场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
FDD6672A	0.9900	询价	69	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	65A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@14A，10V	2V@250μA	46nC@4.5V	±12V	5070pF@15V	-	3.2W（Ta）、70W（Tc）
BUK6C3R3-75C118	-	询价	8888	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
DMTH6012LPSWQ-13	0.2741	询价	9543	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	DMTH6012	MOSFET（金属O化物）		PowerDI5060-8（Q型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	31-DMTH6012LPSWQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	11.5A（Ta）、50.5A（Tc）	4.5V、10V	14毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	13.6nC@10V	±20V	785pF@30V	标准	2.8W（Ta）、53.6W（Tc）
SIR864DP-T1-GE3	-	询价	8959	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR864	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	40A（温度）	4.5V、10V	3.6毫欧@15A，10V	2.4V@250μA	65nC@10V	±20V	15V时为2460pF	-	5W（Ta）、54W（Tc）
E3M0032120K	22.7329	询价	4984	沃尔夫斯皮德公司	汽车、AEC-Q101、E	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	-				1697-E3M0032120K			30		N沟道	1200伏	67A（温度）	15V	43毫欧@38.9A，15V	3.6V@10.7mA	113nC@15V	+19V，-8V	1000V时为3460pF		278W（温度）
LSIC1MO120G0080	-	询价	2688	力特保险丝公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	LSIC1MO120	SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	39A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	92nC@20V	+22V、-6V	800V时为170pF	-	214W（温度）
NDCTR30120A	-	询价	7745	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				NDCTR30120				-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NDCTR30120ATR			1,700				-
单片机18P10-TP	-	询价	2066	微商公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	单片机18	MOSFET（金属O化物）		DPAK (TO-252)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		353-MCU18P10-TPTR			2,500人		P沟道	100伏	18A	10V	100mOhm@16A，10V	3V@250μA	61nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	-
SFR9110TF	0.5600	询价	122	仙童	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	100伏	2.8A（温度）	10V	1.2欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	10nC@10V	±30V	335pF@25V	-	2.5W（Ta）、20W（Tc）
SCT4045DW7TL	12.2500	询价	996	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7L	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	750伏	31A（天）	18V	59毫欧@17A，18V	4.8V@8.89mA	63nC@18V	+21V，-4V	1460 pF @ 500 V	-	93W
G30N03D3	0.5300	询价	4	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3.15x3.05)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	30A		7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	13nC@10V	±20V	15V时为825pF		24W
FQD5N50TM	1.0700	询价	21	仙童	QFET®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	500V	3.5A（温度）	10V	1.8欧姆@1.75A，10V	5V@250μA	17nC@10V	±30V	610pF@25V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
SSP2N60A	0.3700	询价	9	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	807		N沟道	600伏	2A（温度）	10V	5欧姆@1A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±30V	410pF@25V	-	54W（温度）
R6530KNZC8	-	询价	6614	罗姆半导体	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	R6530	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	846-R6530KNZC8	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	30A（温度）	10V	140毫欧@14.5A，10V	5V@960μA	56nC@10V	±20V	2350pF@25V	-	86W（温度）
DMN2013UFDEQ-7	0.2465	询价	9944	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerUDFN	DMN2013	MOSFET（金属O化物）		U-DFN2020-6（E型）	下载			REACH 不出行	31-DMN2013UFDEQ-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	10.5A（塔）	1.5V、4.5V	11毫欧@8.5A，4.5V	1.1V@250μA	8V时为25.8nC	±8V	10V时为2453pF	-	660毫W（塔）
NTLTS3107PR2G	0.7200	询价	3	onsemi	-	大部分	过时的				NTLTS31				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
IPI65R420CFD	0.8200	询价	10	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	650伏	8.7A（温度）	10V	420毫欧@3.4A，10V	4.5V@300μA	10V时为31.5nC	±20V	100V时为870pF	-	83.3W（温度）
AO4447A_201	-	询价	8043	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4447A_201TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	18.5A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@18.5A，10V	2.2V@250μA	130nC@10V	±20V	5020pF@15V	-	3.1W（塔）
BSC150N03LD	0.4000	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	BSC150	MOSFET（金属O化物）	26W	PG-TDSON-8-4	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		15毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	6.4nC@10V		1100pF@15V	逻辑电平门
HP8MA2TB1	1.8500	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	HP8MA2	MOSFET（金属O化物）	3W（塔）	8-HSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道		30V	18A（塔）、15A（塔）		9.6毫欧@18A、10V、17.9毫欧@15A、10V	2.5V@1mA	22nC@10V，25nC@10V		1100pF@15V，1250pF@15V	-
NVMFS4C308NT1G	0.6678	询价	7161	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMFS4C308NT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	30V	17.2A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	4.8毫欧@30A，10V	2.1V@250μA	18.2nC@10V	±20V	1670pF@15V	-	3W（Ta）、30.6W（Tc）
MCP120N08Y-BP	2.5700	询价	5	微商公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	MCP120	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB(H)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	353-MCP120N08Y-BP	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	80V	120A（温度）	10V	4.8毫欧@20A，10V	4V@250μA	73nC@10V	±20V	5666pF@40V	-	190W
NVTYS007N04CLTWG	0.6142	询价	6586	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56		MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTYS007N04CLTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	16A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	7.3毫欧@10A、10V	2.2V@30μA	16nC@10V	±20V	900pF@25V	-	3.1W（Ta）、38W（Tc）
HUF75339P3	-	询价	6949	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HUF75339P3-600039			1		N沟道	55V	75A（温度）	10V	12毫欧@75A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	200W（温度）
FDMC8296	-	询价	8341	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC82	MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	12A（Ta）、18A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@12A，10V	3V@250μA	23nC@10V	±20V	1385pF@15V	-	2.3W（Ta）、27W（Tc）
2SK2552B-T1-AT	0.1100	询价	30	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,704
FDB6670S	2.4900	询价	19	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	62A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@31A，10V	3V@1mA	32nC@5V	±20V	15V时为2639pF	-	62.5W（温度）
SQ4153EY-T1_GE3	1.6500	询价	6784	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4153	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	12V	25A（温度）	1.8V、4.5V	8.32毫欧@14A，4.5V	900mV@250μA	151nC@4.5V	±8V	11000pF@6V	-	7.1W（温度）
NTF2955T1G	1.1900	询价	3771	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NTF2955	MOSFET（金属O化物）		SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	NTF2955T1GOSTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	60V	1.7A（塔）	10V	185毫欧@2.4A，10V	4V@1mA	14.3nC@10V	±20V	492pF@25V	-	1W（塔）
FS10ASJ-3-T13#C02	0.8900	询价	53	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				FS10ASJ	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000											-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²