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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
AOB480L	1.3300	RFQ	10	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB480	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	（15a）（180a）（180a tc）	7V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±25V	7820 PF @ 40 V	-	1.9W（TA），333W（tc）
DMT615MLFV-7	0.2258	RFQ	6836	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT615	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	8.5a（ta），38a tc）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	1039 pf @ 30 V	-	1.76W（TA）
ECH83 04-TL-E	-	RFQ	3757	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	8-ech	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	12 v	9.5A（TA）		16mohm @ 4.5A，4.5V	-	33 NC @ 4.5 V		3180 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
AO7411	0.1530	RFQ	9425	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	AO741	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 1.8A，4.5V	1V @ 250µA	6.24 NC @ 4.5 V	±8V	524 pf @ 10 V	-	630MW（TA）
AOU2N60A	-	RFQ	5814	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	aou2	MOSFET （金属 o化物）	TO-251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	295 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon技术	Coolmos™CP	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
NVMFS6B03NWFT1G	-	RFQ	9470	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	145a（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±16V	4200 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），198W（TC）
PSMN2R4-30MLD115	-	RFQ	9137	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
IQE004NE1LM7SCATMA1	1.1739	RFQ	1174	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				6,000
TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2156-PMPB20EN/S500X	Ear99	8541.21.0075	1	n通道	30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
ixtk140n20p	16.0200	RFQ	7100	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK140	MOSFET （金属 o化物）	TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	200 v	140a（TC）	10V	18mohm @ 70a，10v	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
SPP24N60CFD	2.4200	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
C3M0040120D	24.5600	RFQ	966	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	C3M0040120	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载		不适用			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	66A（TC）	15V	53.5MOHM @ 33.3a，15v	3.6V @ 9.5mA	101 NC @ 15 V	+15V，-4V	2900 PF @ 1000 V	-	326W（TC）
HUF76645P3	1.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	n通道	100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
2SK3378ENTL-E	0.1700	RFQ	59	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FCP067N65S3	6.5000	RFQ	5063	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP067	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	44A（TC）	10V	67mohm @ 22a，10v	4.5V @ 4.4mA	78 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 400 V	-	312W（TC）
MCH5839-TL-W	-	RFQ	3879	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	5-SMD，平坦的铅	MCH58	MOSFET （金属 o化物）	SC-88AFL/MCPH5	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	266MOHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 1mA	1.7 NC @ 4.5 V	±10V	120 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
IXTP230N04T4	3.3066	RFQ	4496	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP230	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	230a（TC）	10V	2.9MOHM @ 115A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	7400 PF @ 25 V	-	340W（TC）
IRF341	1.4400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	350 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPP65R190CFDAAKSA1	-	RFQ	5450	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000928266	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPC022N03L3X1SA1	-	RFQ	7557	Infineon技术	Optimos™	大部分	在sic中停产	-	表面安装	死	IPC022N	MOSFET （金属 o化物）	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	1A（TJ）	10V	50MOHM @ 2A，10V	2.2V @ 250µA		-		-	-
IXTH6N90A	-	RFQ	1507	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth6	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	6A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
PSMN3R5-80PS	-	RFQ	4544	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1
STD1059-001	0.2400	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
FCP165N65S3	4.0600	RFQ	731	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	39 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 400 V	-	154W（TC）
IPD5N25S3430ATMA1	1.1400	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD5N25	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	5A（TC）	10V	430MOHM @ 5A，10V	4V @ 13µA	6.2 NC @ 10 V	±20V	422 PF @ 25 V	-	41W（TC）
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
R6020YNZ4C13	6.5700	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6020	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-R6020YNZ4C13			30	n通道	600 v	20A（TC）	10V，12V	185mohm @ 6a，12v	6V @ 1.65mA	28 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	182W（TC）
BUK953R5-60E，127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	60 V	120a（ta）		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²