场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
SIB412DK-T1-GE3	-	询价	第1362章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-75-6	SIB412		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-75-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	9A（温度）	1.8V、4.5V	34毫欧@6.6A，4.5V	1V@250μA	10.16nC@5V	±8V	535pF@10V	-	2.4W（Ta）、13W（Tc）
FDZ3N513ZT	-	询价	6431	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA、WLCSP	FDZ3N		MOSFET（金属O化物）		4-WLCSP (0.96x0.96)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	1.1A（塔）	3.2V、4.5V	462毫欧@300mA，4.5V	1.5V@250μA	1nC@4.5V	+5.5V，-0.3V	15V时为85pF	肖特基分化（体）	1W（塔）
AUIRLR2703TRL	0.9100	询价	2	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					30V	20A（温度）		45毫欧@14A，10V	1V@250μA	15nC@4.5V		450pF@25V	-	45W（温度）
FDPF5N60NZ	1.5500	询价	898	onsemi	UniFET-II™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FDPF5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	4.5A（温度）	10V	2欧姆@2.25A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±25V	600pF@25V	-	33W（温度）
NTMFS4839NHT1G	-	询价	5442	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					30V	9.5A（Ta）、64A（Tc）	4.5V、11.5V	5.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	11.5V时为43.5nC	±20V	12V时为2354pF	-	870mW（Ta）、42.4W（Tc）
SUP40010EL-GE3	2.9700	询价	117	威世硅科	ThunderFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SUP40010		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	120A（温度）	4.5V、10V	1.8毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	230nC@10V	±20V	11155pF@30V	-	375W（温度）
辅助HAFR6215	-	询价	4047	英飞凌科技	-	管子	过时的										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1								-
XP9561GI	2.9100	询价	1882年	芯微半导体公司	XP9561	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	XP9561		MOSFET（金属O化物）		TO-220CFM	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		5048-XP9561GI			50		P沟道					40V	36A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@30A，10V	3V@250μA	40nC@4.5V	±20V	2780pF@25V	-	33.7W（温度）
DMC2053UFDBQ-13	0.1109	询价	9328	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMC2053		MOSFET（金属O化物）	820毫W（塔）	U-DFN2020-6（B型）	下载			REACH 不出行	31-DMC2053UFDBQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	10,000	N 和 P 沟道						20V	4.6A（塔）、3.1A（塔）		35mOhm @ 5A、4.5V、75mOhm @ 3.5A、4.5V	1V@250μA	10V时为7.7nC，8V时为12.7nC		10V时为369pF，10V时为440pF	-
STS8DN6LF6AG	1.7200	询价	3261	意法半导体	汽车、AEC-Q101、STripFET™ F6	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	STS8DN6		MOSFET（金属O化物）	3.2W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	8A（塔）		24毫欧@4A，10V	2.5V@250μA	27nC@10V		1340pF@25V	逻辑电平门
IPZ40N04S5L7R4ATMA1	0.9500	询价	10	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	IPZ40N04		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	40A（温度）	4.5V、10V	7.4毫欧@20A，10V	2V@10μA	17nC@10V	±16V	920pF@25V	-	34W（温度）
RD3L07BATTL1	2.3700	询价	5558	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RD3L07		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					60V	70A（塔）	4.5V、10V	12.7毫欧@70A，10V	2.5V@1mA	105nC@10V	±20V	6700pF@30V	-	101W（塔）
RJL5014DPP-00#T2	5.0300	询价	第788章	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
A2G22S251-01SR3	85.8978	询价	8111	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	NI-400S-2S	A2G22	1.805GHz～2.2GHz	LDMOS		NI-400S-2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935313179528	EAR99	8541.29.0075	250			-	200毫安	52分贝	17.7分贝											-	48V
IRF730	1.1400	询价	8412	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	700pF@25V	-	74W（温度）
NTK3142PT1H	0.0200	询价	20	三洋	*	大部分	的积极					NTK3142		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	4,000															-
AO3406	0.4100	询价	222	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	3.6A（塔）	4.5V、10V	50毫欧@3.6A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V	±20V	15V时为210pF	-	1.4W（塔）
MFT2N2A2S323	-	询价	5807	梅里泰克	-	卷带式 (TR)	的积极							MOSFET（金属O化物）			-	符合RoHS标准	1（无限制）		2997-MFT2N2A2S323TR	EAR99	8532.25.0020	10		N沟道					20V	6.5A（塔）				10V时为4.7nC		470pF@10V
IPD50P04P413AUMA2	-	询价	9567	英飞凌科技	OptiMOS®-P2	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-313	-					过时的		1		P沟道					40V	50A（温度）	10V	12.6毫欧@50A，10V	4V@85μA	51nC@10V	±20V	3670pF@25V	-	58W（温度）
RFP15N05L	0.8500	询价	32	仙童	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	400		N沟道					50V	15A（温度）		140mOhm@15A，5V	2V@250μA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
PSMN015-100B,118	0.8000	询价	3	恩智浦半导体	-	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-PSMN015-100B，118-954	EAR99	8541.29.0075	407		N沟道					100伏	75A（塔）	10V	15毫欧@25A，10V	4V@1mA	90nC@10V	±20V	4900pF@25V	-	300W（塔）
DMN95H2D2HCTI	-	询价	9449	分散公司	-	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	DMN95		MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					950伏	6A（温度）	10V	2.2欧姆@3A，10V	5V@250μA	10V时为20.3nC	±30V	1487pF@25V	-	40W（温度）
TQM250NB06DCR RLG	3.5800	询价	7	台积电	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN	全面质量管理250		MOSFET（金属O化物）	2.5W（Ta）、58W（Tc）	8-PDFNU (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	6A（Ta）、30A（Tc）		25毫欧@6A，10V	3.8V@250μA	24nC@10V		1398pF@30V	-
IPP120N06S402AKSA1	-	询价	9961	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP120N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					60V	120A（温度）	10V	2.8毫欧@100A，10V	4V@140μA	195nC@10V	±20V	15750pF@25V	-	188W（温度）
STW69N65M5-4	1900年13月	询价	510	意法半导体	MDmesh™V	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-4	STW69		MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-14039-5	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	58A（温度）	10V	45毫欧@29A，10V	5V@250μA	143nC@10V	±25V	6420pF@100V	-	330W（温度）
SIS890ADN-T1-GE3	0.9600	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS890		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					100伏	7.6A（Ta）、24.7A（Tc）		25.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	29nC@10V	±20V	1330pF@50V	-	3.6W（Ta）、39W（Tc）
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	询价	18	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SQ3495		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQ3495EV-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					30V	8A（温度）	2.5V、10V	21毫欧@5A，4.5V	1.4V@250μA	41nC@4.5V	±12V	3950pF@20V	-	5W（温度）
FD6M043N08	-	询价	8824	onsemi	电源-SPM™	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	EPM15	FD6M043		MOSFET（金属O化物）	-	EPM15	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	19	2 个 N 沟道（双）						75V	65A		4.3毫欧@40A，10V	4V@250μA	148nC@10V		6180pF @ 25V	-
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	询价	2599	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65		SiCFET（碳化硅）		PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	54A（温度）	18V	51毫欧@25A，18V	5.7V@7.5mA	41nC@18V	+23V，-5V	1393 pF @ 400 V	-	211W（温度）
SISHA12ADN-T1-GE3	0.8600	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8SH	西沙12		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8SH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	22A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	4.3毫欧@10A、10V	2.2V@250μA	45nC@10V	+20V，-16V	2070pF@15V	-	3.5W（Ta）、28W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²