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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM3400Tr		8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA		±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM130N100HDTR		8541.10.0080	8,000	n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM80N60DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA		±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
MTB15N06VT4	0.6400	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800
PMZB150Une315	-	RFQ	2485	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
IMBF170R650M1XTMA1	7.4600	RFQ	592	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBF170	sicfet （碳化硅）	PG-TO263-7-13	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	1700 v	7.4A（TC）	12V，15V	650MOHM @ 1.5A，15V	5.7V @ 1.7mA	8 nc @ 12 V	+20V，-10V	422 PF @ 1000 V	-	88W（TC）
IRFCZ44VB	-	RFQ	9434	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）	死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFCZ44VB	过时的		1	-	60 V	55a	10V	16.5MOHM @ 55A，10V	-		-		-	-
NTHL080N120SC1A	13.9700	RFQ	9050	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL080	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL080N120SC1A	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	31a（TC）	20V	110mohm @ 20a，20v	4.3V @ 5mA	56 NC @ 20 V	+25V，-15V	1670 PF @ 800 V	-	178W（TC）
IRFRC20TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-RFRC20TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFL9110TRPBF-BE3	0.8800	RFQ	1456	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon技术	*	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	897	n通道	30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
2SK680A-T2-AZ	0.4600	RFQ	28	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	10.3A（TC）	10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHF530STRL-GE3	1.0700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
NVMFS015N10MCLT1G	1.3200	RFQ	8810	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS015	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	10.5A（ta），54a（tc）	4.5V，10V	12.2MOHM @ 14A，10V	2.2V @ 282µA	19 nc @ 10 V	±20V	1338 PF @ 50 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
DMN6022SSS-13	0.2435	RFQ	4341	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN6022	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN6022SSS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	6.9a（ta）	6V，10V	29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 30 V	-	2.1W（TA）
IRF3710STRRPBF-IR	1.0000	RFQ	5353	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	57A（TC）		23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF614BFP001	1.0000	RFQ	7644	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道	250 v	2.8A（TC）		2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FQPF19N20T	0.6300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	11.8A（TC）	10V	150MOHM @ 5.9A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STB8N50ET4	1.4400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800
IRF9335pbf	-	RFQ	8839	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,262	P通道	30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
PH3120L，115-nxp	-	RFQ	3809	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1,500	n通道	20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
RJK0331DPB-01＃j0	1.0000	RFQ	7253	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	40a（ta）		3.4mohm @ 20a，10v	-	22 NC @ 4.5 V		3380 pf @ 10 V	-	50W（TC）
IRFS59N10DTRLP	-	RFQ	4464	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	59A（TC）		25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
BUK7Y20-30B115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24	n通道	600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
AUIRF1404S	3.3600	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	75A（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²