场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SPP24N60CFD	2.4200	询价	500	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	21.7A（温度）	10V	185毫欧@15.4A，10V	5V@1.2mA	143nC@10V	±20V	3160pF@25V	-	240W（温度）
C3M0040120D	24.5600	询价	966	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0040120	SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	66A（温度）	15V	53.5毫欧@33.3A，15V	3.6V@9.5mA	101nC@15V	+15V，-4V	1000V时为2900pF	-	326W（温度）
MCH5839-TL-W	-	询价	3879	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	5-SMD，写入	MCH58	MOSFET（金属O化物）		SC-88AFL/MCPH5	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.5A（塔）	1.8V、4.5V	266mOhm@750mA，4.5V	1.4V@1mA	1.7nC@4.5V	±10V	120pF@10V	-	800毫W（塔）
IXTP230N04T4	3.3066	询价	4496	IXYS	沟	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IXTP230	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	230A（温度）	10V	2.9毫欧@115A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±15V	7400pF@25V	-	340W（温度）
R6020YNZ4C13	6.5700	询价	600	罗姆半导体	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	R6020	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-R6020YNZ4C13			30		N沟道	600伏	20A（温度）	10V、12V	185mOhm@6A，12V	6V@1.65mA	28nC@10V	±30V	1200 pF @ 100 V	-	182W（温度）
IPP016N06NF2SAKMA1	2.5800	询价	第954章	英飞凌科技	强IRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-U05	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	36A（Ta）、194A（Tc）	6V、10V	1.6毫欧@100A，10V	3.3V@186μA	233nC@10V	±20V	10500pF@30V	-	3.8W（Ta）、250W（Tc）
NTTFS020N06CTAG	1.3700	询价	3251	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NTTFS020	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	60V	7A（Ta）、27A（Tc）	10V	20.3毫欧@4A，10V	4V@20μA	5.8nC@10V	±20V	355pF@30V	-	2.5W（Ta）、31W（Tc）
DMTH4014LDVW-7	0.2426	询价	3002	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	DMTH4014	MOSFET（金属O化物）	1.16W（塔）	PowerDI3333-8（UXD型）	下载			REACH 不出行	31-DMTH4014LDVW-7TR	EAR99	8541.29.0095	2,000	2 个 N 沟道（双）		40V	10.2A（Ta）、27.5A（Tc）		15毫欧@20A，10V	3V@250μA	11.2nC@10V		750pF@20V	-
AUIRLR3110Z	-	询价	5139	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道	100伏	42A（温度）		14毫欧@38A，10V	2.5V@100μA	48nC@4.5V	±16V	3980pF@25V	-	140W（温度）
SPB08N03L	3.1700	询价	1	英飞凌科技	-	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FDP5N60NZ	-	询价	第1139章	onsemi	UniFET-II™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FDP5	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	600伏	4.5A（温度）	10V	2欧姆@2.25A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±25V	600pF@25V	-	100W（温度）
NCV8440STT1G	-	询价	2608	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NCV8440	MOSFET（金属O化物）		SOT-223 (TO-261)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	59伏	2.6A（塔）	3.5V、10V	110毫欧@2.6A，10V	1.9V@100μA	4.5nC@4.5V	±15V	155pF@35V	-	1.69W（塔）
DMN2053UFDB-13	0.0912	询价	6677	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMN2053	MOSFET（金属O化物）	820毫W（塔）	U-DFN2020-6（B型）	下载			REACH 不出行	31-DMN2053UFDB-13TR	EAR99	8541.29.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）		20V	4.6A（塔）		35mOhm@5A，4.5V	1V@250μA	7.7nC@10V		369pF@10V	-
BUK969R3-100E,118	1.3361	询价	3474	安世半导体美国公司	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	布克969	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100伏	100A（温度）	5V、10V	8.9毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	94.3nC@5V	±10V	11650pF@25V	-	263W（温度）
NVMFS4C310NT1G	1.3600	询价	第1179章	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	30V	17A（Ta）、51A（Tc）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	18.6nC@10V	±20V	1000pF@15V	-	3.5W（Ta）、32W（Tc）
NVMTS1D1N04CTXG	3.9686	询价	7187	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMTS1D1N04CTXGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	48.8A（Ta）、277A（Tc）	10V	1.1毫欧@50A，10V	4V@210μA	86nC@10V	±20V	5410pF@25V	-	4.7W（Ta）、153W（Tc）
HUFA76419D3ST	-	询价	5610	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	HUFA76419	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	20A（温度）	4.5V、10V	37毫欧@20A，10V	3V@250μA	10V时为27.5nC	±16V	900pF@25V	-	75W（温度）
NTTFS016N06CTAG	0.6525	询价	4866	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NTTFS016	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTTFS016N06CTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	60V	8A（Ta）、32A（Tc）	10V	16.3毫欧@5A，10V	4V@25μA	6.9nC@10V	±20V	489pF@30V	-	2.5W（Ta）、36W（Tc）
MMDF6N02HDR2	0.4000	询价	14	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
SI4684DY-T1-GE3	-	询价	8482	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4684	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	9.4毫欧@16A，10V	1.5V@250μA	45nC@10V	±12V	2080pF@15V	-	2.5W（Ta）、4.45W（Tc）
HUFA76429D3ST	0.9200	询价	38	仙童	超场效应晶体管™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	20A（温度）	4.5V、10V	23毫欧@20A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±16V	1480pF@25V	-	110W（温度）
IPT008N06NM5LFATMA1	6.5600	询价	9377	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSFN	IPT008N	MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	454A（TC）	10V	0.8毫欧@150A，10V	3.6V@250μA	185nC@10V	±20V	980pF@30V	-	278W（温度）
NTMFS0D7N03CGT1G	5.0600	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS0	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	30V	59A（Ta）、409A（Tc）	10V	0.65毫欧@30A，10V	2.2V@280μA	147nC@10V	±20V	12300pF@15V	-	4W（Ta）、187W（Tc）
MSJP11N65A-BP	2.0000	询价	5	微商公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	MSJP11	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	353-MSJP11N65A-BP	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	11A	10V	380毫欧@3.2A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±30V	763pF@25V	-	83.3W（温度）
TSM1NB60CP ROG	1.7300	询价	4	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TSM1NB60	MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	1A（温度）	10V	10欧姆@500mA，10V	4.5V@250μA	6.1nC@10V	±30V	138pF@25V	-	39W（温度）
FQAF16N25C	-	询价	9969	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FQAF1	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	360		N沟道	250伏	11.4A（温度）	10V	270毫欧@5.7A，10V	4V@250μA	53.5nC@10V	±30V	1080pF@25V	-	73W（温度）
STI24NM65N	-	询价	5788	意法半导体	MDmesh™ II	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	STI24N	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	19A（TC）	10V	190毫欧@9.5A，10V	4V@250μA	70nC@10V	±25V	2500pF@50V	-	160W（温度）
FQB19N20TM	0.8800	询价	4720	仙童	QFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载					EAR99	8542.39.0001	第254章		N沟道	200V	19.4A（温度）	10V	150mOhm@9.7A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	3.13W（Ta）、140W（Tc）
FDY1002PZ-G	-	询价	7671	onsemi	PowerTrench®	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666		MOSFET（金属O化物）	446毫W（塔）	SOT-563	-				488-FDY1002PZ-G			1	2 P 沟道		20V	830mA（塔）		500mOhm@830mA，4.5V	1V@250μA	3.1nC@4.5V		135pF@10V	逻辑电平门
IRFU421	0.4000	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²