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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IPD50R800CE	1.0000	RFQ	5849	Infineon技术	CoolMos™CE	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-344	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					500 v	7.6A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
BUK762R6-60E，118	-	RFQ	6607	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	10170 pf @ 25 V	-	324W（TC）
BUK7608-40B，118	0.7600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk76				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24	n通道					600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
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2SK3705	-	RFQ	7372	Sanyo	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1
FDPF15N65	-	RFQ	2828	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					650 v	15A（TC）	10V	440MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FCPF4300N80Z	1.0600	RFQ	931	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	284	n通道					800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	19.2W（TC）
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	216	n通道					800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
FDMC2610	1.0000	RFQ	1155	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					200 v	2.2A（ta），9.5A（tc）	6V，10V	200mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	960 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
FQD7N20LTM	-	RFQ	2891	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					200 v	5.5A（TC）	5V，10V	750MOHM @ 2.75A，10V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
HUF758423	-	RFQ	1670年	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
FCH077N65F-F085	6.1300	RFQ	148	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	49	n通道					650 v	54A（TC）	10V	77mohm @ 27a，10v	5V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V	7162 PF @ 25 V	-	481W（TC）
BUK9E04-40A，127	-	RFQ	7608	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	84	n通道					40 V	75A（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	128 NC @ 5 V	±15V	8260 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FDN352AP	1.0000	RFQ	6950	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN352		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1	P通道					30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±25V	150 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IRLR3636PBF	-	RFQ	4351	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
Auirlr3410Tr	1.1100	RFQ	14	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR3410		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IPA60R180C7	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					600 v	9A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	29W（TC）
HUF75639S3STNL	-	RFQ	9938	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8541.29.0095	88	n通道					100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
irfu7440pbf	0.7300	RFQ	108	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	409	n通道					40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114	n通道					100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
FDPF5N50NZF	0.7900	RFQ	552	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					500 v	4.2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	485 pf @ 25 V	-	30W（TC）
WP2806008UH	52.1750	RFQ	12	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	160 v		通过洞	360bh		6GHz	甘姆特	360bh	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP2806008UH	Ear99	8541.29.0075	2		-	70 MA	6W	11DB											-	28 V
IPD90P03P404ATMA2	2.7500	RFQ	11	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					30 V	90A（TC）		4.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
WP28007025	109.7260	RFQ	65	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	28 V			死		7GHz	甘姆特	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP28007025	Ear99	8541.29.0040	5		800mA	100 ma	25W	17dB											-	28 V
NTD24N06LT4G	-	RFQ	9924	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD24		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					60 V	24A（24A）	5V	45mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1140 pf @ 25 V	-	1.36W（TA），62.5W（tj）
BUK7Y20-30B115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
IPA50R250CP	1.5600	RFQ	220	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载					Ear99	8542.39.0001	220	n通道					500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	33W（TC）
BUK7Y65-100EX	-	RFQ	6099	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y65		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道					100 v	19a（tc）	10V	65mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V	±20V	1023 PF @ 25 V	-	64W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²