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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图
BLC10G18XS-320AVTZ	-	RFQ	5442	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	过时的				SOT-1258-7	BLC10	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		SOT-1258-7	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20			-		-											-
BLC2425M9XS250Z	-	RFQ	2539	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	过时的	32 v		表面安装	SOT-1270-1		2.4GHz〜2.5GHz	-		SOT-1270-1	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20	-		-		18db											-
IXTA94N20X4	12.8000	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta94		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta94n20x4	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				200 v	94A（TC）	10V	10.6MOHM @ 47A，10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	360W（TC）
BUK7M21-40E，115	1.0000	RFQ	6146	NXP半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
PH5830DL，115	0.2200	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
BUK762R6-40E118	-	RFQ	3400	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
FQPF17N40T	1.8300	RFQ	642	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				400 v	9.5A（TC）	10V	270MOHM @ 4.75A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
IRFS4620pbf	1.0000	RFQ	1444	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道				200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
PHB18NQ10T，118	0.4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	727		n通道				100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IRLR7833TRPBF	-	RFQ	7124	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
ON5451,518	-	RFQ	2378	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的				-		-	-		-	-					Ear99	8541.29.0095	1	-		-	-	-											-
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道				30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPP062NE7N3G	1.0000	RFQ	3188	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				75 v	80A（TC）	10V	6.2MOHM @ 73A，10V	3.8V @ 70µA	55 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 37.5 V	-	136W（TC）
PSMN030-150p，127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
psmn1r5-30yl，115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
CMS46N03V8-HF	-	RFQ	8661	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CMS46		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-CMS46N03V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	46A（TC）		9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	12.8 NC @ 4.5 V	±20V	1317 PF @ 15 V	-	1.67W（TA），29W（tc）
CMS75P06CT-HF	-	RFQ	9017	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CMS75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-CMS75P06CT-HFTR	Ear99	8541.29.0095	50		P通道				60 V	75A（TC）		9.5Mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	8620 PF @ 25 V	-	2W（ta），183w（tc）
BSS7728NH6327	-	RFQ	9911	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载					Ear99	8541.21.0095	1		n通道				60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.3V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
FDB9409-F085	1.0000	RFQ	2313	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
PSMN041-80YL115	1.0000	RFQ	3638	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BSS84AKM，315	-	RFQ	1687年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1		P通道				50 V	230ma（ta）	10V	7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	340MW（TA），2.7W（tc）
FQU5N40TU	0.5600	RFQ	28	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	535		n通道				400 v	3.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
IPA50R140CP	-	RFQ	3700	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	80		n通道				500 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IPS80R1K4P7	0.5800	RFQ	2173	Infineon技术	Coolmos P7™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251	下载					Ear99	8542.39.0001	375		n通道				800 v	4A（TJ）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 700µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	32W（TC）
IRFR120NTRRPBF	-	RFQ	9869	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	145		n通道				100 v	9.4A（TC）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
FCPF190N60E-F154	2.1745	RFQ	9960	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF190N60E-F154	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	20.6A（TJ）		190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FCPF380N60-F154	1.5282	RFQ	1166	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	10.2A（TJ）		380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
RS1G201ATTB1	2.8600	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1G		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				40 V	20A（20A），78a tc（78a tc）		5.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6890 pf @ 20 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
RTF016N05FRATL	0.6900	RFQ	17	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RTF016		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				45 v	1.6a（ta）		190MOHM @ 1.6A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.3 NC @ 4.5 V	±12V	150 pf @ 10 V	-	800MW
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）					30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²