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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SPB07N60C3	-	RFQ	1041	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
ECH8619-TL-E	0.4100	RFQ	1693年	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8619	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	-						0000.00.0000	108	n和p通道		60V	3a，2a		93MOHM @ 1.5A，10V	-	12.8nc @ 10V		560pf @ 20V	逻辑级别门
IPA60R125P6	1.0000	RFQ	9832	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10v	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载					Ear99	8541.29.0095	249		n通道	150 v	4.9a（ta），28a tc）（TC）	10V	56mohm @ 5.6A，10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IPA057N08N3G	-	RFQ	7088	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	80 V	60a（TC）	6V，10V	5.7MOHM @ 60a，10v	3.5V @ 90µA	69 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 40 V	-	39W（TC）
BUK7606-55B，118	-	RFQ	1447	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道	55 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	254W（TC）
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
MRF24301HR5178	1.0000	RFQ	9953	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
SPD03N60C3	-	RFQ	4130	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	54		n通道	600 v	3.2A（TC）		1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
SPP08N80C3	1.0000	RFQ	1057	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 5.1A，10V	3.9V @ 470µA	60 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
UPA2387T1P-E4-A	0.2000	RFQ	80	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	RFQ	1637年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60	MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700		n通道	600 v	33A（TC）		90mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1747 PF @ 400 V	-	227W（TC）
EFC4C002NLTDG	-	RFQ	5939	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	EFC4C002	MOSFET （金属 o化物）	2.6W	8-wlcsp （6x2.5）	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	2.2V @ 1mA	45nc @ 4.5V		6200pf @ 15V	逻辑级别门
FDY301NZ	-	RFQ	6207	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523F	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
AUIRFR8401TRL	-	RFQ	6221	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道	40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
FCP170N60	3.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	92		n通道	600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
IPD50N03S2-07	-	RFQ	2722	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	30 V	50A（TC）	10V	7.3mohm @ 50a，10v	4V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	136W（TC）
PSMN1R2-30YLC，115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
PSMN6R4-30MLD，115	-	RFQ	4077	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
BUK7Y7R2-60EX	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道	60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W（TC）
FDA38N30	-	RFQ	4934	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载						0000.00.0000	1		n通道	300 v	38A（TC）	10V	85mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	312W（TC）
FDMS8025S	0.5800	RFQ	171	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8541.29.0095	563		n通道	30 V	24A（24A），49A （TC）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IRFB9N60APBF-BE3	3.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFB9N60APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）		750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRFR110TRLPBF-BE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFL014TRPBF-BE3	0.9400	RFQ	8923	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）		200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI1499DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1499DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（1.6A），1.6A（TC）		78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
SQ4946CEY-T1_GE3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ4946CEY-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7A（TC）		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		865pf @ 25V	-
IRFR1N60ATRPBF-BE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-IRFR1N60ATRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）		7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRF624PBF-BE3	0.8831	RFQ	9980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf624pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）		1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ44PBF-BE3	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ44PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²