A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±30V	100V时为2415pF	-	227W（温度）
BSS84Q-13-F	0.2935	询价	30	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS84	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	31-BSS84Q-13-FTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道	50V	130mA（塔）	5V	10欧姆@100mA，5V	2V@1mA	10V时为0.59nC	±20V	45pF@25V	-	300毫W（塔）
PSMN1R6-40YLC,115	-	询价	4522	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56；电源-SO8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	40V	100A（温度）	4.5V、10V	1.55毫欧@25A，10V	1.95V@1mA	126nC@10V	±20V	7790pF@20V	-	288W（温度）
MSC750SMA120B	-	询价	5495	美高森美公司	*	大部分	的积极				MSC750				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				1
DMTH6006SPS-13	0.3837	询价	6310	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	DMTH6006	MOSFET（金属O化物）		PowerDI5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	DMTH6006SPS-13DI	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	17.8A（Ta）、100A（Tc）	10V	6.2毫欧@10.5A，10V	4V@250μA	10V时为27.9nC	±20V	1721pF@30V	-	2.94W（Ta）、107W（Tc）
MFT4N200T220	0.8000	询价	2	梅里泰克	-	卷带式 (TR)	的积极					MOSFET（金属O化物）			-	符合RoHS标准	1（无限制）		2997-MFT4N200T220TR	EAR99	8532.25.0020	10		N沟道	40V	200A（塔）				235nC@10V		6120pF@15V
NTMFS5C442NT1G	3.0900	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	40V	29A（Ta）、140A（Tc）	10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	3.7W（Ta）、83W（Tc）
BUK762R6-40E118	-	询价	3400	恩智浦	*	大部分	的积极								-						0000.00.0000	1
BUK9MFF-65PSS,518	-	询价	1928年	安世半导体美国公司	TrenchPLUS	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	山毛洼9M	MOSFET（金属O化物）	4.75W（温度）	20-SO	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063228518	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		65V	13.6A（温度）		12.3毫欧@10A、10V	2V@1mA	40.2nC@5V		3052pF@25V	逻辑电平门
FQA9N90	-	询价	2716	仙童	QFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	900伏	8.6A（温度）	10V	1.3欧姆@4.3A，10V	5V@250μA	72nC@10V	±30V	2700pF@25V	-	240W（温度）
RM2N650IP	0.3000	询价	7388	瑞创美国	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak		MOSFET（金属O化物）		TO-251	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2516-RM2N650IP		8541.10.0080	40,000		N沟道	650伏	2A（温度）	10V	2.5欧姆@1A，10V	3.5V@250μA		±30V	190 pF @ 50 V	-	23W（温度）
MCH3322-EBM-TL-E	0.1100	询价	158	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
SIA436DJ-T4-GE3	0.2467	询价	2153	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航436	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIA436DJ-T4-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	12A（温度）	1.2V、4.5V	9.4毫欧@15.7A，4.5V	800mV@250μA	25.2nC@5V	±5V	1508pF@4V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
AON7702B	-	询价	5533	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	13.5A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	9.5毫欧@13.5A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	15V时为810pF	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、23W（Tc）
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	询价	第1637章	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PowerSOP模块	IPDD60	MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-10-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,700		N沟道	600伏	33A（温度）		90毫欧@9.3A，10V	4.5V@470μA	42nC@10V	±20V	1747 pF @ 400 V	-	227W（温度）
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	询价	2006年	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5,000

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²