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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BUK7237-55A，118	0.3200	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk72				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
IRF3704SPBF	1.0000	RFQ	6618	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
STP6N95K5	2.5100	RFQ	440	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N95	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12865-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	90W（TC）
AUIRFP4310Z	1.0000	RFQ	2800	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		n通道	100 v	128a（TC）	10V	6mohm @ 77a，10v	4V @ 150µA	188 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 50 V	-	278W（TC）
SIR872ADP-T1-GE3	1.8000	RFQ	2033	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir872	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	53.7a（TC）	7.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1286 pf @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
DMN2053UVTQ-7	0.1020	RFQ	7054	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2053	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	TSOT-26	下载			到达不受影响	31-DMN2053UVTQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.6a（ta）		35mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	3.6nc @ 4.5V		369pf @ 10V	-
SPP42N03S2L13	-	RFQ	7493	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp42n	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	42A（TC）	4.5V，10V	12.9mohm @ 21a，10v	2V @ 37µA	30.5 NC @ 10 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	83W（TC）
STD50N03L-1	-	RFQ	1596年	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD50N	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	40a（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1434 PF @ 25 V	-	60W（TC）
PMZB290UN/FYL	-	RFQ	3171	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的				PMZB29				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
MSCSM170TAM23CTPAG	814.4300	RFQ	5	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	588W（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170TAM23CTPAG	Ear99	8541.29.0095	1	6 n 通道（相腿）		1700V（（1.7kV）	122A（TC）		22.5mohm @ 60a，20v	3.2V @ 5mA	356nc @ 20v		6600pf @ 1000V	-
STW14NM65N	-	RFQ	5515	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw14n	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
SI7101DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7101	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±25V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
BSP315PL6327HTSA1	-	RFQ	2553	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	1.17A（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 1.17A，10V	2V @ 160µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
FQA11N90	-	RFQ	5275	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	11.4A（TC）	10V	960MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DMT64M2LPSW-13	0.4054	RFQ	9664	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT64	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi5060-8（Q）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMT64M2LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	20.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	46.7 NC @ 10 V	±20V	2799 PF @ 30 V	-	2.8W（ta），83.3W（tc）
DMT3020LDT-7	0.2105	RFQ	3690	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	DMT3020	MOSFET （金属 o化物）	670MW（TA）	V-DFN3030-8（k型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3020LDT-7TR			1,500	2 n 通道（双）		30V	8.5A（TC）		20mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
IPD950P06NMSAUMA1	-	RFQ	1678年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD950	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987232	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	-	-	-	-		-		-	-
BUK9Y40-55B，115	0.8500	RFQ	12	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y40	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	55 v	26a（TC）	5V	36mohm @ 15a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 5 V	±15V	1020 PF @ 25 V	-	59W（TC）
STFI34NM60N	-	RFQ	5720	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI34N	MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	40W（TC）
IRFH7936TR2PBF	-	RFQ	2429	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	30 V	20A（20A），54A （TC）		4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V		2360 pf @ 15 V	-
IRF6603TR1	-	RFQ	6580	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载		3（168））	到达不受影响	SP001531594	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	30 V	27a（27A），92A （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 4.5 V	+20V，-12V	6590 pf @ 15 V	-	3.6W（ta），42W（（（TC）
AOD418	-	RFQ	2353	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD41	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13.5A（TA），36a （TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
SPD30N03S2L-20G	0.3000	RFQ	8	Infineon技术	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
G05NP04S	0.1527	RFQ	1938年	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2W（TC）	8-sop	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G05NP04STR	Ear99	8541.29.0000	4,000	-		40V	4.5A（TC），10A （TC）		41MOHM @ 1A，10V，37MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	8.9nc @ 10v，13nc @ 10V		516pf @ 20v，520pf @ 20V	标准
2N7002W	0.0150	RFQ	900	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2N7002WTR	Ear99		3,000		n通道	60 V	115mA	4.5V，10V	2.5Ohm @ 300mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
BS170RLMG	-	RFQ	1711年	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BS170	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
IXTP4N70X2M	3.3100	RFQ	26	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SQJA84EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	18	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA84	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	46A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	55W（TC）
DMT3002LPS-13	0.5733	RFQ	5417	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT3002	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
APTML102UM09R004T3AG	-	RFQ	8404	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTML102	MOSFET （金属 o化物）	480W	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		100V	154a（TC）		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	-		9875pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²